Неофициальный отзыв 3 (Повышение импульсно-частотных, тепловых и инжекционных характеристик биполярных кремниевых структур методом радиационно-термической обработки)

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РФ Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ» 111250, г. Москва, ул. Красноказарменная, д. 14 (НИЛУ МИФИ) Ученому секретарю диссертационного совета Д 212.157.06 О.Б. Сарач Каширское шоссе, дд!, г.

Москва, 115409 Тел. (495) 524 Гзт-бб, факс (495) 324-21-11 1игр:диеттл аерЫ. гн На№ от ОТЗЫВ на автореферат диссертации Лагова Петра Борисовича на тему «Повышение импульсно-частотных, тепловых и инжекционных характеристик биполярных кремниевых структур методом радиационно-термической обработки», представленную на соискание ученой степени доктора технических наук по специальности 05.27.01 — «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано- электроника, приборы на квантовых эффектах» В настоящее время широкое развитие получили радиационно-пучковые технологии (РПТ), интерес к которым обусловлен тем, что их применение в науке и технике вместо традиционных методов (термообработка, закалка в различных растворах и т.п.) менее энергозатратно, повышает эффективность производства„исключает экологически вредные последствия, а в ряде случаев позволяют получать такие структурнофазовые состояния материалов, которые при традиционных методах воздействия не могут быть реализованы.

Например, за рубежом это — синтез и производство различных материалов, в частности, для электроники и фотоники, керамик, композитов, металлов и сплавов с особыми физическими свойствами. В России рассматривают производство материалов для нано- и микроэлектроники, тех жс композитов и нанокерамик, катализаторов, мембран, материалов с заданными свойствами и т.д.

Интенсивно развивающиеся в последние годы 1'1 1Т основаны на результатах исследования взаимодействия ионов, электронов, атомов, плазмы, лазерного и гамма-излучения с твердым телом. Радиационные эффекты при воздействии рассмотренных видов излучений и ускоренных частиц связаны с процессами рассеяния энергии в результате их взаимодействия с атомами и электронами твердого тела. При увеличении плотности потока энергии ускоренных частиц или излучений меняется характер воздействия на твердое тело, которое утрачивает чисто радиационный механизм и может приобретать преимущественно термическую природу.

В связи с этим тематика диссертационной работы, посвященной развитию научно-технических основ совершенствования биполярных и биполярно- полевых кремниевых приборов, повышению их функциональных и эксплуатационных характеристик с применением радиационно-термических обработок на ускорителях заряженных частиц является актуальной для улучшения качества продукции целого сегмента электронной промьппленности, которая в ряде случаев может превысить мировой уровень и осуществить реальное импортозамещение. Новизна работы заключатся в том, что в ней впервые доказано, что имплантация ускоренных ионов бора или углерода позволяет осуществлять локальное регулирование времени жизни неосновных носителей заряда в активных областях кремниевых биполярных структур, и это характеризуется меньшим ионизационным структурным повреждением диоксида кремния в системе «диоксид кремния — кремний» при сопоставимых концентрациях первичных вакансий в конце пробега имплантируемых ионов, и может быть использована как средство повышения быстродействия структур мощных полевых транзисторов.

Впервые установлены закономерности изменения основных электрических параметров биполярных и биполярно-полевых приборов различных классов при технологической радиационной обработке на ускорителях электронов и ионов и последующем стабилизирующем отжиге. Предложен новый способ протонной обработки полупроводниковых структур, сочетающий преимущества обработки электронами и протонами и позволяющий реализовать как локальное, так и равномерное формирование центров рекомбинации в активных областях биполярных структур. Практическая значимость работы определяется тем, что разработанные режимы радиационно-термической обработки используются и планируются использовать при серийном изготовлении импульсных быстродействующих диодов, биполярных транзисторов с повышенным быстродействием, кристаллов для быстродействующих кремниевых прп- и рпр-транзисторов с улучшенными временными параметрами, силовых сварочных диодов с мягким восстановлением и повышенным быстродействием; для совершенствования биполярных структур — фототранзисторов в составе оптопар, стабилитронов, быстродействующих диодов и т.п., что подтверждено актами о внедрении в АО «ГЗ «Пульсар», АО «Ангстрем», АО «Оптрон», ИФХЭ РАН, НИЦ «Курчатовский институт»-ИТЭФ (г.

Москва), АО «ФЗМТ» (г. Фрязино), АО «Арсенал «КрЗПП» (г. Краснознаменск), ЗАО «Протон-Электротекс» (г. Орел)„а также 5 ноу-хау и 3 патентами РФ. Обоснованность и достоверность полученных автором результатов и выводов диссертационной работы не вызывает сомнений, что обусловлено использованием для экспериментальных исследований высококачественных образцов полупроводниковых приборных структур, изготовленных в производственных условиях на высокотехнологичном оборудовании предприятий электронной промышленности; применением высокоточного измерительного оборудования предприятий электронной промышленности для измерения электрических параметров и характеристик полупроводниковых структур; применением уникального ускорительного оборудования ~и оборудования контроля дозиметрии пучка) ведущих Российских научных организаций в области радиационных технологий и ускорительной техники; непротиворечмем полученных результатов с данными аналогичных научных работ, полученными другими исследовательскими группами.

Автореферат диссертационной работы Лагова П.Б. оформлен в соответствии с требованиями ВАК, написан технически грамотным русским языком. Основные результаты, полученные соискателем, опубликованы в 95 научных работах, в том числе 30 статей — в ведущих научных журналах из перечня ВАК и входящих в базы данных Профессор кафедры «Физические проблемы материаловедения» Института ядерной физики и технологий Национального исследовательского ядерного университета «МИФИ», д.ф-м.н., профессор ,Г Е ~., г1' Чернов Иван Ильич Адрес: 115409, г.

Москва, Каширское ш.„д. 31 Тел.: +7 (495) 788-56-99, доб.92-72 Факс: +7 (495) 324-31-65 Е-ша11: 1 сЬегпоч®та11.ги 1 г0длвсь чдо~ '"Все. »ООь ез ч'! ния«м.; ~~ =т. ~'г2- Ж'Ы8~'~с4'-'Й'Ф-" ~ ~~~Мс.Д ~" ~у аФ %еЬ оГ Яс)епсе и Ясорпз, 3 патента на изобретение. 5 ноу-хау, апробированы на 22 российских и международных конференциях. В качестве замечаний по автореферату следует отметить следующее.

1). Проведенные исследования можно было бы усилить изучением скрытых рекомбинационных слоев и!или дефектов кристаллической структуры методами высокоразрешающей электронной микроскопии. 2). При облучении приборных структур ускоренными электронами на воздухе возможно протекание радиационно-химических реакций на их поверхности, приводящих к деградационным процессам в слоях металлизации и других функциональных слоях.

О возможности протекания таких процессов не упоминается. 3). К сожалению, автореферат не лишен некоторых стилистических и орфографических неточностей. На стр. 23 автореферата ошибочно пронумерован рисунок 35 (должен быть рисунок 11 и коррекция последующей нумерации), а на стр. 33 — Таблица 1 (должна быть таблица 15). Указанные замечания не снижают ценность полученных результатов. Диссертационная работа полностью соответствует критериям, которым должны отвечать диссертации на соискание ученых степеней согласно п. 9 «Положения о присуждении ученых степеней», утвержденном постановлением Правительства РФ (№842 от 24 сентября 2013 г.), а ее автор Лагов Петр Борисович заслуживает присуждения ученой степени доктора технических наук по специальности 05.27.01 — «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано- электроника, приборы на квантовых эффектах».

.