Москатов Е.А. - Справочник по полупроводниковым приборам (1086444), страница 7
Текст из файла (страница 7)
Справочник по полупроводниковым приборам. http://moskatov.narod.ruкоэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером экстраполируется кединице. Частота, равная произведению модуля коэффициента передачи тока начастоту измерения, которая находится в диапазоне частот, где справедлив законизменения модуля коэффициента передачи тока 6 дБ на октаву.fh21 – предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора.Частота, на которой модуль коэффициента передачи тока падает на 3 дБ посравнению с его низкочастотным значением.h21Э – статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.Отношение постоянного тока коллектора к постоянному току базы при заданныхпостоянном обратном напряжении коллектор – эмиттер и токе эмиттера в схеме собщим эмиттером.h21э – коэффициент передачи тока биполярного транзистора в режиме малогосигнала в схеме с общим эмиттером.
Отношение изменения выходного тока квызвавшему его изменению входного тока в режиме короткого замыканиявыходной цепи по переменному току в схеме с общим эмиттером.Iк – ток коллектора транзистора.Iкбо – обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданномобратном напряжении коллектор – база и разомкнутом выводе эмиттера.Iк.макс – максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.Iк.и.макс – максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.Iкэк – обратный ток коллектор – эмиттер при короткозамкнутых выводах базы иэмиттера.
Ток в цепи коллектор – эмиттер при заданном обратном напряженииколлектор – эмиттер и короткозамкнутых выводах эмиттера и базы.Iкэо – обратный ток коллектор – эмиттер при разомкнутом выводе базы. Ток в цепиколлектор – эмиттер при заданном напряжении коллектор – эмиттер и разомкнутомвыводе базы.IкэR – обратный ток коллектор – эмиттер при заданном сопротивлении в цепи база –эмиттер. Ток в цепи коллектор – эмиттер при заданном обратном напряженииколлектор – эмиттер и заданном сопротивлении в цепи база – эмиттер.Iкэх – обратный ток коллектор – эмиттер заданном обратном напряжении база –эмиттер.Iэ – ток эмиттера транзистора.Iэбо – обратный ток эмиттерного перехода при разомкнутом выводе коллекторатранзистора.Iэ.макс – максимально допустимый постоянный ток эмиттера транзистора.Iэ.и.макс – максимально допустимый импульсный ток эмиттера транзистора.Кш – коэффициент шума транзистора.
Для биполярного транзистора это отношениемощности шумов на выходе транзистора к той её части, которая вызвана тепловымишумами сопротивления источника сигнала.Рмакс – максимально допустимая постоянно рассеиваемая мощность.Рк.макс – максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся наколлекторе транзистора.Рк.и.макс – максимально допустимая импульсная мощность, рассеивающаяся наколлекторе транзистора.31Москатов Е. А. Справочник по полупроводниковым приборам. http://moskatov.narod.ruРк.ср.макс – максимально допустимая средняя мощность, рассеивающаяся наколлекторе транзистора.Q – скважность.Rтп-с – тепловое сопротивление от перехода к окружающей среде.Rтп-к – тепловое сопротивление от перехода к корпусу транзистора.tвкл – время включения биполярного транзистора. Интервал времени, являющийсясуммой времени задержки и времени нарастания.tвыкл – время выключения биполярного транзистора.
Интервал времени междумоментом подачи на базу запирающего импульса и моментом, когда напряжение наколлекторе транзистора достигнет значения, соответствующего 10 % егоамплитудного значения.Тмакс – максимальная температура корпуса транзистора.Тп.макс – максимальная температура перехода транзистора.tрас – время рассасывания биполярного транзистора. Интервал времени междумоментом подачи на базу запирающего импульса и моментом, когда напряжение наколлекторе транзистора достигает заданного уровня.Uкб – напряжение коллектор – база транзистора.Uкбо.макс – максимально допустимое постоянное напряжение коллектор – база притоке эмиттера, равном нулю.Uкбо.и.макс – максимально допустимое импульсное напряжение коллектор – базапри токе эмиттера, равном нулю.Uкэо.гр – граничное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора приразомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера.UкэR.макс – максимальное напряжение между коллектором и эмиттером призаданном (конечном) сопротивлении в цепи база – эмиттер транзистора.Uкэх.и.макс – максимально допустимое импульсное напряжение междуколлектором и эмиттером при заданных условиях в цепи база – эмиттер.Uкэ – напряжение коллектор – эмиттер транзистора.Uкэ.нас – напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.Uэбо.макс – максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер – база притоке коллектора, равном нулю.Однопереходные транзисторыIвкл – ток включения.Iвыкл – ток выключения.Rб1б2 – межбазовое сопротивление б1 и б2 однопереходного транзистора.Uб1б2 – напряжение между базами б1 и б2 однопереходного транзистора.Uб1б2.макс – максимально допустимое напряжение между базами б1 и б2однопереходного транзистора.Uб2э.макс – максимально допустимое напряжение между второй базой и эмиттеромоднопереходного транзистора.η – коэффициент передачи однопереходного транзистора.
Отношение разностимаксимально возможного эмиттерного напряжения и падения напряжения на p-nпереходе к приложенному межбазовому напряжению.32Москатов Е. А. Справочник по полупроводниковым приборам. http://moskatov.narod.ruПолевые транзисторыC11и – входная ёмкость полевого транзистора. Ёмкость между затвором и истокомпри коротком замыкании по переменному току на выходе с общим истоком.C12и – проходная ёмкость полевого транзистора. Ёмкость между затвором и стокомпри коротком замыкании по переменному току на входе в схеме с общим истоком.C22и – выходная ёмкость полевого транзистора.
