Неофициальный отзыв 4 (Повышение импульсно-частотных, тепловых и инжекционных характеристик биполярных кремниевых структур методом радиационно-термической обработки)

Общероссийская общественная организация ЛКЛДЕМИЯ ИНЖЕНЕРНЫХ НЛУК имени А.МХ!рохорова ОТЗЫВ на автореферат диссертации Лагова Петра Борисовича «Повышение импульсно-частотных, тепловых и инжекционных характеристик биполярных кремниевых структур методом радиационно-термической обработки», представленную Диссертационному совету Д 212.157.06 при ФГБОУ ВО «НИУ «МЭИ» на соискание ученой степени докгора технических наук по специальности 05.27.01 -- «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах» Одним из эффективных способов корректировки «улучшения) характеристик полупроводниковых приборов и изделий электронной техники является радиационная технология, при реализации которой используется радиационное воздействие на полупроводниковые структуры и последующий стабилизирующий отжиг.

В результате так называемого «радиационного дефектообразования» (например, смещения атомов из узлов кристаллической решетки), под воздействием облучения и последующего отжига нестабильных повреждений, в приборных структурах формируются термически стабильные центры рекомбинации с локальными уровнями энергии в запрещенной зоне полупроводника. Физически обоснованный выбор режимов облучения и стабилизирующего отжига позволяет с очень высокой точностью управлять электрическими параметрами приборных структур на завершающей стадии технологического цикла их формирования. Наиболее широко возможности такого «управления» могут быть реализованы с применением современных ускорителей заряженных частиц — электронов и ионов, характеризующихся высокой стабильностью и надежностью контроля параметров пучка частиц.

Применение радиационных технологий ~особенно — с использованием ускорителей высокоэнергетичных ионов) в микроэлектронике позволяет в полной мере реализовывать потенциальные возможности, заложенные как в известных, так и в только разрабатываемых конструкциях полупроводниковых структур. В связи с этим проведенные автором диссертации исследования. безусловно, актуальньь и ~оз~олил~ ~оду~и~~ результаты, характеризующиеся достаточной степенью научной новизны. Важным достоинством работы является то, что в ней на примерах различных приборных объектов, существенно отличающихся по структуре„физическим принципам работы и функциональному назначению, показана эффективность применения радиационных методов регулирования времени жизни неосновных носителей заряда и повышения их эксплуатационных характеристик, связанных с переходными процессами.

Целенаправленное управление динамикой переходных процессов в кремниевых структурах позволяет резко сократить паразитные динамические потери мощности при переключении (следовательно, снизить разогрев и амплитуду циклических колебаний температуры кристалла при работе на заданной частоте), тем самым — улучшить тепловые характеристики полупроводниковых структур (в особенности силовых) и повысить их энергоэффективность. Биполярные полупроводниковые приборы с оптимизированным распределением времени жизни по глубине структуры также могут надежно работать при болыпих плотностях тока (т.е.

— при более высоких уровнях инжекции). В связи с этим можно говорить о повышении инжекционных характеристик. Кроме того, из проведенного теоретического анализа и полученных экспериментальных результатов следует, что применение контролируемого регулирования времени жизни также может быть эффективно использовано для повышения радиационной стойкости биполярных и полевых приборов и микросхем (например, к воздействию тяжелых заряженных частиц космического пространства, в основе негативного влияния которых лежат переходные процессы, обусловленные ионизационными эффектами).

Практическая значимость работы также подтверждается внедрением полученных результатов на ряде предприятий электронной промышленности при производстве полупроводниковых приборов различного функционального назначения. Все вышеизложенное положительно характеризует определенную инженерно- технологическую направленность и актуальность диссертационной работы П,Б. Лагова. Но на этом фоне хотелось бы получить информацию о том, в каких разумных пределах в работе использованы достижения современной физики полупроводников (включая важные проблемы соответствующей метрологии) и какой конкретный вклад в эту область науки и техники вносит рецензируемая работа.

Сразу о~оворюс~: данный вопрос не снижает общей положительной оцен~и работы, но позволяет представить реальные перспективы ее продолжения. Диссертационная работа полностью соответствует критериям, изложенным в п.п. 9-14 «Положения о присуждении ученых степеней», угвержденного Постановлением Правительства РФ от 24 сентября 2013 г. № 842, которым должны отвечать диссертации на соискание ученых степеней доктора технических наук, а автор диссертационной работы Лагов Петр Борисович заслуживает присуждения ученой степени доктора технических наук по специальности 05.27,01 «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах» Член Президиума Академии инженерных наук (АИН) им. А.М.

Прохорова, руководитель Научного отделения. Д.т н. ' ').'"".'' / ' Прохоцкий Юрий Михайлович Общероссийская общественная организация «Академия инженерных наук им. лауреата Нобелевской премии А,М. Прохорова» (АИН им. А.М. Прохорова), 123557, Москва, ул. Пресненский вал, 17: Тел.!факс: +7!499) 702 — 83 — 79 е-!т!а!1: »1Ы'.а':!йЫ,гй или 5 !!1!1 ~3'!!'!19!!1.г!1 Подпись Прохоцкого Юрия Михайловича заверяю Исполнительный директор АИН им. А.М, Прохорова, Действительный член АИН, к.ф.-м.н. » февраля 2018 г.

.