Отчет_АВ (Лабораторная работа №3 АВ)
Описание файла
Файл "Отчет_АВ" внутри архива находится в папке "Лабораторная работа №3 АВ". PDF-файл из архива "Лабораторная работа №3 АВ", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "электроника и микроэлектроника" из 4 семестр, которые можно найти в файловом архиве МГТУ им. Н.Э.Баумана. Не смотря на прямую связь этого архива с МГТУ им. Н.Э.Баумана, его также можно найти и в других разделах. Архив можно найти в разделе "лабораторные работы", в предмете "электроника и микроэлектроника" в общих файлах.
Просмотр PDF-файла онлайн
Текст из PDF
ПРАКТИЧЕСКАЯ ЧАСТЬ1. Измерить статический коэффициент усиления по току транзистора,установленного в ключе.Рисунок 1 – Изменение параметров транзистора в соответствии с условиемV1Rк1200ΩR175kΩ+-U2R2-0.033m3kΩ-0.686mA10VU1DC 1e-009OhmQ1+ADC 1e-009Ohm+--9.175VU3DC 10MOhm2N1132A*R330kΩV22VРисунок 2 – Измерение статического коэффициента усиления по току2. Исследовать статические состояния ТК при различных Rк. Определитьвеличину сопротивления Rк, соответствующую границе насыщения.Таблица 1 – Статические состояния транзистора при изменении RкRк, Ом Iб, мА Iк, мА Uкэ, В1300,0330,6969,9099100,0330,6899,37251000,0330,6566,656100000,0330,623,808350000,0340,2840,061750000,0350,2330,029В21,0909120,8787919,8787918,787888,3529416,657143Выводы по полученным результатам:3.
Исследовать характеристики ТК в динамическом режиме. Выявитьзависимости основных параметров переходных процессов tф, tрас, tc от амплитудывходного напряжения. Построить соответствующие графики. Для одного иззначений входного напряжения рассчитать tф, tрас, tc по приведенным формулам.Оценить расхождение расчетных величин и измеренных.Rk=1,2 кОмV1XSC1Rк1200ΩExt Trig+XFG1+_BA+C110µF_+-_U2R2-0.103m3kΩ-1.778mA10VU1DC 1e-009OhmQ1+ADC 1e-009Ohm+--7.865VU3DC 10MOhm2N1132A*R330kΩV22VРисунок 3 – Схема для снятия характеристик ТК, работающего в динамическомрежиме (10В, 300кГц)Рисунок 4 – Осциллограммы динамического режима работы ТК (10В, 300кГц)V1XSC1Rк1200ΩExt Trig+XFG1+_BA+C110µF_+-_U2R2-0.103m3kΩ-1.778mA10VU1DC 1e-009OhmQ1+ADC 1e-009Ohm+--7.865VU3DC 10MOhm2N1132A*R330kΩV22VРисунок 5 – Схема для снятия характеристик ТК, работающего в динамическомрежиме (8В, 300кГц)Рисунок 6.1 – Осциллограмма динамического режима работы ТК (8В, 300кГц)Рисунок 6.2 – Осциллограммы динамического режима работы ТК (8В, 300кГц)V1XSC1Rк1200ΩExt Trig+XFG1+_BA+C110µF_+-_U2R2-0.103m3kΩ-1.778mA10VU1DC 1e-009OhmQ1+ADC 1e-009Ohm+--7.865VU3DC 10MOhm2N1132A*R330kΩV22VРисунок 7 – Схема для снятия характеристик ТК, работающего в динамическомрежиме (6В, 300кГц)Рисунок 8 – Осциллограммы динамического режима работы ТК (6В, 300кГц)V1XSC1Rк1200ΩExt Trig+XFG1+_BA+C110µF_+-_U2R2-0.103m3kΩ-1.778mA10VU1DC 1e-009OhmQ1+ADC 1e-009Ohm+--7.865VU3DC 10MOhm2N1132A*R330kΩV22VРисунок 9 – Схема для снятия характеристик ТК, работающего в динамическомрежиме (4В, 200кГц)Рисунок 10 – Осциллограммы динамического режима работы ТК (4В, 200кГц)Таблица 2 – Динамический режим работы ТКUвх, В tф, нсtc, нс-10359,5514,1-8516,1516-6997,9512-41379271,6tрас,нс420303161,947Рисунок 11 – Зависимость продолжительности фронта от амплитуды входногонапряженияРисунок 12 – Зависимость продолжительности рассасывания от амплитуды входногонапряженияРисунок 13 – Зависимость продолжительности спада от амплитуды входного напряженияВыводы по полученным результатам:4.
