Отзыв ведущей организации (Методы формирования объемных микроструктур устройств микроэлектроники и микросистемной техники космического назначения)

«УТВЕРЖДА1О» Проректор по научной работе МИЭТ фессор ОТЗЫВ ведущей организации на диссертационную работу соискателя ученой степени кандида Га технических наук Анурова Алексея 1..вгеньевича, выполненную на тему: «Методы формирования объемных микроструктур устройств ыикроэлектроп!1ки и микрОсистемнОЙ техники космическОГО назначения» 1.

Агетуйльность Актуальность представленной ра001ы Об')с)!Ойле)н! т1)СООВйннем рйз1)аоо)кп Новых конс"1 рукций и гехнологиЙ изготовлс!Ги)! устройств силовой микроэлектроники, микросистем терморегуляции поверхности м«глых космичес1«их «п!п«трйтОВ и ! В 1-Г1)ильтрОВ космическОГО назна«)ения с улучшенными массо-габаритными и функцио!!ат!ы)ыь!и характеристиками в р«зь!кйх импор)озйме!ц1.ни)1. Внедрение подооных уст1тоЙств, изготавливающихся В Российской Федерации, требует исследований и рйзра001'ки новых мстОдОВ плазменноГО ВысокойспектнОГО траВления к1)ем))ия и пол!!ими;!а. а "1акже м~".!одй 11лазменно!'0 1н!!зкОтем!!е1зйтурнОГО) Осаждения к!ВЛОП!)пр)!жен!1О! х) 1!Итрида 1«)эех!!1 И)1. 2.

Основные научные резуль Гй 1! 1, получе!Гиые автором! Е Показано. Гго предварителы!ая обработка поверхности кремниевой пОдлОжки В йзо! ПОЙ п)1азме пе1тед низкОтемпсратурным 1менее ОО !.. ! Осйж)гением нитрида кремни)1 !10зволяе! С!1)орх!1!Ровать на границе «кремний - нитрид кремни)!» и!реходнои сло!1 то.пцинои от 2 до б нм, что приводит к снижению де~)ект!!Ости пленки нитрида кремния и 00еспечиВйе1 треоуемую ВЕЛИ'1ИНУ йДГСЗИИ СЛОЕВ. 2. О использованием приборно-технологического моделирования проВедено исследОВйни ' зйВисимОсти Велич)!ны порОГОВО!"0 нйпр51же1И!я МОП-тр!И1зисторй с вертикйльным зй'!ворох!, изолировйнным термическим окислом.

от глуоины р-и перехода «исток-карман» и толщины подзатворного дизс>скгрикй. Усттп!Ов)>сно, что Оптимй.!ы>й>1 Глуоинй р-и перехода «истоккармй)и> состав))яе! 1-!,2 мкм при толщине подзатворного диэлектрика 6ОН О нм. 3. Исследованы условия появления по1с1нп —.->ффекта при йнизотропной стадии реактивного ионного травления 1РИТ) во)И!оводов э1%-фиг!Ьтрй с ди!)ме) ром м$)кр01>1!!ерс)ий ! 50-250 мкм.

'5>с!т)новлено, что !1)орми1эовйние фйскн 1)й нижней кромке микроотверстия происходит при использовании пленки полиимидй толщииои > 3 мкм, нанесеннои на обратную сторону крем н!!свой плас пн)ы„й врем>! Пере ! рйвй при выбранном режиме анизотропного 15ИТ составляет не менее 3.5-4 минут. Использование пред)юженной технолог>н) позволяет сниз>1 гь вероятность отказов, СВяз)п!ных с ОбрыВОм )1с1йллизйпин на 1".РОмках ВО)1новодОВ, н ух)еиьш1!!ь переходное сопрогивлснне ме)аллизйцни до 1" 10 Ом.

4. 11ред)10>!«енй новая конструкпия ми!'Рос)руктурноЙ экрйнноВйкуум1юй1 изо>1Я1$ни !'.Осмических $!$н)ар!1т01$1Ь.Л1, состОЯщй51 из ыикрОнрофилиров$)нн!>!$ крем)п!СВОЙ пО:1лО>кки, "1епл00трйж>нощих м~".Г$1,'1.'1ическ$!х $>!$!крон:$!1С $'!П1. Позво;1яюн)ая защити!ь О!' Резких перен11„"!ОВ темпера!уры век> неиспользуемую поверхность нано/пико спутника и а)из!и ь на 15-30 ",'о скорое !.! измене!Щя температуры поверхности КЛ. 3.

