Отзыв оппонента (Методы формирования объемных микроструктур устройств микроэлектроники и микросистемной техники космического назначения)

Н ИИ Меяея'фляв1«эе эгЗФЯЮвв)ю '..., Открытое акционерное общество «Научно-исследовательский институт точного машиностроения» (ОАО НИИТМ) Панфиловский проспект д. 1О, г. Зеленоград„г. Москва, 124460. Тел.: "-7(495) 229-75-00, Факс: -г7(495) 229-75-22 ээ ээээ зэ(11пэ.гв„в-вэа(1: 11э(о'а)п111пээзэ ОКНО 07577292, ОГРП 1027700037749. ИНИ 7735043966, КПП 773501001 ОТЗЫВ ОФИЦИАЛЬНОГО ОППОНКНТА доктора технических наук, профессора Одинокова Вадима Васильевича на диссертациопнуэо работу Анурова Алексея Евгеньевича «Методы формирования объемных микроструктур устройств микроэлектроники и микросистемной техники космического назначения». представленную на соискание ученой степени кандидата технических наук по специальности 05.27.01 — «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах».

Актуальность исследования Диссертшионная раоота посвящена разработке методов формирования объемных микроструктур устройств микроэлектроники и микросистемной техники космического назначения. В настоящее время во многих странах интенсивно ведутся исследования и разработка приборов микроэлектроники и микросистемной техники на основе обьемных микроструктур, предназначенных для эксплуатации в условиях широкого температурного диапазона и дестабилизирующих факторов космического пространства. Актуальной задачей в этой области является использование плазмохимических методов травления для формирования высокоаспектных микроструктур в различных материалах при создании ашэаратуры космического назначения. Диссертационная работа Анурова А.Е.

посвящена исследованию методов формирования объемных микроструктур в кремнии„полиимиде, устройств на их основе и влиянию микроструктур на параметры разработанных устройств. Работа содержит достагочное количество новых научных данных о формировании малонапряженных пленок ингрида кремния„сквозных микроотверстнй в кремнии, полиимиде и управлении их профилем, что очень важно для специальной аппаратуры.

Оценка содержании диссертации, ее завершенность Структура и обьем работы Диссертационная работа написана грамотным техническим языком, лоэ ична и строго структурирована. Работа состоит из введения, 4 глав, заключения и списка литературы, включающего 93 наименования, Содержание работы Во введении обоснована актуальность работы, определены цель и задачи, представлены научная новизна практическая значимость. методы исследований и положения, выносимые на защиту.

В первой главе достаточно подробно проведен анализ работы МОП-транзистора, микросистемы терморегуляции поверхности КА, анализ СВЧ фильтров и методов изготовления объемных микроструктур. Указано на перспективность ПХ травления с использованием ВовсЬ процесса. Подробно изучено влияние характеристик объемных структур и их конфигурации на параметры устройств М'Э. Предложена их классификация, Выявлены наиболее перспективные техпроцессы и схемо-технические решения.

Во второй главе определены объекты исследования и сформированы требования к конфигурации углублений в многослойных структурах. Выбраны параметры объемных микроструктур в кремнии, полиимиде и малонапряженной пленки нитрида кремния, применяемой в технологиях изготовления разрабатываемых приборов. Определены методы исследований. Третья глава посвящена моделированию конструкции силового транзистора с вертикальным затвором. а так же процессам плазменного травления высокоаспектных микроструктур в кремнии и полиимиде, плазменною осаждения малонапряженных пленок нитрида кремния.

Автор предложил методы плазменного травления и осаждения, позволяющие разработать и изготовить силовой полупроводниковый прибор, устройство микросистемной техники и СВс1-фильтр космического применения по современным технологиям. Экспериментальные данные характеризуются углубленными и тщательными исследованиями. В четвертой главе представлены разработанные автором технологии изготовления устройств микроэлектроники и микросистемной техники с использованием исследованных объемных микроструктур, пленок и разработанных методов их изготовления.

Подробно описаны схемные решения. гехнологические режимы изготовления. результаты измерений и испытаний силово~ о транзистора с вертикальным затвором, микроструктурной многослойной экрацно-вакуумной изоляции КА и ЯФ-фильтра, Предложенные схемотехнические решения защищены патентами РФ, что по;пверждает отсутствие в России предложенных решений и позволяет заменить импортные аналоги. В заключении довольно полно сформулированы основные выводы по работе. Диссертационная работа производит положительное впечатление.

