Москатов Е.А. - Справочник по полупроводниковым приборам, страница 2

Методы измерения силыизлучения и энергетической яркости.Излучателиполупроводниковые.Методизмеренияотносительного спектрального распределения энергииизлучения и ширины спектра излучения.Диоды полупроводниковые инфракрасные излучающие.Методы измерения мощности излучения.Диоды полупроводниковые инфракрасные излучающие.Метод измерения временных параметров импульсаизлучения.Приборыполупроводниковые.Системаусловныхобозначений.Приборы полупроводниковые.

Руководство по применению.Общие положения.Приборыполупроводниковыеоптоэлектронные.Руководство по применению.Стабилитроны. Руководство по применению.Диоды импульсные. Руководство по применению.Варикапы. Руководство по применению.Диодывыпрямительные,столбывысоковольтные.Руководство по применению.Основные стандарты на биполярные и полевые транзисторыГОСТ 15133-77ОСТ 11 336.919-81ГОСТ 2.730-73ГОСТ 18472-82ОСТ 16 0.801.250-85ГОСТ 20003-74*ГОСТ 19095-73*ГОСТ 18604.0-83ГОСТ 18604.1-80Приборы полупроводниковые. Термины и определения.Приборыполупроводниковые.Системаусловныхобозначений.ЕСКД. Обозначения условные графические в схемах.Приборы полупроводниковые.Приборы полупроводниковые.

Основные размеры.Приборы полупроводниковые силовые. Транзисторы.Габаритные и присоединительные размеры.Транзисторы биполярные. Термины, определения ибуквенные обозначения параметров.Транзисторы полевые. Термины, определения и буквенныеобозначения параметров.Транзисторы биполярные. Общие требования при измеренииэлектрических параметров.Транзисторы биполярные. Методы измерения постояннойвремени цепи обратной связи на высокой частоте.6Москатов Е.

А. Справочник по полупроводниковым приборам. http://moskatov.narod.ruГОСТ 18604.2-80ГОСТ 18604.3-80ГОСТ 18604.4-74ГОСТ 18604.5-74ГОСТ 18604.6-74ГОСТ 18604.7-74ГОСТ 18604.8-74ГОСТ 18604.9-82ГОСТ 18604.10-76ГОСТ18604.11-76ГОСТ 18604.13-77ГОСТ 18604.14-77ГОСТ 18604.15-77ГОСТ 18604.16-78ГОСТ 18604.17-78ГОСТ 18604.18-78ГОСТ 18604.19-78ГОСТ 18604.20-78ГОСТ 18604.22-78ГОСТ 18604.23-80ГОСТ 18604.24-81Транзисторы биполярные.

Методы измерения статическогокоэффициента передачи тока.Транзисторы биполярные. Метод измерения ёмкостиколлекторного и эмиттерного переходов.Транзисторы.Методыизмеренияобратноготокаколлектора.Транзисторы. Методы измерения обратного тока коллектора– эмиттера.Транзисторы. Метод измерения обратного тока эмиттера.Транзисторы. Метод измерения коэффициента передачитока.Транзисторы. Метод измерения выходной проводимости.Транзисторы биполярные.

Методы определения граничной ипредельной частот коэффициента передачи тока.Транзисторы биполярные. Метод измерения входногосопротивления.Транзисторы биполярные. Метод измерения коэффициенташума на высоких и сверхвысоких частотах.Транзисторы биполярные СВЧ генераторные. Методизмерениявыходноймощностииопределениякоэффициента усиления по мощности и коэффициентаполезного действия коллектора.Транзисторы биполярные СВЧ генераторные. Методизмерения модуля коэффициента обратной передачинапряжения в схеме с общей базой на высокой частоте.Транзисторы биполярные СВЧ генераторные. Методыизмерения критического тока.Транзисторы биполярные.

Метод измерения коэффициентаобратной связи по напряжению в режиме малого сигнала.Транзисторы биполярные. Метод измерения плавающегонапряжения эмиттер – база.Транзисторы биполярные. Методы измерения статическойкрутизны прямой передачи.Транзисторы биполярные. Методы измерения граничногонапряжения.Транзисторы биполярные. Методы измерения коэффициенташума на низкой частоте.Транзисторы биполярные.