Исследовать влияние форсирующего конденсатора на основные параметрыпереходных процессов.V1XSC1Rк1200ΩExt Trig+XFG1+_BA+C110µF_+-_U2R2-1.722m3kΩC21nF-4.187mA10VU1DC 1e-009OhmQ1+ADC 1e-009Ohm+--4.975VU3DC 10MOhm2N1132A*R330kΩV22VРисунок 14 – Схема для снятия характеристик ТК с форсирующим конденсатором(10В, 300кГц)Рисунок 15 – Осциллограмма режима работы ТК с форсирующим конденсатором (10В,300кГц)V1XSC1Rк1200ΩExt Trig+XFG1+_BA+C110µF_+-_U2R2-1.26m3kΩC21nF-4.194mA10VU1DC 1e-009OhmQ1+ADC 1e-009Ohm+--4.967VU3DC 10MOhm2N1132A*R330kΩV22VРисунок 16 – Схема для снятия характеристик ТК с форсирующим конденсатором(8В, 300кГц)Рисунок 17 – Осциллограмма режима работы ТК с форсирующим конденсатором (8В,200кГц)V1XSC1Rк1200ΩExt Trig+XFG1+_BA+C110µF_+-_U2R2-0.763m3kΩC21nF-4.143mA10VU1DC 1e-009OhmQ1+ADC 1e-009Ohm+--5.028VU3DC 10MOhm2N1132A*R330kΩV22VРисунок 18 – Схема для снятия характеристик ТК с форсирующим конденсатором(6В, 300кГц)Рисунок 19 – Осциллограмма режима работы ТК с форсирующим конденсатором (6В,300кГц)V1XSC1Rк1200ΩExt Trig+XFG1+_BA+C110µF_+-_U2R2-0.244m3kΩC21nF-3.577mA10VU1DC 1e-009OhmQ1+ADC 1e-009Ohm+--5.707VU3DC 10MOhm2N1132A*R330kΩV22VРисунок 20 – Схема для снятия характеристик ТК с форсирующим конденсатором(4В, 300кГц)Рисунок 21 – Осциллограмма режима работы ТК с форсирующим конденсатором (4В,300кГц)Таблица 3 – Параметры при наличии форсирующего конденсатораUвх, В-10-8-6-4tф, нс20,825,437,7570,8tc, нс11,0812,710,918,15tрас,нс35,832,625,47,62Рисунок 22 – Зависимость продолжительности фронта от амплитуды входногонапряженияРисунок 23 – Зависимость продолжительности рассасывания от амплитуды входногонапряженияРисунок 24 – Зависимость продолжительности спада от амплитуды входного напряженияВыводы по полученным результатам:5.
Определить, на какие параметры ТК оказывает влияние конденсаторнагрузочной цепи.V1XSC1Rк1200ΩExt Trig+XFG1+_BA+C110µF_+-_U2R2-0.847m3kΩ-5.289mQ1A10VU1DC 1e-009OhmC3470pF+ADC 1e-009Ohm+-6.224VU3DC 10MOhm2N1132A*R330kΩV22VРисунок 25 – Схема для снятия характеристик ТК с нагрузочным конденсатором(10В, 300кГц)Рисунок 26 – Осциллограмма режима работы ТК с нагрузочным конденсатором (10В,300кГц)V1XSC1Rк1200ΩExt Trig+XFG1+_BA+C110µF_+-_U2R2-0.555m3kΩ-4.829mQ1A10VU1DC 1e-009OhmC3470pF+ADC 1e-009Ohm+-5.63VU3DC 10MOhm2N1132A*R330kΩV22VРисунок 27 – Схема для снятия характеристик ТК с нагрузочным конденсатором(8В, 300кГц)Рисунок 28 – Осциллограмма режима работы ТК с нагрузочным конденсатором (8В,300кГц)V1XSC1Rк1200ΩExt Trig+XFG1+_BA+C110µF_+-_U2R2-0.28m3kΩ-3.933mQ1A10VU1DC 1e-009OhmC3470pF+ADC 1e-009Ohm+-4.437VU3DC 10MOhm2N1132A*R330kΩV22VРисунок 29 – Схема для снятия характеристик ТК с нагрузочным конденсатором(6В, 300кГц)Рисунок 30 – Осциллограмма режима работы ТК с нагрузочным конденсатором (6В,300кГц)V1XSC1Rк1200ΩExt Trig+XFG1+_BA+C110µF_+-_U2R2-0.084m3kΩ-1.489mQ1A10VU1DC 1e-009OhmC3470pF+ADC 1e-009Ohm+-1.732VU3DC 10MOhm2N1132A*R330kΩV22VРисунок 31 – Схема для снятия характеристик ТК с нагрузочным конденсатором(4В, 300кГц)Рисунок 32 – Осциллограмма режима работы ТК с нагрузочным конденсатором (4В,300кГц)Таблица 3 – Параметры при наличии конденсатора в нагрузочной цепиUвх, В-10-8-6-4tф, нс341,2537,210131263tc, нс508,6508,1544170,6tрас,нс410,6308,5148,868,9Рисунок 33 – Зависимость продолжительности фронта от амплитуды входногонапряженияРисунок 34 – Зависимость продолжительности рассасывания от амплитуды входногонапряженияРисунок 35 – Зависимость продолжительности спада от амплитуды входного напряженияВыводы по полученным результатам:XSC1V1Ext Trig+6_BA+Rк1200Ω4V41Ω__+0010VXSC3R41kΩXFG1Ext Trig+_BA8+9Q107R2V3533kΩXSC22N1132A*R330kΩ02V22V1ΩR11kΩ1Ext Trig+0_BA+_+_0Рисунок 36 – Схема для снятия временной диаграммыРисунок 37 – Временная диаграмма работы ТК_+_6.
Определить, при каких параметрах коммутируемых элементов схемы ТКмакета возникает инверсное запирание..