5Н1!чи мост ь дли науки и пра)е!'Пни Знй~11лмость полу'!енных результатов работы Определяется тем, что они нашли применение в рйбо)ах ЛО «Российские космические системы» при вьн10;!пении !'Осуд1$1эственных к01прйктОВ с Федерйлье)ым кОсми'!Вским йге!!! с! !юм, носв51щс!1ных рйзрйоотке !схнОл01'иЙ изГОтОВ)1сння силОВых МО11-1рйнз1!Стор01$, э.>ск!ро) !!р!!В)151СХ!ь!х хн>кр!)1>нтоэ)!ек!ромех!П15И)еск5$х систем с измен>!Сх!Ым коэфф!!!!$!е51!Ом О!1)а)кения и МЭМС;-фи)Итров. Тйк)ке рс'.!у,1ь!йты нснользо!Заны в совместных с ООО «1>!!зовые !ехно.!Огни» пр!!к.'$!1дных научных исс)!сдовщ1нях ПО теме «Рс!Зработк!1 рйдиочастотн01 0 »! икро >лект1ЗОмех:н1И'1сско! О 1)ерек.'ноча1ел5! смкостнОГО '1 ипа для примснениЙ В пе1)спек Гивных кОсмических системах>> и В учебн0$>! прощ.ссе ФП)О~' 130 «Московский йв$!й!1ионныЙ инсз 11 Г>~т 1г!а!)ио!!й~)ьный исс.'1сдоВйтельский университет)» нрн НОДГОТОВкс инженерОВ по специальности 210201 по дисциплине «Ин.)егральные устройства ряде!0)лектрон и ки) ь Пряктическу)о диссертационной работы; 1, Конструкции устройств космического назначения: )науч)!МОсть пх)с)от сл«ду)ощие рез'>»льтгггы си:10ВОГО '1!) П)знсто!)а с Вергикяле»ных! ')еггвором, Вклк>чя)0)ц«) 0 к!П1авки, покрыт1»1«ПОдгатворн1»)м )и).')«ктрпком толщиной 00 нм, Заполп«нные погп1крсмппем.

легирОВяппь)м ф«>с(~)01эом до предела раст)зоре)х)остп и 1»е!Зхн«)11) п)ол)пи)и из зп)оксида к!)ех)нпя )олщпноЙ 0»3-1»0 МКМ; зкраьпю-вакуумной изоляции КА, состоящей из МИКРОПРО~)ИПИР«>)1К!П)Н))! КРЕХ1НИЕВОИ ПОДЛОЖКИ, Т!.*ПЛОИЗО;)ЯЦПОПНЫХ КЯПЯБОК В КР«МПИИ И ))О.'1НИХ)Е)„')С» М«ТЯГ1.')И'!«СК))Х МИКРОПЛЯСТНП ДЛЯ СОЗДЯННЯ Вакуумного зазора В«.'шчпной ! 0-20 мкм и сферпчс«кнх спсйсеров Днах)«) ром 40 мк;,) Для «0)даппя многос;)Ойпой! Копс) рукцпе); !)!%-)!)Н))ьтра, состоящего пз сквозных металлизированных микроотверстий диаметром !50-250 мкм с фасками на входе и выходе микроо и!Срс Гий. '1'ехпо,)0! и и и ) ГОТОВ.)еш)я: Г) арам«тры спло))0)о ") р)п) н)с 1 оре) с Вер Гнкялы)ым затвором„экранноВакуумной ))3«>;п)ц)$)) К»> и ЯФ-фильтре).

сп.)ОБ010 ) 1>!П)зп«) Ора с Бе!т! Ик)ль»)ь) и Зя) Вором» с и«НО;)ьзоьани«)1 м«10;)ОБ «!)мосовм«!П«ния ! П1)зкоГекп)ер!Ггурныи нитрид кремния) и п«рскр«сп)ого совмещения в процессах фоголитографии; м икр«>«грук Гурно) ! ) Кр!Ип)«)-ваку~ мной изоляции КА уьсш)ченныхш Б 1,33 р:г)а ги)арптпымп р:!)К)«р:)хп) кристалла и повыш.иным В 1, 0 раз!) ХО)ф)!Н)))))сп) Ом за)1«>,'п)~ ппя по сравн!»ни)0 с 1)зв«с) ны)>)и !П.)Е)л«>) Е)МИ; «'!%-)!Пь)ы !>а с«> сквозш,)ми металлизированными МИК!)ООТВЕРС')'ПЯМИ В КРЕМНИЕВОЙ ПОДЕ)ОЖКЕ С ПОЛОЖИТЕЛЬНЫЛ1 КЛИНОМ трав))ения ня Входе и Выход«м))крО«т)'в«рс'1 ий За счет примен«»ния ПО.'1ИИМИДНО! О ПОКР1»ПНЯ В К)1»)ССТВЕ «С )ОП вЂ” С))$>)1». 3.

