Неофициальный отзыв 4 (Методы управления фотоэлектрическими параметрами фоторезисторов на основе PbS для импульсных оптикоэлектронных систем)
Описание файла
Файл "Неофициальный отзыв 4" внутри архива находится в папке "Методы управления фотоэлектрическими параметрами фоторезисторов на основе PbS для импульсных оптикоэлектронных систем". PDF-файл из архива "Методы управления фотоэлектрическими параметрами фоторезисторов на основе PbS для импульсных оптикоэлектронных систем", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "технические науки" из Аспирантура и докторантура, которые можно найти в файловом архиве НИУ «МЭИ» . Не смотря на прямую связь этого архива с НИУ «МЭИ» , его также можно найти и в других разделах. , а ещё этот архив представляет собой кандидатскую диссертацию, поэтому ещё представлен в разделе всех диссертаций на соискание учёной степени кандидата технических наук.
Просмотр PDF-файла онлайн
Текст из PDF
Отзывна автореферат диссертации Мирошникова Бориса Николаевича«Методы управления фотоэлектрическимипараметрами фоторезисторов на основе PbSдля импульсных оптикоэлектронныхсистем»,представленной на соискание ученой степени кандидата технических наук поспециальности 01.04.10 - Физика полупроводниковВажноеместофункциональньпмисредиполупроводниковь~свойствамипринадлежитматериаловсульфидамсметаллов.востребованньпмиФотоприемникинаоснове сульфида свинца известны более 50 лет, но и сегодня, несмотря на большоеразнообразие приборов, основанных на других полупроводниковыхсвоейактуальности.фоторезисторовРабота«Методысвинцаобнаруженияфотоэлектрическимина основе PbS для импульсных оптикоэлектронныхважнейшей задаче оптимизациисульфидауправленияматериалах, не теряютдляточечнь~и стабилизацииимпульснь~параметрамисистем» посвященапараметров фоторезисторовоптико-электронныхисточников инфракрасногосистем,излученияна основесозданныхмалой интенсивностидляи,безусловно, является актуальной.Автореферат диссертации и обширный перечень опубликованнь~изданиях, входящих в перечень ВАК, 8 статей в прочих изданиях)вывод, что автору удалось выполнитькоторогополученсформулированнойрезультатамицелыйрядHOBЬ~весьма обстоятельноенаучныхработ (7 статей впозволяют сделатьисследование,результатов,вполнев рамкахотвечающимавтором цели и поставленным задачам.
Наиболее важными научньпмидиссертационнойработы, обладающимсущественнойновизной,считаемследующие:- впервыераскрытфизико-химическиймеханизмуправленияосновнымипараметрами фоточувствительных элементов на основе PbS, заключающийся в регулированииконцентрациисвободныхносителейзарядапутемуправленияконцентрациейкислородосодержащих примесей;- впервые установлено, что эффекты изменения времени релаксации (времени жизнисвободных носителей заряда) при дегазации фоточувствительныхформированиемв материале(наповерхностикристаллитов)элементов связаны спродуктовразложениягидроокиси свинца;- впервыепоказано,чтопрималыхзначенияхчувствительность пропорциональна времени жизни носителей.временижизниносителейИсключительноважнымдостоинствомработысчитаемкомплексныйанализбольшого количества типов серийно вьшускаемых фоторезисторов.Несмотряна общее благоприятноевпечатление,по работе имеютсянекоторыезамечания.
В частности, техническое качество рисунка 5, стр 13, не позволяет судить охарактере изменения чувствительности,описываемом в тексте. Кроме того, считаем, что вавторефератевниманияуделенонедостаточноописаниютехнологииизготовленияисследуемых фоторезисторов.Однако указанные замечания не снижают научной значимости основных результатовработы.Полученныеэкспериментальныхрезультатыопираютсяна широкое использованиеметодов, что обеспечиваетсовременныхнадежность и обоснованностьосновныхположений и выводов работы.В целом,фоторезисторовудовлетворяетсоисканиедиссертация«Методыуправленияфотоэлектрическимина основе PbS для импульсных оптикоэлектронныхтребованиям,предъявляемымученой степени кандидатаФизика полупроводников,ВАК Минобрнаукитехническихпараметрамисистем» полностьюРФ к диссертациямнаук по специальностиа ее автор, МирошниковБорис Николаевич,01.04.10 заслуживаетприсуждения искомой ученой степени.Доктор физико-математическихнаук,Профессор кафедры микроэлектроникимош~:авСПБГЭТУ «ЛЭТИ»Кандидат физико-математическихАссистент кафедры микроэлектроникиСПБГЭТУ «ЛЭТИ»Санкт-ПетербургскийАлексеевич~~r--наук,Мараева Евгения Владимировнагосударственный электротехническийуниверситет «ЛЭТИ» им.В.И.
Ульянова (Ленина)телефон 234-31-64адрес: 197376, Санкт-Петербург, ул. проф. Попова,e-mail: \"amoshl1iko\Д.5а тai1.ГlIe-mail: jеl1\"mю·(lmаil.t.lIПодписи Мошникова В. А., Мараевой Е.В. удостоверяюНачальник отдела диссертационных советов, к.э.н.т.л. Русяеваt/?Vf/6'на.