Сведения об оппоненте 2 (Повышение импульсно-частотных, тепловых и инжекционных характеристик биполярных кремниевых структур методом радиационно-термической обработки)
Описание файла
Файл "Сведения об оппоненте 2" внутри архива находится в папке "Повышение импульсно-частотных, тепловых и инжекционных характеристик биполярных кремниевых структур методом радиационно-термической обработки". PDF-файл из архива "Повышение импульсно-частотных, тепловых и инжекционных характеристик биполярных кремниевых структур методом радиационно-термической обработки", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "технические науки" из Аспирантура и докторантура, которые можно найти в файловом архиве НИУ «МЭИ» . Не смотря на прямую связь этого архива с НИУ «МЭИ» , его также можно найти и в других разделах. , а ещё этот архив представляет собой докторскую диссертацию, поэтому ещё представлен в разделе всех диссертаций на соискание учёной степени доктора технических наук.
Просмотр PDF-файла онлайн
Текст из PDF
ПунктФИОУченая степеньНаименование отрасли наукиНаучная специальностьПолное наименованиеорганизацииМесто нахожденияПочтовый адресТелефон организацииАдрес электронной почты;адрес официального сайтаорганизацииДолжностьСписок основных публикацийв реферируемых журналах (запоследние 5 лет)Сведения об официальном оппонентеМасловский Владимир МихайловичДоктор наукФизико-математических05.27.01 Твердотельная электроника, радиоэлектронныекомпоненты, микро- и нано-электроника, приборы на квантовыхэффектахФедеральное государственное автономное образовательноеучреждение высшего образования «Московский физикотехнический институт (государственный университет)»РФ, 141701, Московская область, г. Долгопрудный,Институтский переулок, д.9.РФ, 141701, Московская область, г.
Долгопрудный,Институтский переулок, д.9.+7 (495) 408‒45‒54info@phystech.edu; info@mipt.ruhttps://mipt.ruПрофессор кафедры микро- и наноэлектроники1. Andreev, V.V., Bondarenko, G.G., Maslovsky, V.M., Stolyarov,A.A., Andreev, D.V. Modification and reduction of defects in thingate dielectric of MIS devices by injection-thermal and irradiationtreatments // 2015 Physica Status Solidi (C) Current Topics in SolidState Physics 12 (1-2), с. 126-1302. Andreev, V.V., Bondarenko, G.G., Maslovsky, V.M., Stolyarov,A.A. Modification of MOS devices by high-field electron injectionand arc plasma jet treatment // 2015 Acta Physica Polonica A 128 (5),с.
887-8903. Andreev, V.V., Bondarenko, G.G., Maslovsky, V.M., Stolyarov,A.A., Andreev, D.V. Control current stress technique for theinvestigation of gate dielectrics of MIS devices // 2015 Physica StatusSolidi (C) Current Topics in Solid State Physics 12 (3), с. 299-3034. Андреев В., Масловский В., Сафонов А., Столяров А.МОДИФИКАЦИЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПЛЕНОК МДППРИБОРОВ // Электроника: Наука, технология, бизнес. 2014. №137. С.
169-176..