3;и;Оном '!)! Ос )1$ Бп!Янпя ) схнолО) пчсскпх ф;п»Доров ня 4. !'«»)сох!«»Ид)$$)нн по использовяни)О резуль)я.гов и Выводов !Еи!.'сер гации (Ч1ИГЯЕМ Пе;1«СОООр;)Зным ))р!),:1«)))жп) ь ряООТУ ПО сОВЕрш«пс!БОВЯЬ)И10 СИ:)ОВОГО ТР)П)>ИСТО!Х) С ВЕРТИКЕ1))ЬНЫМ ЗЯТВОРОМ, Х)ИКРОСТРУКТУРПОЙ мпо)-ослойной Зкр пшо-вакуумной изоляции КА и Я!%-фильтря со сквозными ъ!«тя.')))НЗир«>БЯ)п)ыхп! К)икрООтвер«>'гп>)ми» я ')якже метолое! Их О'ГРЯС)!И, НО И,'Ц)У1"ИХ ВЕ, ЮМСТВ, В К»И1ЕС"!'В! ЗЯМЕНЫ ИНОС ГРГЦ!НЫХ ЯНЯ!101'ОВ.

1 ЕЗ)сЛЬТВТЫ ИССЛЕдОВЯНИЙ Мс;Тодов форМИРОВЯПИ5! ООЪСМНЫХ микростру!»Гур могут быть использованы в деятельности научно- производственць)х и Г)р')хп,!ц!)!ен5!Ых цредп1зиятцй х!и!»р))з)!С)»трон!!Ки. 5. Общив З!)К!Ес)йцн)! 1, Озсутствук)т с!)с!емя!и !сск!! К!Етсчс!с!Иваси)ИИ В СКВОЗНЫ: Отйс СтИЯ данные по сопротивлению р х ЯК-филь)ров и влиянию СОПРО'Г!И)5!СПИ)! )с!»"'!'»1.)тц)ЗЙЦИ$! )ГЯ Г!с1РЯМЕТРЫ 11)ИЛЕГ!'РОВ.

2. В дцссср1яццси!ПОЙ ряоо!с использ)е!ся изоыточное коли»!Сство СО !СР»Ш)Е и И Й. При указа)п!Р1 ц!е!)К)ховсгГОсти с'!»)н01» СКВОзцых микр001!!Ярстий! Ы%' ФИЛЬТРОВ ОТС»С'"ГСТВУС Г»с'1»ЯЗ!Пп)Е ОЯЗОГ)ЫХ ДЛИН„ПЯ КОТОРЫХ П!)ОИСХОДИТ измер».ние. б, 3с!!»С)!Ос!ЕНИЕ 110 ИТО) ям рс!б)1) !Ь!»!1) КПО ЗВК.ИО'ППЬ, »110 Пос)с)В:!)ИНЫС цс.:!и И ЗядйЧИ ВЫ ПО'1НЕН Ы, *')ИСССРТЯЦ1ГЯ Я ВЛ)!ЕТС51 ЗЯКОН ЧЕН НОЙ Нс!»сс) 5!О-!»асяс!И(1)и)»ЯЦИОННО)! работой, ОснОВпыс рстуль1спы дисссргационпои работы д01»лядыВЯ)1ись и Оос))кла:!ись пй !» РоссиЙО1»их пс)У»п)0-тсхц)!с!Сс)»их и наУ'!но-ИРЯк1ических к))н)1)ере!Иц)ях. Осп))впос содср)кйние;)иссср!йции изложено в 9 нйу'1ных !)аоо!йх в наусп!О-Гсх!И)с!сс!»!!х )курп!1)!йх и !!))сз)с)х !»Он)~)е~)СИГ)5!Й, из них 2 СГ!т!Ьи — в рецензируемых журналах, входя)дих в перечень рекомендованных ВАК 1) !и!!Об)рнйуки России.

