Сведения об оппоненте (Повышение импульсно-частотных, тепловых и инжекционных характеристик биполярных кремниевых структур методом радиационно-термической обработки)
Описание файла
Файл "Сведения об оппоненте" внутри архива находится в папке "Повышение импульсно-частотных, тепловых и инжекционных характеристик биполярных кремниевых структур методом радиационно-термической обработки". PDF-файл из архива "Повышение импульсно-частотных, тепловых и инжекционных характеристик биполярных кремниевых структур методом радиационно-термической обработки", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "технические науки" из Аспирантура и докторантура, которые можно найти в файловом архиве НИУ «МЭИ» . Не смотря на прямую связь этого архива с НИУ «МЭИ» , его также можно найти и в других разделах. , а ещё этот архив представляет собой докторскую диссертацию, поэтому ещё представлен в разделе всех диссертаций на соискание учёной степени доктора технических наук.
Просмотр PDF-файла онлайн
Текст из PDF
ПунктФИОУченая степеньНаименование отрасли наукиНаучная специальностьПолное наименованиеорганизацииМесто нахожденияПочтовый адресТелефон организацииАдрес электронной почты;адрес официального сайтаорганизацииДолжностьСписок основных публикацийв реферируемых журналах (запоследние 5 лет)Сведения об официальном оппонентеГерасименко Николай НиколаевичДоктор наукФизико-математических05.27.01 Твердотельная электроника, радиоэлектронныекомпоненты, микро- и нано-электроника, приборы на квантовыхэффектахФедеральное государственное автономное образовательноеучреждение высшего образования «Национальныйисследовательский университет «Московский институтэлектронной техники»РФ, 124498, г.Москва, г. Зеленоград, ул. Шокина, д. 1РФ, 124498, г.Москва, г.
Зеленоград, ул. Шокина, д. 1+7 (499) 731-44-41netadm@miee.ruhttps://miet.ruПрофессор кафедры квантовой физики и наноэлектроники1. Герасименко Н.Н., Волоховский А.Д., Запорожан О.А. УЧЕТОСОБЕННОСТЕЙ ИЗМЕНЕНИЯ СВОЙСТВ МАТЕРИАЛАПРИ ОРГАНИЗАЦИИ ТЕХНОЛОГИИ КРЕМНИЕВЫХНАНОСТРУКТУР // Наноиндустрия. 2017. Т. 75. № 7. С. 84.2. Герасименко Н., Смирнов Д., Турьянский А.НОВЫЕ РЕНТГЕНОВСКИЕ ИЗМЕРИТЕЛЬНЫЕ СИСТЕМЫ СМИКРОФОКУСНЫМИ ИСТОЧНИКАМИ ДЛЯДИАГНОСТИКИ ТВЕРДОТЕЛЬНЫХ МИКРО- ИНАНОСТРУКТУР // Наноиндустрия. 2015. № 2 (56). С. 58-69.3.
Gerasimenko N.N., Smirnov D.I., Zaporozhan O.A., Medetov N.A.INFLUENCE OF SIZE EFFECTS ON THE RADIATIONSTABILITY OF NANOCRYSTALLINE MATERIALS //Semiconductors. 2014. Т. 48. № 13. С. 1751-1756.4. Gerasimenko N.N., Zaporozhan O.A., Smirnov D.I., MikhailovA.N., Kozlovskii V.V., Medetov N.A., Pavlov D.A., Bobrov A.I.STRUCTURE AND LUMINESCENCE OF SILICONIRRADIATED BY PROTONS // Inorganic Materials: AppliedResearch. 2014. Т. 5. № 2. С. 133-137..