Методы измерения напряжениянасыщения коллектор – эмиттер и база – эмиттер.Транзисторы биполярные. Метод измерения коэффициентовкомбинационных составляющих.Транзисторы биполярные высокочастотные генераторные.Метод измерения выходной мощности и определениякоэффициента усиления по мощности и коэффициента7Москатов Е. А. Справочник по полупроводниковым приборам. http://moskatov.narod.ruГОСТ 18604.26-85ГОСТ 18604.27-86ОСТ 11 336.909.1-79ОСТ 11 336.909.3-79ГОСТ 27264-87ГОСТ 20398.0-83ГОСТ 20398.1-74ГОСТ 20398.2-74ГОСТ 20398.3-74ГОСТ 20398.4-74ГОСТ 20398.5-74ГОСТ 20398.6-74ГОСТ 20398.7-74ГОСТ 20398.8-74ГОСТ 20398.9-80ГОСТ 20398.10-80ГОСТ 20398.11-80ГОСТ 20398.12-80ГОСТ 20398.13-80ОСТ 11 336.916-80ОСТ 11 336.907.0-79полезного действия коллектора.Транзисторы биполярные.

Методы измерения временныхпараметров.Транзисторы биполярные мощные высоковольтные. Методизмерения пробивного напряжения коллектор – база(эмиттер – база) при нулевом токе эмиттера (коллектора).Транзисторы биполярные мощные высоковольтные. Методыизмерения граничного напряжения.Транзисторы биполярные мощные высоковольтные. Методыизмерения скорости нарастания обратного напряжения.Транзисторы силовые биполярные. Методы измерений.Транзисторы полевые. Общие требования при измеренииэлектрических параметров.Транзисторы полевые. Метод измерения модуля полнойпроводимости прямой передачи.Транзисторы полевые. Метод измерения коэффициенташума.Транзисторы полевые. Метод измерения крутизныхарактеристики.Транзисторы полевые.

Метод измерения активнойсоставляющей выходной проводимости.Транзисторы полевые. Метод измерения входной,проходной и выходной ёмкостей.Транзисторы полевые. Метод измерения тока утечкизатвора.Транзисторы полевые. Метод измерения пороговогонапряжения и напряжения отсечки.Транзисторы полевые.

Метод измерения начального токастока.Транзисторы полевые. Метод измерения крутизныхарактеристики в импульсном режиме.Транзисторы полевые. Метод измерения начального токастока в импульсном режиме.Транзисторы полевые. Метод измерения ЭДС шума.Транзисторы полевые. Метод измерения остаточного токастока.Транзисторы полевые. Метод измерения сопротивления сток– исток.Транзисторы полевые. Метод измерения выходноймощности, определения коэффициента усиления помощности, определения коэффициента полезного действиястока.Приборы полупроводниковые.

Руководство по применению.Общие положения.8Москатов Е. А. Справочник по полупроводниковым приборам. http://moskatov.narod.ruОСТ 11 336.907.8-81ОСТ 11 336.935-82ОСТ 11 ПО.336.001Транзисторы биполярные. Руководство по применению.Транзисторы полевые. Руководство по применению.Приборы полупроводниковые бескорпусные. Руководствопо применению.Основные стандарты на микросхемыОСТ 11 073.073-82ОСТИ 073.062-76Приборы полупроводниковые и микросхемы. Методконтроля температуры полупроводниковых структур.Микросхемы интегральные и приборы полупроводниковые.Требования и методы защиты от статического электричествав условиях производства и применения.9Москатов Е.

А. Справочник по полупроводниковым приборам. http://moskatov.narod.ru1.2 Классификация диодовКлассификация современных полупроводниковых приборов запечатлена в системеусловных обозначений их типов. В соответствии с возникновением новыхклассификационных групп приборов совершенствуется и система их условныхобозначений, которая за последние 30 лет трижды претерпевала изменения.Система обозначений современных полупроводниковых диодов, тиристоров иоптоэлектронных приборов установлена отраслевым стандартом ОСТ 11336.919 –81 и базируется на ряде классификационных признаков этих приборов.

