Москатов Е.А. - Справочник по полупроводниковым приборам (1086444), страница 5
Текст из файла (страница 5)
А. Справочник по полупроводниковым приборам. http://moskatov.narod.ruБуквенное обозначениеФункции микросхемыПо ГОСТ 18682-73 Принятое ранеепрочиеЕП—пассивныеБМ—активныеБР—прочиеБП—амплитудные (уровня сигнала)САСАвременныеСВСВчастотныеССССфазовыеСФСФпрочиеСП—JK-типаТВ—RS-типаТРТРD-типаТМ—Т-типаТТТСдинамическиеТДТДШмидтаТЛТШкомбинированные (DT, RST и другие)ТКТКпрочиеТП—высокой частоты2УВ—промежуточной частоты2УР—низкой частоты2УН—импульсных сигналов2УИУИповторителиУЕУЭсчитывания и воспроизведенияУЛ—индикацииУМ—УТУТсинусоидальных сигналов—УСвидеоусилители—УБоперационные и дифференциальные2УД—Схемы задержки:Схемы селекции и сравнения:Триггеры:Усилители:постоянного тока2321Москатов Е.
А. Справочник по полупроводниковым приборам. http://moskatov.narod.ruБуквенное обозначениеФункции микросхемыПо ГОСТ 18682-73 Принятое ранеепрочиеУП—верхних частотФВФВнижних частотФНФНполосовыеФЕФПрежекторныеФРФСпрочиеФП—импульсов прямоугольной формы4АГ—импульсов специальной формыАФ—адресных токов5АА—разрядных токов5АР—прочиеАП—Фильтры:Формирователи:Элементы запоминающих устройств:матрицы-накопители ОЗУРМ—матрицы-накопители ПЗУРВ—матрицы-накопители ОЗУ со схемами управленияРУ—матрицы-накопители ПЗУ со схемами управленияРЕ—элементы памяти—ЯПматрицы разного назначения—ЯМпрочиеРП—Элементы арифметических и дискретных устройств:регистрыИРИРсумматорыИМИСполусумматорыИЛИЛсчётчикиИЕИЕшифраторыИВИШдешифраторыИДИДкомбинированныеИКИКпрочиеИПИПМногофункциональные микросхемы6:аналоговыеХАЖА22Москатов Е.
А. Справочник по полупроводниковым приборам. http://moskatov.narod.ruБуквенное обозначениеФункции микросхемыПо ГОСТ 18682-73 Принятое ранеецифровыеХЛЖЛкомбинированныеХК—прочиеХП—диодовНДНДтранзисторовНТНТрезисторовHPНСконденсаторовНЕНЕкомбинированныеНКНКпрочиеНП—Микросборки:1 Автоколебательные мультивибраторы, блокинг-генераторы и другие.2 Усилители напряжения или мощности (в том числе малошумящие).3 Независимо от рабочего диапазона частот.4 Ждущие мультивибраторы, блокинг-генераторы и другие.5 Формирователи напряжений и токов.6 Микросхемы, выполняющие одновременно несколько функций.Монтаж интегральных микросхемМикросхемы монтируют на печатных платах, на возможно большем удалении откомпонентов аппаратуры, выделяющих большое количество тепла, напримерэлектронных ламп, радиаторов транзисторов, вне магнитных полей дросселей,трансформаторов, магнитов головок громкоговорителей.
Расстояние междукорпусами соседних микросхем должно быть не менее 1,5 мм. Между корпусоммикросхемы и монтажной платой должен быть зазор.Формовку круглых и ленточных выводов микросхем и обжатие ленточных выводовмикросхем следует производить с помощью монтажного инструмента так, чтобыисключить механическое напряжение на места крепления выводов. При этом радиусизгиба вывода должен быть не менее диаметра вывода, а расстояние от корпуса доцентра окружности изгиба – не менее 1 мм.При распайке выводов микросхем температура жала паяльника должна быть неболее 280 °С, а для некоторых типов микросхем не более 265 °С (оговореноспециально).
Допустимое время касания паяльника к каждому выводу не более 3 с,расстояние от места пайки до корпуса микросхем по длине вывода не менее 1 мм,интервал между пайками не менее 10 с. Для обеспечения указанных температурныхусловий пайки применяют паяльники мощностью от 15 до 40 Вт. Более мощныепаяльники применять нельзя, так как можно микросхемы вывести из строя. Ввиду23Москатов Е. А. Справочник по полупроводниковым приборам. http://moskatov.narod.ruтого, что микросхемы чувствительны к воздействию статического электричества,жало паяльника должно быть заземлено.
Монтажник должен пользоватьсязаземляющим браслетом. Рекомендуется пользоваться низковольтным паяльником,включеннымвэлектросетьчерезпонижающийтрансформаторсэлектростатическим экраном между его первичной и вторичной обмотками.Корпусы и изоляторы выводов микросхем необходимо оберегать от брызг и паровпаяльного флюса. После монтажа места пайки следует очистить от остатков флюсамоющей жидкостью, не оказывающей негативного влияния на корпус и выводымикросхем. После очистки от флюса плату с микросхемами можно покрытьвлагозащитным лаком.Микросхемы рекомендуется использовать в облегчённых электрических итемпературных режимах по сравнению с номинальными.Система обозначений ИМС по системе Pro ElectronЗа рубежом существуют различные системы кодирования (обозначений имаркировки) ИМС.