автору удалось успешно решить поставленные актуальные технологические задачи. Научные ноложенпя и выводы. сформулированные в диссертации Научная новизна раооты представлена в с.чедующем: !. 'Экспериментальные исследования показали, что предварительная обработка поверхности кремниевой по;.шожки в азотной плазме перед низкотемпературным (менее 200'С) осаждением нитрида кремния позволяет сформировать на границе «кремнийнитрид кремния» переходной слой толщиной от 2 до 6 нм. что приводит к снижению дефектности пленки иитрида кремния и обеспечивает требуемую величину адгезии слоев. 2. С использованием приборно-технологического моделирования проведено исследование зависимости величины порогового напряжения МОП-транзистора с вертикьшьным затвором, изолированным термическим окислом, от глубины р-и перехода «исток-карман» и то:пцины подзатворного диэлектрика.

Установлено. что оптимальная глубина р-и перехода «исток-карман» сосгавляет 1-1„2 мкм при толщине подзатворного диэлектрика 60~10 нм. 3. Изучены условия появления погс)з1пй-эффекта при анизотропной стадии реактивного ионного травления (РИТ) волноводов Я1%-фильтра с диаметром микроотверстий 150-250 мкм. Установлено, что формирование фаски на нижней кромке микроотверстия происходит при использовании пленки полиимида толщиной 3 мкм. нанесенной на обратную сторону кремниевой пластины. а время перетрава при выбранном режиме анизотропного РИТ составляет не менее 3,5-4 минут, что значительно снизило вероятность отказов по обрыву металлизации на кромках волюводов. 4.

Научно обосновано схемо-техническое решение по микроструктурной экранно-вакуумной изоляции космических аппаратов (КА), состояшая из микропрофнлнрованной кремниевой подложки, теплоогражаюших металлических микропластин, позволякнцая защитить от резких перепадов температуры всю неиспользуемую поверхность нано~пико спутника и снизить на 15-20 '~» скорость изменения температуры поверхности КА. Практическая значимость работы 1. 11редложены конструкции н технологии изготовления устройств космического назначения в части создания силового транзистора с вертикальным затвором, экранновакуумной изоляции КА и 8!%-фильтров. 2.

Определены закономерности влияния техно.югических факторов на параметры разработанных устройств. Обоснование и достоверность научных положений н выводов Достоверность научных положений и выводов подгверждена положительными результатами проведенных экспериментальных исследований, использованием разработанных конструкций, технологий н методов изготовления устройств космического назначения в АО «Российские космические системы», а также актами об использовании результатов работы в АО «Российские космические системы» (г.

Москва), ООО «Ьазовые технологии» (г. Москва). в ФГЬОУ ВО «Московский авиационный институт (национальный исследовательский универсигет)» (г. Москва). Степень завершенности диссертации Диссертация Анурова А.Е. является законче1шой научно-квалификационной работой с научно обоснованными гехни |ескими и технологическими решениями. внедрение которых вносит значительный вклад в развитие аппарагуры космической отрасли.

Выводы диссертации обоснованы, результагы экспериментов получены с достаточно высокой точностью и подтверждены данными работ других авторов. Апробация и публикации основных результатов Результаты работы докладывались автором на 8 научно-технических и научнопрактических конференциях. По материалам и основному содержанию диссертации опубликованы 9 работ в научно-технических журналах н трудах конференций. из них 2 статьи — в рецензируемых журналах, входящих в перечень рекомендованных ВАК Минобрнауки России.

По результатам работы получены 4 патента РФ. Замечания по диссертационной работе Дистанционная работа базируется на основе научно-экспериментальных исследований. Желательно оыло бы в этой работе иметь и теоретические исследования. Заключение Выявленный недостаток не снижает обшей высокой оценки диссертации. В целом. диссертация Анурова Алексея Евгеньевича «Методы формирования объемных микроструктур устройств микроэлектроники н микроснстемной техники космического назначения» является законченной научно-квалификационной работой на актуальную тему. Диссертационная работа отвечает требованиям положения о присуждении ученых степеней и соответствует специалыюсти 05.27.0! — кТвердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- н наноэлектроника. приборы на квантовых эффектах». Основныс научные результаты диссертационной работы опубликованы в достаточном количестве в рецензируемых научных изданиях, входящих в перечень ВЛК РФ, Автор диссертации Ануров Алексей Евгеньевич заслуживает присуждения ученой степени кандидата технических наук по специальности 05.27.0! — «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах».

Официальный оппонент, доктор технических наук. профессор, заместитель генуиыиэяр директора по науке ОАО НИИ;ЙЙ»':":;;;:,:,.;:„"'..":~!!э ! !одпись Одинокова В, В. удфтойе!З!п~Я!. ~'~ Ведучций специалист по калрай~ .".': л, "-:=" " Вадим Васильевич Одиноков Болталина Н,И. .