Лекция 2 (Лекции по вакуумной и плазменной электронике), страница 2

2.6).Рис. 2.6. Кривые изменения концентраций газов двухкомпонентной смесиРассмотрим явление диффузии немного по-другому.Рис. 2.7. Схема к определению диффузии в Рис. 2.8. Схема к определению диффузии внизком вакуумевысоком вакуумеλ=L – длина свободного пробега,d – внутренний размер сосуда (расстояние между поверхностями, где осуществляетсяперенос).Диффузия в низком вакууме (d >>L)dA dN n' va n" va va ( n' n" ) ,dtdt666где N – количество молекул, переносимых через единицу поверхности.dA dN n"n'dN n'n"  2dx dx2dxv  dNdN a dt3 dxТ.е. в отличие от вязкости и теплопроводности диффузия в низком вакууме зависитобратно пропорционально от давления P.Диффузия в высоком вакууме (d < L)dA dN n1va n2 va va (n1  n2 )dtdt666dA dN n2  n1dN n1  n2   ddx dxddxvdNdN  a ddt3dxТ.е.

в высоком вакууме диффузия зависит только от температуры и не зависит отдавления (в отличие от вязкости и теплопроводности, которые в высоком вакуумепропорциональны давлению)..