Стенограмма (1090144), страница 5
Текст из файла (страница 5)
На заседании 22Л0.201 5г. диссертационный совет принял рещение присудить Журавлевой Л.М. ученую степень доктора технических наук. При проведении тайного голосования диссертационный совет в количестве 15 человек, из них 7 докторов наук по специальности рассматриваемой диссертации, участвовавших в заседании, проголосовали: за 14, против 1, недействительных бюллетеней Марин В.П. Замуруев С.Н.. Текст доклада на защите докторской диссертации «Научно-методические и физико- технологические принципы создания оптоэлектронных устройств нового поколения на модифицированных наноструктурах» Журавлевой Л.М.
на заседании диссертационного совета Д212.131.04 при МИРЗА 22.10.2015г. Уважаемые члены научного совета, официальные оппоненты работы и гости.' Вашему вниманию представляется докторская диссертация на тему: «Научно-методические и физико-технологические принципы создания оптоэлектронных устройств нового поколения на модифицированных наноструктурах» (слайд 1). Диссертация посвящена актуальной теме разработке и реализации важнейших направлений развития оптоэлектроники, в том числе волоконнооптических систем передачи информации, которые значительно повышают технический уровень оптоэлектронных устройств за счет применения нового функционального материала с улучшенными оптоэлектронными характеристиками 1слайд 2).
Целью работы является разработка и обеспечение внедрения в производственных процессах научно-методических и физико- технологических принципов создания оптоэлектронных устройств нового поколения на модифицированных наноструктурах с использованием изотопического эффекта (слайд 3). Объект исследования — научные методы, физико-технические и технологические принципы, средства разработки и производства функционального материала для базовых элементов оптоэлектроники.
Предмет исследований — свойства изотопических материалов на базе сверхрешеток как основы оптоэлектронных устройств нового поколения; физико-математические и технологические процессы проектирования, производства б~зовы~ ~~~менто~ оптоэле~~роники. В диссертации решены следующие задачи (слайд 4): 1) определены и исследованы основные факторы, влияющие на важнейшие показатели технического уровня и качества оптоэлектронных устройств;. 2) разработаны научно-методические основы проектирования функциональной среды новых оптоэлектронных устройств в виде изотопических наноструктур, а также технологий их производства на основе физико-математического моделирования; 3) исследованы возможности и пути повышения технического уровня оптоэлектронных изделий и устройств на основе изотоп ических наноструктур; 4) разработаны концептуальные основы новой эффективной промышленной технологии производства изотопических наноструктур для оптоэлектронных устройств с применением воздействий тепловых нейтронов и на этой основе функциональных сред изделий оптоэлектроники, обеспечивающих высокий технический уровень и качество передачи информации.
Основные положения, выносимые на защиту, представлены на 5-том слайде. Наиболее значимые нз них: 1) научно-методические, физико-технологические принципы разработки, производства и применения из ото пических наноструктур как функциональной среды оптоэлектронных устройств нового поколения; 2) новое направление проектирования производственно-технологических процессов изготовления полупроводниковых материалов на основе изотопов исходных химически однородных элементов; 3) новый изотопический материал для новых поколений оптоэлектронных устройств на сверхрешетках, значительно повышающий технический уровень изделий; 4) методика проектирования изотопических сверхрешеток и моделирование создания нового материала с заранее заданными характеристиками; 5) новый физико-технологический способ изготовления изотопических наноструктур с помощью пучка тепловых нейтронов, существенно повышающий уровень эксплуатационных характеристик оптоэлектронных устройств; б) новый способ получения полупроводникового графена, применение которого существенно повышает конкурентоспособность оптоэлектронных устройств.
В диссертационной работе получены следующие наиболее важные новые научные результаты (слайд б): Так, разработаны: 1) новые научно-методические и физико-технологические принципы создания базовых элементов оптоэлектроники ~фотоприемников, оптических модуляторов, полупроводниковых лазеров и пр,) на изотоп ических наноструктурах с улучшенными техническими показателями; 2) новые, защищенные патентами, технологические способы формирования модифицированных наноструктур, повышающие эффективность производства наноструктуированного материала на базе изотопов исходных химических элементов: кремния, германия, углерода; 3) новая модель технологического процесса изготовления наноструктур из изотопов кремния с использованием тепловых нейтронов; 4) методики проектирования технологического процесса и новых изотопических материалов с применением физико-математического моделирования, в том числе способ получения полупроводникового графена; 5) сформулированы рекомендации для повьппения качества оптоэлектронных устройств на основании результатов исследований оптоэлектронных характеристик изотопических многослойных структур, Практическая значимость работы заключается в разработке научно- методических и физико-технологических принципов базовых этапов технологического маршрута организации производства оптоэлектронных устройств с высоким техническим уровнем по основным показателям функционирования (слайд 7).
Результаты диссертации используются в исследовательской работе предприятий «Нанооптик-8» при МГУ ПС; ООО «Наука-Связь»; АО «ОКБ МЭИ» в учебном процессе Московского государственного университета путей сообщений прн изучении дисциплин «Нанотехнологии в телекоммуникациях», «Оптоэлектронные и квантовые приборы и устройства».
Основные научные результаты докладывались на 16 международных и отечественных научно-технических конференциях, отражены в 60 публикациях, в том числе в 3 монографиях, в 2 статьях в журналах из БД Ясорпз, в 21 статьях в научно-технических журналах из перечня, рекомендованного ВАК РФ для защиты докторских диссертаций„в 4 патентах на изобретение ~слайд 8). Диссертационная работа соответствует паспорту специальности «Организация производства в области радиоэлектроники» (слайд 9) по трем позициям.
Это - области исследований технологических процессов разработки и производства: разработка научных, методологических и системотехнических основ ~пункт 1); моделирование и оптимизация 1пункт 4); разработка научных, методологических и системотехнических принципов. Повышение качества и конкурентоспособности продукции (пункт 5). Диссертация состоит из шести глав, введения, заключения и приложения.
Основные направления исследований работы представлены на 10 слайде: 1. Перспективы развития оптоэлектронных устройств. 2. Сравнительный анализ эффективности направлений повышения пропускной способности волоконно-оптических систем передачи информации. 3. Разработка перспективных физико-технологических методов формирования модифицированных наноструктур.
4. Исследование влияния параметров формируемых функциональных сред на эксплуатационные характеристики создаваемых оптоэлектронных изделий. 5. Анализ повышения технического уровня базовых элементов волоконно-оптических систем передачи информации на основе модифицированных наноструктур. б. Разработка физико-технологических основ базовых этапов технологического маршрута создания модифицированных наноструктур. В первой главе (слайд 11) рассмотрены основные перспективные направления повышения технического уровня базовых элементов оптоэлектроники на новых функциональных средах ~наноструктурах) на примере увеличения пропускной способности волоконно-оптических систем передачи информации как наиболее актуальной области применения оптоэлектроники, проанализированы физические и технологические пределы повышения скорости передачи информации, задачи физико-математического моделирования.
С помощью эмпирической зависимости, связанной с модифицированным законом Мура, сделан прогноз роста пропускной способности волоконнооптических систем передачи информации в зависимости от размеров элементов интегральных схем оптоэлектронных систем и соответствующих требований к технологиям их производства (слайд 12).
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
