Сведения о ведущей организации (Методы управления фотоэлектрическими параметрами фоторезисторов на основе PbS для импульсных оптикоэлектронных систем)
Описание файла
Файл "Сведения о ведущей организации" внутри архива находится в папке "Методы управления фотоэлектрическими параметрами фоторезисторов на основе PbS для импульсных оптикоэлектронных систем". PDF-файл из архива "Методы управления фотоэлектрическими параметрами фоторезисторов на основе PbS для импульсных оптикоэлектронных систем", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "технические науки" из Аспирантура и докторантура, которые можно найти в файловом архиве НИУ «МЭИ» . Не смотря на прямую связь этого архива с НИУ «МЭИ» , его также можно найти и в других разделах. , а ещё этот архив представляет собой кандидатскую диссертацию, поэтому ещё представлен в разделе всех диссертаций на соискание учёной степени кандидата технических наук.
Просмотр PDF-файла онлайн
Текст из PDF
ПунктПолное наименованиеорганизацииСведения о ведущей организацииСокращенное наименованиеорганизацииМесто нахожденияПочтовый адресТелефонАдрес электронной почты;адрес официального сайтаорганизацииСписок основных публикацийработников ведущейорганизации(за последние 5 лет)ФГБОУ ВО Рязанский государственный радиотехническийуниверситетРФ, г. Рязань, ул. Гагарина, 59/1РФ, 390005, г. Рязань, ул.
Гагарина, 59/1(4912) 46-03-03Федеральное государственное бюджетноеобразовательное учреждение высшего образования"Рязанский государственный радиотехническийуниверситет"rgrtu@rsreu.ru1. Авачев А.П., Вихров С.П., Вишняков Н.В., Козюхин С.А.,Митрофанов К.В., Теруков Е.И. Фазовые переходы в тонкихпленках халькогенидов Ge2Sb2Te5 по данным комбинационногорассеяния света // Физика и техника полупроводников. 2012.
Т.46. № 5. С. 609-612.2. 2. Лазаренко П.И., Козюхин С.А., Шерченков А.А.,Литвинов В.Г., Ермачихин А.В., Нгуен Х.Ф., Редичев Е.Н.Электрофизические свойства аморфных пленок Ge2Sb2Te5,легированных Bi // Вестник Рязанского государственногорадиотехнического университета. 2013. № 4-3 (46). С. 83-87.3. Ермачихин А.В., Литвинов В.Г., Рыбин Н.Б., ВоробьевЮ.В. Исследование влияние висмута на шумовые свойствамикроструктур на основе соединения (Ge2Sb2Te5)1-XBiX //Вестник Рязанского государственного радиотехническогоуниверситета. 2014. № 50-2. С. 95-100.4. Авачев А.П., Авачева Т.Г., Вишняков Н.В., ВоробьевЮ.В., Гудзев В.В., Мальцев М.В., Рыбин Н.Б.
Исследованиесостава и толщины пленок Ge-Sb-Te с помощью рентгеновскогоанализа и атомно-силовой микроскопии // Вестник Рязанскогогосударственного радиотехнического университета. 2013. № 4-3(46). С. 79-82.5. Ушаков П.А., Батуркина Е.Ю. Моделированиенеупорядоченного полупроводника структуры GST225 //Интеллектуальные системы в производстве.
2013. № 2 (22). С.34-40.6. Холомина Т.А., Кострюков С.А., Литвинов В.Г.,Ермачихин А.В. Спектроскопия низкочастотных шумовполупроводниковых приборов // Датчики и системы. 2013. № 5(168). С. 15-21.7. Жигальский Г.П., Холомина Т.А. Избыточные шумы иглубокие уровни в детекторах ядерных частиц и ионизирующегоизлучения на основе GaAs // Радиотехника и электроника. 2015.Т. 60. № 6. С. 553-581..