Ёмкость между стоком и истокомпри коротком замыкании по переменному току на входе в схеме с общим истоком.Сзи – ёмкость затвор – исток. Ёмкость между затвором и истоком при разомкнутыхпо переменному току остальных выводах.Eш – электродвижущая сила шума полевого транзистора. Спектральная плотностьэквивалентного шумового напряжения, приведённого ко входу, при короткомзамыкании на входе в схеме с общим истоком.g22и – активная составляющая выходной проводимости полевого транзистора всхеме с общим истоком.Iз.ут – ток утечки затвора. Ток затвора при заданном напряжении между затвором иостальными выводами, замкнутыми между собой.IС – ток стока полевого транзистора (не путать с номинальным током стабилизациистабилитрона).
Ток, протекающий в цепи сток – исток при напряжении сток –исток, равном или большем, чем напряжение насыщения, при заданном напряжениизатвор – исток.Iс.макс – максимально допустимый постоянный ток стока.Iс.нач – начальный ток стока. Ток стока при напряжении между затвором и истоком,равном нулю, и при напряжении на стоке, равном или превышающем напряжениенасыщения.Кур – коэффициент усиления по мощности полевого транзистора. Отношениемощности на выходе полевого транзистора к мощности на входе при определённойчастоте и схеме включения.Кш – коэффициент шума транзистора. Для полевого транзистора это отношениеполной мощности шумов на выходе полевого транзистора к той её части, котораявызвана тепловыми шумами сопротивления источника сигнала.Rси.отк – сопротивление сток – исток в открытом состоянии полевого транзистора.Сопротивление между стоком и истоком в открытом состоянии транзистора призаданном напряжении сток – исток, меньшем напряжения насыщения.Rc.мин – минимальное сопротивление канала сток – исток полевого транзистора впроводящем состоянии, включённого по схеме с общим истоком.S – крутизна характеристики полевого транзистора.
Отношение изменения токастока к изменению напряжения на затворе при коротком замыкании попеременному току на выходе транзистора в схеме с общим истоком.Тк – температура корпуса транзистора. Температура в заданной точке корпусатранзистора.Uз1з2.макс – максимально допустимое напряжение между затворами.Uзи – напряжение затвор – исток.Uзи.макс – максимально допустимое напряжение затвор – исток.33Москатов Е. А. Справочник по полупроводниковым приборам. http://moskatov.narod.ruUзи.отс – напряжение отсечки полевого транзистора. Напряжение между затвороми истоком транзистора с p-n переходом или с изолированным затвором,работающего в режиме обеднения, при котором ток стока достигает заданногонизкого значения.Uзи.пор – пороговое напряжение полевого транзистора.
Напряжение междузатвором и истоком транзистора с изолированным затвором, работающего в режимеобогащения, при котором ток стока достигает заданного низкого значения.Uзс.макс – максимально допустимое напряжение затвор – сток.Uси – напряжение сток – исток.Uси.макс – максимально допустимое напряжение сток – исток.Микросхемыf1 – частота единичного усиления.fвх – частота входного сигнала.I0вх – входной ток логического нуля.I1вх – входной ток логической единицы.I1вых – выходной ток логической единицы.Iвх – постоянный ток входа.Iкз – значение тока, потребляемого микросхемой при замкнутом накоротко выходе.Iн – постоянный ток нагрузки.Iн.макс – максимальный ток нагрузки.ΔIн.макс – диапазон изменения максимального выходного тока – тока, отдаваемогов нагрузку.Iп – потребляемый ток.I1п – ток потребления в режиме логической единицы.КD – минимальный коэффициент усиления.RDвх – входное сопротивление.tздр10 – время задержки при переходе из 1 в 0.tздр01 – время задержки при переходе из 0 в 1.U0вых – выходное напряжение логического нуля.U1вых – выходное напряжение логической единицы.Uвх – входное напряжение.ΔUвх.макс – максимальное изменение входного напряжения.Uвых – выходное напряжение.Uвых.мин – минимально допустимое выходное напряжение.ΔUвых – максимальное изменение выходного напряжения – изменение Uвых,обусловленное изменением Iн.макс.Uип – напряжение источника питания.Uип.ном – номинальное напряжение источника питания.Uпд – максимальное падение напряжения на стабилизаторе (Dropout Voltage) Uпд =Uвх – Uвых.мин.Uсм – напряжение смещения “нуля”.Uш – напряжение шумов.Vu – скорость увеличения выходного напряжения.34Москатов Е.
А. Справочник по полупроводниковым приборам. http://moskatov.narod.ruγ – абсолютный температурный коэффициент (температурная стабильность), мВ /ºC, γ = ΔUвых / ΔT – изменение выходного напряжения от изменения температурыокружающей среды при неизменных Uвх и Iн.АМ – амплитудная модуляция.АПЧГ – автоматическая подстройка частоты гетеродина.АРУ – автоматическая регулировка усиления.Вид цепи – вид цепи, в которую включён регулирующий элемент микросхемногостабилизатора напряжения.ВЧ – высокая частота.НЧ – низкая частота.ПЧ – промежуточная частота.ПЧЗ – преобразователь частоты звука.ПЧИ – преобразователь частоты изображения.СК – селектор каналов.ФАПЧ – фазовая автоподстройка частоты.ЧМ – частотная модуляция.— – данные не нормируются или информация о данном параметре отсутствует.ТУ – технические условия.и – буква “и” рядом со значением параметра означает, что приведённая величинасоответствует импульсному режиму работы транзистора.т – буква “т” рядом со значением параметра означает, что приведённая величинаявляется типовой.Электродытранзисторовусловнообозначаютсяпервымибуквамисоответствующего названия электродов.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
