Неофициальный отзыв (Повышение импульсно-частотных, тепловых и инжекционных характеристик биполярных кремниевых структур методом радиационно-термической обработки)

отзыв на автореферат диссертации Лагова Петра Борисовича на тему «Повышение импульсно-частотных, тепловых и инжекционных характеристик биполярных кремниевых структур методом радиационно-термической обработки», представленной на соискание ученой степени доктора технических наук по специальности 05.27.01 — «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах» Современное развитие электронной промышленности характеризуется устойчивой тенденцией к расширению классов выпускаемых полупроводниковых приборов и отличается многообразием их типов и направлений применения. Как следствие, производство и объем продаж приборов неуклонно возрастают, а их конструкции и технология изготовления продолжают развиваться.

В условиях жесткой конкурентной борьбы за достижение мирового уровня качества продукции отечественной электронной промышленности и замещения зарубежных аналогов возникает существенная потребность в оптимизации параметров полупроводниковых приборов на всех этапах их разработки и производства. Указанная ситуация приводит к необходимости поиска новых и модификации уже существующих методов создания перспективных технологических операций и процессов, позволяющих изготавливать полупроводниковые приборы, отвечающие современным требованиям, что невозможно без глубокого понимания физических процессов, протекающих в них, и детального анализа их конструктивных особенностей.

С учетом изложенного, актуальность темы диссертации Лагова П.Б., направленной на решение проблемы улучшения комплекса электрических параметров и повышения радиационной стойкости биполярных полупроводниковых структур методом радиационно-термической обработки, не вызывает сомнений. Автором изучены и критически проанализированы известные физические процессы, происходящие в кремниевых структурах при воздействии различных видов излучений, и их влияние на время жизни неосновных носителей заряда в активных областях указанных структур, Как следствие, корректно обоснована необходимость поиска и проработки вариантов радиационно-термической обработки структур для обеспечения локального и термически устойчивого контролируемого изменения физических свойств кремния по глубине структуры.

Это, в итоге, определяет новый, современный взгляд на проблему улучшения динамических электрических характеристик полупроводниковых структур путем «управляемого» варьирования инжекционными и рекомбинационными процессами с использованием на этапах изготовления структур метода радиационно-термической обработки, что, безусловно, вызывает интерес специалистов в данной области исследований. Из основных научных результатов, полученных автором, следует отметить: результаты имитационного моделирования процесса имплантации высокоэнергетических ионов в активные области кремниевых структур различных типов для локальной модификации физических свойств полупроводникового материала; достигнутую оптимизацию режимов радиационно-термической обработки, обеспечивающую улучшение динамических и частотных параметров биполярных диодных, транзисторных и фототранзисторных структур различных типов; закономерности изменения основных электрических параметров биполярных и биполярно-полевых приборов различных классов при их технологической радиационной обработке на ускорителях электронов и ионов.

Достовериость результатов исследований обусловлена корректностью применяемых автором методов математического моделирования для расчетных оценок параметров режимов радиационно-термической обработки, использованием сертифицированного промышленного технологического оборудования для получения образцов полупроводниковых структур, высокоточного измерительного оборудования для количественных оценок их параметров и характеристик, а также уровнем публикаций автора. В качестве ирактической реализации результатов исследований следует выделить применение разработанных автором вариантов режимов радиационно- термической обработки на различных этапах технологического процесса изготовления кремниевых биполярных и биполярно-полевых приборов различного функционального назначения, что подтверждается значительным количеством актов о внедрении результатов исследований на предприятиях электронной промышленности и патентами Российской Федерации.

Вместе с тем автореферат диссертации не лишен некоторых недостатков, из которых необходимо отметить следующие: 1. Из автореферата (стр. 12) непонятно, почему для транзистора 2Т9138 не проводилось моделирование воздействия ускоренных ионов. Для этого же транзистора отсутствуют и экспериментальные результаты, иллюстрирующие особенности воздействия радиационно-термической обработки, в отличие, например, от других типов транзисторов. Какая целесообразность его «отдельного» упоминания в автореферате? 2.

В автореферате (глава 4) отсутствует упоминание конкретных типов полупроводниковых кремниевых диодов (как силовых сварочных, так и силовых планарных). Кроме того, не приводится экспериментальное подтверждение изменения характеристик планарных диодов после радиационно-термической обработки. 2 Начальник лаборатории ФАУ «ГНИИИ ПТЗИ ФСТЭК России», доктор технических наук, доиент « ~~»января 2018 г. Мещеряков Сергей Александрович По пусь Ме е якова С.А.

заве яю. Ученый секретарь ФАУ «ГНИИИ ПТЗИ ФСТЭК России», . кандидат технических наук, старший научный сотрудник:: .' ' Паринов Игорь Васильевич «ЙГ» января 2018 г. Федеральное автономное учреждение «Государственный научно-исследовательский испытательный институт проблем технической затциты информации Федеральной службы по техническому и экспортному контролю» (ФАУ «ГНИИИ ПТЗИ ФСТЭК России») Почтовый адрес: 394030, г.

Воронеж, ул. Студенческая, д. 36 Тел.: (473) 257-92-58 е-пта11: йпшДаТя1ес.ги 3. В тексте автореферата присутствует ряд стилистических неточностей и опечаток, Отмеченные недостатки несколько снижают обоснованность приведенных в автореферате результатов и общее впечатление от работы, однако не влияют на ее положительную оценку в целом. Судя по автореферату, диссертация Лагова П.Б. представляет собой законченную научно-квалификационную работу„имеющую существенное значение для совершенствования функциональных и эксплуатационных характеристик полупроводниковых приборов, и соответствует критериям, установленным «Положением о присуждении ученых степеней» для диссертаций на соискание ученой степени доктора наук, а ее автор — Лагов Петр Борисович заслуживает присуждения ученой степени доктора технических наук по специальности 05.27.01 — «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах». .