Неофициальный отзыв 7 (Методы управления фотоэлектрическими параметрами фоторезисторов на основе PbS для импульсных оптикоэлектронных систем)

Отзыв на автореферат диссертации Мирошникова Б.Н. «Методы управления фотоэлектрическими параметрами фоторезисторов на основе РЫ для импульсных оптикоэлектронных систем» представленный на соискание ученой степени кандидата технических наук по специальности 01.04.10 — физика полупроводников Несмотря на многолетние применение в оптоэлектронных устройствах фоторезисторов на основе РЫ проблема управления их параметрами в процессе изготовления окончательна не решена до сих пор. Поэтому тема диссертации является актуальной, а ее результаты — востребованными и интересными как с научной так и с технологической точки зрения. В процессе выполнения диссертации были получены новые научные и технологические результаты.

Например, был изучен физико-химический механизм управления параметрами фоточувствительного элемента на основе РЫ и влияние на него кислородсодержащих летучих соединений. Установлено, что эффекты изменения времени жизни свободных носителей зарядов в РЫ, определяющие время релаксации фотопроводимости при деградации фотоэлемента, связаны с образованием на поверхности кристаллов продуктов разложения гидролиза свинца РЬ(ОН)2. Основные результаты работы получены с использованием современного метрологического и исследовательского оборудования, такого как электронная и зондовая микроскопия, рентгенофотоэлектронная и Оже — спектроскопия, электронно-ионный микроскоп и др. Результаты диссертации имеют научную и практическую значимость.

Углублено понимание роли кислородсодержащих примесей в формировании параметров фоточувствительных элементов и роль ионов кислорода в формировании уровней прилепания электронов. Разработаны технологические рекомендации и режимы управления параметрами фотоэлектронов в процессе их изготовления. Заведующий кафедрой полупроводниковой электроники и наноэлектроники Федерального государственного бюджетного образовательного учреждения высшего образования «Воронежский государственный технический университет», Заслуженный деятель науки РФ, доктор физико-математических наук„ профессор Станислав Иванович Рембеза 39402б г.

Воронеж, Московский пр., 14 ФГБОУ ВО «ВГТУ» Тел. 2-43-7б-95 е-тай: чзтц-рре®та11.ги Результаты работы опубликованы в ведущих российских и зарубежных научных изданиях, а также неоднократно докладывались на международных и российских конференциях. Считаю, что по актуальности темы исследований„ новизне полученных результатов, их научной и практической ценности диссертация Мирошникова Бориса Николаевича «Методы управления фотоэлектрическими параметрами фоторезисторов на основе РЫ для импульсных оптикоэлектро нных систем» соответствует требованиям, предъявляемым ВАК при МОН РФ к диссертациям на соискание ученой степени кандидата технических наук по специальности 01.04.10— физика полупроводников, а ее автор заслуживает искомой степени.

.