В европейских странах система кодирования ИМС аналогичнасистеме, принятой для кодирования дискретных полупроводниковых приборов, ииспользуется фирмами в различных странах (например, Англии, Бельгии, Италии,Испании, Нидерландов, Швеции, Франции, Германии и других). Суть кодированияданной системы, по которой обозначения присваиваются международнойорганизацией Association International Pro Electron, указаны ниже.Код состоит из трёх букв, за которыми следует серийный номер (например,ТВА810, TDA2003).Первая буква для одиночных схем отражает принцип преобразования сигнала всхеме: S – цифровое; Т – аналоговое; U – смешанное (аналого-цифровое).Вторая буква не имеет специального значения (выбирается фирмойизготовителем), за исключением буквы Н, которой обозначаются гибридные схемы.Для серий (семейств) цифровых микросхем первые две буквы (FA, FB, FC, FD, FE,FF, FJ, FI, FL, FQ, FT, FY, FZ, GA, GB, GD, GF, GM, GT, GX, GY, GZ, НВ, НС)отражают технологические особенности схемы, например: FD, GD – МОП-схемы;FL, GF – стандартные ТТЛ-схемы; FQ – ДТЛ-схемы; FY – ЭСЛ-серия; GA –маломощные ТТЛ-схемы; GJ – быстродействующие ТТЛ-схемы; GM – маломощныес диодами Шотки ТТЛ-схемы; НВ – комплементарные МОП-схемы серии 4000 А;НС – комплементарные МОП-схемы серии 4500 В.Третья буква обозначает диапазон рабочих температур или, как исключение, инуюважную характеристику: А – температурный диапазон не нормирован; В – от 0 до+70 °С; С – от -55 до +125 °С; D – от -25 до +70 °С; Е – от -25 до +85 °С; F – от -40до +85 °С; G – от -55 до +85 °С.После комбинации из трёх букв следует серийный номер, состоящий минимум изчетырёх цифр.
Если он состоит менее чем из четырёх цифр, то число цифрувеличивается до четырёх добавлением нулей перед ними. Кроме того, за цифрамиможет следовать буква для обозначения разновидности основного типа. Типыкорпусов могут обозначаться одной или двумя буквами, написанными после24Москатов Е. А. Справочник по полупроводниковым приборам. http://moskatov.narod.ruсерийного номера.При двухбуквенном обозначении вариантов корпусов первая буква отражаетконструкцию:С – цилиндрический корпус;D – с двухрядным параллельным расположением выводов (DIP);Е – мощный с двухрядным расположением выводов (с внешним теплоотводом);F – плоский (с двусторонним расположением выводов);G – плоский (с четырёхсторонним расположением выводов);К – корпус типа ТО-3;М – многорядный (больше четырёх рядов);Q – с четырёхрядным параллельным расположением выводов;R – мощный с четырёхрядным расположением выводов (с внешним теплоотводом);S – с однорядным расположением выводов;Т – с трёхрядным расположением выводов.
Вторая буква показывает материалкорпуса;G – стеклокерамика;М – металл;Р – пластмасса;X – прочие.При обозначении вариантов корпусов одной буквой:С – цилиндрический;D – керамический;F – плоский;L – ленточный кристаллодержатель;Р – пластмассовой DIP;Q – с четырёхрядным расположением выводов;Т – миниатюрный пластмассовый;U – бескорпусная ИМС.В устаревшем коде, действовавшем до 1973 г., первые две буквы обозначают то же,что и в современном, а третья буква показывает функциональное назначение:А – линейное усиление;В – частотное преобразование и (или) демодуляция;С – генерация колебаний;Н – логические схемы;J – двухстабильные или мультистабильные схемы (делители частоты, триггеры,счётчики, регистры и прочие элементы цифровой техники);K – моностабильные схемы (одновибраторы);L – цифровые преобразователи уровня (например, дешифраторы, драйверы);M – схемы со сложной логической конфигурацией (например, сумматоры);N – двухстабильные или мультистабильные схемы с длительным хранениеминформации;Q – ОЗУ;R – ПЗУ;S – усилитель считывания с цифровым выходом;25Москатов Е.
А. Справочник по полупроводниковым приборам. http://moskatov.narod.ruY – прочие схемы.Следующие после этого первые две цифры указывают серийный номер (от 10 до99), а третья цифра – диапазон рабочих температур:0 – температурный диапазон не нормирован;1 – от 0 до +70 °С;2 – от -55 до +125 °С;3 – от -10 до +85 °С;4 – от +15 до +55 °С;5 – от -25 до +70 °С;6 – от -40 до + 85 °С.Например, ИМС типа FYH123 является цифровой логической ИМС (буква Н) иотносится к семейству FY (ЭСЛ).
Она совместима с другими ИМС этой серии тоесть используется при таком же напряжении питания, при тех же входных ивыходных уровнях, имеет то же быстродействие. Это третий прибор серии (цифра12), работает в температурном диапазоне от -10 до +85 °С.26Москатов Е. А. Справочник по полупроводниковым приборам. http://moskatov.narod.ru2 Список принятых сокращенийДиодыIвыпр.ср.макс – максимальное значение среднего выпрямленного диодом тока.Iобр – обратный ток через диод.Iобр.ср – средний обратный ток через диод.Iпр – прямой ток через диод.Iпр.макс – максимальный прямой ток.Iпр.и.макс – импульсный максимальный прямой ток.Iпр.ср – средний прямой ток через диод.Iпр.ср.макс – максимальное значение среднего прямого тока через диод.Uобр.макс – максимальное постоянное обратное напряжение, приложенное к диоду.Uобр.и.макс – максимальное импульсное обратное напряжение, приложенное кдиоду.Uпр – падение напряжения на диоде при его прямом включении.Uпр.ср – среднее падение напряжения на диоде при его прямом включении.fмакс – максимальная частота, на которой ещё сохраняется свойство одностороннейпроводимости диода.СветодиодыI – сила света.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