Г!о результатам работы полу гены 4 патента РФ. НОВЫЕ НЯ)'ЧПЫЕ РС !УГ!Ь ! ст) !»1, ПО '1Ъ '!ЕННЫС ДИССЕРтса)Г! ОМ„ИМЕ1ОТ сУЩес ! Венцое знсйс!с!!1!с,'15!5! сОз,*)сц)иЯ новых и совеРИ)енствовани51 11)ормировяни5!. Неооходимо дальнейшее снижение сопротив)!ения кйнала Силово~о .Грсанзист<)рс! Ия рйбочих нйпряжениях более 200 В, повыщецие прямого тока до 35 А цри !3р=200 В и до 50 А при ! )р=400 В. Для экранновакуумной изоляции рекомендуется проработка способа монтажа на различш..!е псрспск! Ивпыс малые !5.А.

1!ри внедрении в приборы Я%- 11)и,')ьГРЯ» )шт) Респо дй.'!ьпсйш»',с сн)!)!»е!И)е ьч10симых 11)ильтРО»! Г10ГСРь, а ГЯК)КЕ !)ЯЗ!)Ябот!»й ПОЛООИЫХ ) СТРОЙСТВ Нй »1.!010ПЛ 40 ГГц И ВЫ!ПС. Необходимо проведение комплскглп!к испьпаний устро!1с!в, в том ЧИСЛЕ Цй СГОЙКОСТЬ К ДЕСТЯОИЛИЗИР)'ЮЩИМ фсЗКТОРЯЫ КОСМИЧЕСКОГО простр!и!ствс), и косм!Гчсского зксперимептя. Разработанные устройства !!рсдс.гйвл)по! 00.)ы!!ОЙ Нпгс!)Сс пе !Олько для предприя~иЙ космической! С'>")ЦЕСТВ>'!ОШИХ )«С'Гро)1)С Гв !«!ИЦ)ОХ)СК'!'ронн)11) И !«П)крОСИСТЕМНО)1 ГЕХНИКГ), ВЫПОЛНЕННЫХ Па ОСНОВ).' ООЬЕМНЫХ К!И!СРОС!РУКТОР. ВЫВОДЫ И РЕ1«ОМСНДВЦИИ досгй!О~п)0 ооосновйны, 1! Нй;иных !р)т)!)х Ап)гр!)Вй А.Е..

Достйгонно по;!НО изложс)!ь! рез)'ль"ггг'1 ы с! 0 дисссрт«ц)г!ОннО>! Работы. АВТОрвфСрйТ ОТр«!)КВСТ ОСНОВЕ1Е«ГЕ Нй~««)НЫЕ ПОЛО>КЕНИя дИССЕрТйцИИ И подготовлен в соотвегс) вии с требованиями ВАК !зФ. Работа соответствует квалификационным требованиям Е1АК« г!редьявляем!я)>! к. ксц1ди;)йтским дисссрг')!)ия)«1, й ес йВтор э«!слу))оивает прис)>)кде)!Ня ск!>' у«!ен01! с1спе1)и 1)йндидйта техни«)еских н«)~к пО спец)!Вльности 05.~7.01 — «Твердотельн!)я электроника, радиоэлектронные компОнен'! ы, микрО " и пйпох!Сктро!)ик)1«г!риборы пй кван"говых эф!1)е!Ст«)х».

ДИССЕрт«)ция ЗВСЛ'«'Прйиа И ОбСГ>КдЕ!Г«) Нй 3«!СсдйНИИ ИНС!1!Т>с)Т) НВНО" И ыикросистся!!101! техники )>11«!"Э'1 !протокол М) 09 от «16» мйя 2018 г.), '.1Нре)«)ОР инсти гъ гв! НйпО- И МИКРОСИС! СМ!)О!! )ехн!!11)! Ч1г1Э!', д,т.)1., профессор С, !1. 1я!Моц)Сиков 1!рофсссор иисти юг«) пйно- и микросистсм) ни! 1ехники М!'!':>т, В.

В. Вал Рию д, т. и., доцс) и «!>«п«рв.шно«гос>.шрс~ в«н)~ос;н«гг>нопнос обрвз«>во гсньн«гс ':ров<в«ш>в высасго обрвзоввнпв «1!в>)н««>гвввнв>)! нос>гс >оопп«г«свой >ннвсрснзвз«мосс«>г>св)г)! ннс>нз)з звв)«гров>~«>!1 гввннвпв, !"-1-)ЯГК н Мосввв. г, )сосни>р;«и н>шшв.н Н!окнпв. юп 1 ..;, 11«>«> Вс)>)г)п)н«)11)рг«гол Ьпр: ', »вв«>,п> )с).гы' .