Стенограмма (Научно-методические и физико-технологические принципы создания оптоэлектронных устройств нового поколения на модифицированных наноструктурах)

СТЕНОГРАММА Председательствующий — председатель диссертационного совета д.т.н., профессор Марин В.П. Ученый секретарь д.т.н., доцент Замуруев С.Н. Состав совета утвержден в количестве 22 человек. На заседании присутствует 15 членов совета: ~ 05,02.22- тех д,т.н. д.т.н. 05.02.22 — те 1 заседания диссертационного совета Д 212.131.04 при Федеральном государственном бюджетном образовательном учреждении высшего образования «Московский государственный университет информационных технологий, радиотехники и электроники» от 22 октября 2015 г., протокол № 18~2015 по защите диссертации Жу1авлевой Л.М. «Научно-методические и физико-технологические принципы создания оптоэлектронных устройств нового поколения на модифицированных наноструктурах», представленной на соискание ученой степени доктора технических наук по слециальности 05.02.22 «Организация производства 1в области радиоэлектроники)» в том числе семь докторов наук по профилю рассматриваемой диссертации.

На заседании диссертационного совета отсутствуют: : :Председатель: ! Уважаемые члены ученого совета, официальные оппоненты и гости ! Разрешите открьпь заседание ученого совета. Приступаем к первому, вопросу повестки дня. Это зашита диссертации доцентом кафедры ! «Автоматика, телемеханика и связь на железнодорожном транспорте». Это Московский государственный университет путей сообщения МГУ ПС МИИТ. Журавлева Любовь Михайловна. Тема, диссертации «Научно-методнческие и физико-технологические ! принципы создания оптоэлектронных устройств нового поколения на ' модифицированных наноструктурах», представленной на соискание '.

ученой степени доктора технических наук по специальности 05.02.22 ~ Организация производства в области радиоэлектроники. ! ~ Официальные оппоненты: Першенков Вячеслав Сергеевич, доктор ! технических наук, профессор, заведующий кафедрой «Микро- н ! наноэлектроника» Московского инженерно-физического института НИЯУ «МИФИ», Портнов Эдуард Львович, доктор технических наук, профессор, заведующий кафедрой «Направляющие телекоммуникационные среды» Московского технического ~ университета связи и информатики МТУСИ; Безродный Борис, Федорович, доктор технических наук, профессор, главный инженер ! «Проектно-конструкторско-технологического бюро ! железнодорожной автоматикни и телемеханики», На защите: присутствуют: Вячеслав Сергеевич Першенков, Эдуард Львович По тнов.

Я хотел бы только сказать, что Без дный Бо ис Федо вич Присутствуют: официальный оппонент, доктор технических наук, профессор Першенков В.С. официальный оппонент, доктор технических наук, профессор Портнов Э,Л. Отсутствует: официальный оппонент, доктор технических наук, профессор Безродный Б.Ф.

~ отсутствует по болезни. Ведущая организация: Владимирский ~ ~государственный университет имени Александра Григорьевича и ~ Николая Григорьевича Столетовых город Владимир. Кворум имеется: ~ присутствуют 15 докторов технических наук, из них 7 докторов по ~ специальности 05.02.22. Слово для оглашения данных о соискателе и ~ документах, имеющихся в деле, предоставляется ученому секретарю ~ Замуруеву Сергею Николаевичу. Уважаемые коллеги! Журавлева Любовь Михайловна родилась ~ в 1950году в городе Москва, постоянно проживает в Москве. В 1973 году закончила с отличием Московский институт инженеров железнодорожного транспорта, факультет «Автоматика, телемеханика и вычислительная техника» по специализации «Радиосвязь».

В том же году поступила в очную аспирантуру ' МИИТа В 1977 году защитила кандидатскую диссертацию по ~ специальности «Элементы н технические средства управления и ~ регулирования» на тему «Исследование эффективности управления,: горочным н маневровым процессами на железнодорожном ~ ~ транспорте беспроводными средствами». С 197б года работала на ~ кафедре «Радиотехника и электросвязь» МИИТа в должностях младшего научного сотрудника, ассистента, старшего преподавателя. ~ С апреля 1984 по февраль 2014 работала в должности доцента ~ кафедры «Радиотехника и электросвязь» МИИТа.

Звание доцента получила в июне 1988 года. С февраля 2014 года н по настоящее время работает доцентом на кафедре «Автоматика, телемеханика н связь на железнодорожном транспорте» МИИТа. Так, в деле имеются отзывы оппонентов, Безродный Б.Ф. отсутствует, отзыв его ~ в наличии. Отзьвы положительные. По рассылке получено 10 ~ отзывов, все отзывы, тоже самое, положительные. Все необходимые ,' материалы в диссертационном деле имеются.

Согласно новым ~ правилам было сделано все по образцу материалов из сети-интернет. ~ осы, Готов ответить. Слово для доклада предоставляется соискателю, ~ основные положения и результаты работы. Любовь | старайтесь уложиться в 30 минут. ионные положения диссертаиионной работы 1Текст доклада прилагается) алимир Петрович? Пожалуйста, у меня просьба, прежде всего, ко всем членам совета, вдавать кон ~е во ы.

, Прас дв ы КоржавыйА.П.: Любовь Михайловна, у меня один вопрос. С какой целью Вы 1 привели в своем докладе слайд номер 97 ~ Саатв~на ам~рту ~~ц . Э ЧК~~~~ж " Ф~Р ~ 1 представления диссертации, обязательно включать этот пункт. Именно выделять те пункты из паспорта, которые непосредственно ~ ~ Журавлева Л.М.: мирования наноструктур, основных принципов ! о аления.

