Неофициальный отзыв 6 (Морфология и электрофизические свойства фоточувствительных слоев на основе PbS)

ОТЗЫВ на автореферат диссертации Мохамед Хемдан Сайед Хамед на тему «Морфология и злекгярофизичяскяе свойства фопючуяс~пяятльяьп слоев ни основ«РЫ», представленной на соискание ученой степени кандидата технических наук по специальностям: 01.04.10 «Физика полупроводников и 05.27.01 - «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах». Тема диссертационной работы, посвященной исследованию свойств узкозонного полупроводникового соединения на основе РЫ с целью его использования в тандемных солнечных элементах, несомненно, является актуальной.

Диссертантом выполнен значительный комплекс исследований современными методами фоточувствительных слоев РЬБ, изготовленных как физическим напылением, так н методом химического осаждения. Установлено влияние концентрации химически связанного кислорода и соединений свинца и углерода на сопротивление и спектральную чувствительность химически осажденных слоев РЬЯ, Представляют практический интерес результаты исследований поверхности методом зондовой микроскопии, объясняющие существенное снижение коэффициента отражения из-за шероховатости поверхности.

В диссертации даются рекомендации по составу при использования слоев сульфида свинца для различных примененцй„вкшочая газовые сенсоры, фотоприемники, солнечные элементы. Приведенные в автореферате материалы опубликованы в достаточном количестве научных работ. Вместе с тем автореферат не лишен недостатков. 1. Встречаются отдельные стилистические погрешности. Так не понятна формулировка задачи 3 для достижения цели работы (стр, 4).

2, В тексте приводятся темновые значения сопротивлений, которые в большой степени зависят от геометрии фоторезисторов. Сведения о размерах фоторезнсторов в автореферате отсутствуют. 3. В авторефераге слабо отражена принципиально важная составляющая работы, связанная с технологией фоточувствительных слоев 1третья глава, стр.З). Судя по автореферату, диссертационная работа Мохамед Хемдян Сайед Хамед удовлетворяет требованиям ВАК Минобрнауки РФ, предъявляемым к кандидатским диссертациям, и полностью соответствует пункту 9 «Положения о присуждении ученых доктортехнических наук, профессор, директор институга электронных и информационных систем ФГБОУ ВПО «Новгородский государственный университет имени Ярослава Мудрого» Юридический (фактический) адрес 173003, Великий Новгород, ул. Большая Санкт-Петербургская, д.41 телэ 8 (8!б2) 97 42 24 Б.И.

Селезнев ОМй е-шай: Вой».Ке1ехпет®поэзо.ш доктор технических наук, профессор, с ~',~.сев)гта",~:,ор е' 7С зав. кафедрой обшей и экспериментальной физики, .':;, ':::Р',: .'-'. ФГБОУВПО«Новгородскийгосударственный ' "''-:... ';;, '""'' Гг:хх ба-'ъ >(Х университет имени Ярослава Мудрого» ''" 'лз, 1 Юридический (фактический) адрес: 173003, Великий Новгород, ул. Болыпая Санкт-Петербургская, д.41 телэ 8 (8162) 97 42 35 е-шай: Ча!егу.баътп»Ысо((()потап,гп =В.В. Гаврушко -Х =' степеней» по Постановлению Правительства РФ от 24.09.2013 № 842 (ред. от 30.07.2014), а ее автор, Мохамед Хемдац Сайед Хамед, заслуживает присуждения ему ученой степени кандидата технических наук по специальностям: 01.04.10 «Физика полупроводников и 05.27.01 — ГеерДотельлая электроника, радиоэлектронные колзполентьь макро- а наноэлектроника, приборы на кеапиюеых эффектах.

.