Неофициальный отзыв 4 (Оптические свойства тонких пленок Ge2Sb2Te5 и влияние на них легирующих примесей)
Описание файла
Файл "Неофициальный отзыв 4" внутри архива находится в папке "Оптические свойства тонких пленок Ge2Sb2Te5 и влияние на них легирующих примесей". PDF-файл из архива "Оптические свойства тонких пленок Ge2Sb2Te5 и влияние на них легирующих примесей", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "физико-математические науки" из Аспирантура и докторантура, которые можно найти в файловом архиве НИУ «МЭИ» . Не смотря на прямую связь этого архива с НИУ «МЭИ» , его также можно найти и в других разделах. , а ещё этот архив представляет собой кандидатскую диссертацию, поэтому ещё представлен в разделе всех диссертаций на соискание учёной степени кандидата физико-математических наук.
Просмотр PDF-файла онлайн
Текст из PDF
ОТЗЫВ на автореферат диссертации Нгуен Хуи Фука «Оптические свойства тонких пленок Ое2БЬ2Те5 и влияние на ннх легирующих примесей», представленной на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук по специальности 01.04.10 — ссФизнка полупроводников» Диссертационная работа Нгуен Х. Ф. посвящена актуальным вопросам влияния легирующих примесей на оптические характеристики тонких пленок материала фазовой памяти бе2Я>2Те~ ~ОЯ'225). В работе представлен большой объем экспериментального и расчетного материала, позволившего автору диссертационной работы оценить такие важные оптические параметры тонких пленок как оптический контраст, оптическая ширина запрещенной зоны н положение края поглощения 1т.н.
хвоста Урбаха) для составов ОЯТ225 и бБТ225, легированных висмутом, индием и оловом. В частности, впервые экспериментально показано, что введение висмута и олова позволяет увеличить оптический контраст тонких пленок фазовой памяти, что является положительным фактором для технологии перезаписываемых оптических дисков форматов ВЪЧЭ-КЖ и ВВ. Для объяснения полученных концентрационных зависимостей предложена модель, учитывающая особенности изоморфного примесного замещения для состава Ое,БЬ2Те5. Автореферат написан грамотным научно-техническим языком, в нем отражены актуальность и научная новизна защищаемой работы.
Результаты, полученные в работе Нгуен Х. Ф., обладают высокой практической значимостью в области создания новых оптических сред для устройств фазовой памяти. Среди недостатков можно отметить следующее: 1. В автореферате не приводятся рентгеновские дифрактограммы кристаллических пленок С1ЯТ225, легированных примесей В1, Бп и 1п. 2.
В тексте автореферата имеются опечатки н ошибки в русском языке, а также многочисленные обозначения на английском языке шкал на графиках. Перечисленные недостатки не снижают общую положительную оценку диссертации Нгуена Х.Ф. Представленная в автореферате работа удовлетворяет положениям ВАК, является оригинальным и законченным научным исследованием, а ее автор Нгуен Хуи Фук заслуживает присуждения искомой ученой степени кандидата физико-математических наук по специальности 01.04.10 — «Физика полупроводников». доктор технических наук, профессор, Козик Владимир Васильевич доктор технических наук, профессор заведующий кафедрой неорганической химии Томского Государственного Университета 634050, РФ, г,Томск, пр, Ленина, д. 36 тел.+7(3822) 53-32-35 е-та11: Жолйфта11.гп .