прин Я не это спрашиваю. До каких проектных норм Вы дошли. Есть микроэлектроника со 130нм, лучше нет. ) Дорошевич ~ Журавлева Л.М.: Мы дошли до 10нм +— , Журавлева Л.М.: ' 10нм — это норма, которая внедряется е настоящее время в массовое производство, л орошевич К.К.: Второй вопрос: какая у Вас доказательная база по материалам, по~ структурам и устройствам? Вы все говорили в отношении ~ моделирования. Это доказательная база. До реальных структур ~ опускались, рассматривали? ~ Журавлева Л.М.: В реальности изотопическне наиоструктуры — зто такие структуры, которые только исследуются, изготавливаются в лабораторных ~ условиях. В промышленных масштабах пока еще они не запущены в ~ производство.

Поэтому я пользовалась экспериментальными ,' данными, которые получены в лабораторных условиях. ~ Дорошевич К.К.: По материалам и структурам? По материалам н структурам, Количество слоев, размеры слоев, ~ материалы, сочетание коэффициентов преломления. В то же ~ время основные результаты получены именно на основании физикоматематического моделирования. Журавлева Л.М ; ДорошевичК.К.: ., Теоретически прорабатывали, какие физические процессы могут бытьем ~~ Дорошевич ментально что-то было? Муровою~Я.йт. ТЭ«р ыеити ли ы то~были.

огически кбазовые элементы», возможно, здесь б ~ло ~ пересечение понятий. ~Журя ~ Дорош ! ункциональный материал? Есть материал кремний, галл арсений. ~ Журавлева Л,М 'Д КК е функционального материал представляется эта многослойная структура в виде изотопической ~ с верх решетки. , У Вас в основных положениях (слайд 5) есть новый способ 1 получения графена. Скажите, пожалуйста, новый способ чем ~ отличается от существующих? Новый способ запатентован или нет? ~~ Способности оптоэлектронных устройств на графене и по каким ! параметрам? С иГю, л ю алрос. Ч лпютс* грпюж Спч и ~е ~ лаборатории в мире как раз борются, чтобы создать„сформировать ~ технологию промышленного производства графена, в том числе ~ полупроводникового графена.

Существует несколько способов получения полупроводникового графена. Это механическое растяжение, химические способы. Все они мало пригодны лля ~ массового производства графена. Я предложила способ ~ изготовления полупроводникового графена, который запатентован ' (получен патент на этот способ) с помощью изменения, изогопического состава, т.е. изменения внутренней структуры ~ графена, За счет этого изменяется фонон-электронное ! взаимодействие и открывается запрещенная зона графена.

Так как ~ метод облучения тепловыми нейтронами, реакция нейтронного ~ трансмугационного легирования достаточно широко использовалась,:' и используется в микроэлектронике, в частности и в России, считаю " этот способ более перспективным с точки зрения промышленного ~ производства полупроводникового графена. Графен, как известно, ~ оче в ие оееююиый ю иел оп ел юйюипи, лют~ весло ют Журавлева Л.М йт в~и ~кроа. Сюлапе. и юуйюл блию терминологии, Вы пользовапнсь.

Есть функциональный материал,' и т.д. Это по стандарту ближе к оптоэлектронике? Но таких , стандартов нет, есть стандарты по микроэлектронике. К какому ' берегу ближеу чисто по оптоэлектронике„или нет? г — — — т счет того, что это — олноатомарный слой углерода.

Поэтому, быстродействие, скорость носителей заряда всего лишь в ЗОО раз ~ меньше скорости света. Поэтому использование графена позволит ~ сделать огромный прорыв в быстродействии оптоэлектронных ~ устройств, транзисторов и других систем, и естественно, повысится ~ конкурентоспособность продукции именно за счет быстродействи Откройте, пожалуйста, 22 слайд в технике эксперимента.

Будьте любезны, на какую глубину проникают тепловые нейтроны, чтоб образовать наноструктуры? ~ Попо Р.А Журавлева Л.М.: Спасибо, я поняла вопрос. Глубина проникновения нейтронов ' зависит от материала. В данном случае лля кремния — это ~ достаточно большая глубина, может измеряться метрами. Все ~ ! зависит от выбранного параметра сечения поглощения. Такая ~ глубина проникновения показывает, что в нанометровом размере мы обеспечим очень хорошую, высокую равномерность распределения тяжелых изотопов. Сама кривая распределения 1 тяжелых изотопов — экспонента. Поэтому когда размеры маленькие, ~ мы практически обеспечим очень высокую степень равномерности. ый Вы зд испол о и разом у Вас эти структуры ~ али: спектрометрнчески или тонов? 1 Спасибо за вопрос, я поняла.

Параметры потока тепловых нейтронов ~ рассчитываются, исходя из одной из главных зависимостей ~слайд, 2!), Это зависимость определяет величину интегрального потока ' нейтронов для кремния, и в зависимости от заданной концентрации кремния- 28, вернее 29, рассчитывался интегральный поток нейтронов.

Он зависит от интенсивности потока и времени облучения. Это зависит от того, на сколько мы должны поднять коэффициент преломления. Если мы поднимем„например, увеличим концентрацию на 10 в минус четвертой степени, ' концентрацию 29 изотопа, то коэффициент преломления, т.е. ~ уплотнение этого слоя уже позволит создать волоконно-оптическую ~ систему, вернее оптоволокно, т.е.

коэффициент преломления, разница коэффициентов преломления будет достаточной для того, чтобы сает распространялся по такому волноводу. 4 Попо Р.А ! ~ Журавлева ЛМ ~ Длина зависит от назначения, оптическое волокно может ~ использоваться для формирования оптических фильтров, оптических ', кабелей и др., оптических модуляторов. Все зависит от назначения.