В основусистемы обозначений положен буквенно-цифровой код.Первый элемент обозначает исходный полупроводниковый материал, на базекоторого изготовлен прибор.Для обозначения исходного материала используются буквы или цифры,приведённые ниже:Г или 1 — для германия или его соединений;К или 2 — для кремния или его соединений;А или 3 — для соединений галлия (например, для арсенида галлия);И или 4 — для соединений индия (например, для фосфида индия).Второй элемент обозначения — буква, определяющая подкласс (или группу)приборов. Для обозначения подклассов приборов используется одна из следующихбукв:Д — диодов выпрямительных и импульсных;Ц — выпрямительных столбов и блоков;В — варикапов;И — туннельных диодов;А — сверхвысокочастотных диодов;С — стабилитронов;Г — генераторов шума;Д — излучающих оптоэлектронных приборов;О — оптронов;Н — диодных тиристоров;У — триодных тиристоров.Третий элемент обозначения – это цифра, которая определяет основныефункциональные возможности прибора.

Для обозначения характерныхфункциональныхвозможностей,эксплуатационныхпризнаковприборовиспользуются следующие цифры применительно к различным подклассамприборов.Диоды (подкласс Д):1 — для выпрямительных диодов с постоянным или средним значением прямоготока не более 0,3 А;2 — для выпрямительных диодов с постоянным или средним значением прямоготока более 0,3 А, но не выше 10 А;4 — для импульсных диодов с временем восстановления обратного сопротивления10Москатов Е.

А. Справочник по полупроводниковым приборам. http://moskatov.narod.ruболее 500 нс;5 — для импульсных диодов с временем восстановления более 150 нс, но не свыше500 нс;6 — для импульсных диодов с временем восстановления 30 … 150 нс;7 — для импульсных диодов с временем восстановления 5 … 30 нс;8 — для импульсных диодов с временем восстановления 1 … 5 нс;9 — для импульсных диодов с эффективным временем жизни неосновныхносителей заряда менее 1 нс.Выпрямительные столбы и блоки (подкласс Ц):1 — для столбов с постоянным или средним значением прямого тока не более 0,3 А;2 — для столбов с постоянным или средним значением прямого тока 0,3 … 10 А;3 — для блоков с постоянным или средним значением прямого тока не более 0,3 А;4 — для блоков с постоянным или средним значением прямого тока 0,3 … 10 А.Варикапы (подкласс В):1 —для подстроечных варикапов;2 — для умножительных варикапов.Туннельные диоды (подкласс И):1 — для усилительных туннельных диодов;2 — для генераторных туннельных диодов;3 — для переключательных туннельных диодов;4 — для обращённых диодов.Сверхвысокочастотные диоды (подкласс А):1 — для смесительных диодов;2 — для детекторных диодов;3 — для усилительных диодов;4 — для параметрических диодов;5 — для переключательных и ограничительных диодов;6 — для умножительных и настроечных диодов;7 — для генераторных диодов;8 — для импульсных диодов.Стабилитроны (подкласс С):1 — для стабилитронов мощностью не более 0,3 Вт с номинальным напряжениемстабилизации менее 10 В;2 — для стабилитронов мощностью не более 0,3 Вт с номинальным напряжениемстабилизации 10 … 100 В;3 — для стабилитронов мощностью не более 0,3 Вт с номинальным напряжениемстабилизации более 100 В;4 — для стабилитронов мощностью 0,3 … 5 Вт с номинальным напряжениемстабилизации менее 10 В;5 — для стабилитронов мощностью 0,3 … 5 Вт с номинальным напряжениемстабилизации 10...100 В;6 — для стабилитронов мощностью 0,3 … 5 Вт с номинальным напряжениемстабилизации более 100 В;7 — для стабилитронов мощностью 5 … 10 Вт с номинальным напряжением11Москатов Е.