4 Лист (Элементы тонкоплёночных ИМС)

Методы нанесения пленки нитрида алюминияПринципиальная схема дугового нанесения пленки AlN c фильтрацией потока алюминиевой плазмыПринципиальная схема магнетронного нанесения пленки AlNАнодДуговая микропривязкаИзоляцияАнодКатод-мишень (AlN)КатодДостоинства метода1. Практически неограниченная электрическая мощность.2. Возможность нанесения металлов, сплавов, нитридов,карбидов и т.д.3. Отсутствие необходимости в дополнительном газедля ионизации.4. Высокий коэффициент ионизации испаряемых частиц.5.

Высокая скорость распыления.Недостатки метода1. Нерегулируемая энергия частиц.2. Относительная сложность конструкции дуговых источников.Магнитная системаЛинии магнитногополяSNNS-SNМагнитная система+Мишень (Al)Ar N2Вакуумная камераИсточник питанияAle+Ar+AlArAl+N2-UсмКерамическая подложка AlNAlДостоинства метода1.

Регулируемая скорость осаждения.2. Возможность нанесения металлов, сплавов,диэлектриков.3. Относительная простота конструкции.4. Достаточно высокая чистота осаждаемойпленки.Недостатки метода1. Низкая и нерегулируемая энергия осаждаемыхчастиц.2. Низкая производительность.ПодложкодержательAlNОсаждаемаяпленка (AlN)Вакуумная камераЛовушка для частицAlNS0Керамическая подложка AlN-Осаждаемая пленка (AlN)S0Подложкодержатель-Uсм+Метод нанесенияЧистота покрытияУдобство расположения подложекТрудоемкость методаСложность управленияСложность конструкцииСкорость осаждения пленокМагнетронный+++--+-----Дуговой с фильтрацией потокаплазмы++++++-++++Оборудование для уменьшения и измерения шероховатости подложек AlNУстановка CREEP SERVICE EAST 01 AСтанок шлифовально-полировальный 3ШП-350МПротяженный ионный источник с замкнутымдрейфом электорновТехнические характеристикиДлинаТехнические характеристикиВесДиаметр обрабатываемых заготовок,мм3Частота вращения шпинделя(регулируется бесступенчато), об/минот 30 до 180Число двойных ходов поводка вминуту (регулируется бесступенчато)от 28 до 110Максимальная потребляемаямощность, кВт7,55Характеристики установки1.

Установка предназначена для физическогоосаждения пленок из паровой фазы.2. Нагрев камеры до 200°С;3. Возможность ионной очистка поверхностиподложек;4. Два дуговых источника;5. Возможность нанесения углеродной пленки.6. Реализация метода сепарации плазмы.Водяное охлаждениеТемпература воды на входеПредельное давление в системе охлажденияРабочие газыЛинейная плотность токаДлина линейной части ионного пучкаГабаритные размеры, ДхШхВ, ммМасса, кгТип дисплея матричный ЖКИ300-3000 ммНе более 20 кг на 1 мдлиныРазмеры ЖКИ экранот 200 до 350Тип монтажаКоличество шпинделей, штПрофилометр TR-200Технические характеристики2280х1080х1660не более 1300Однородность плотности тока ионного пучка128х64 точки, со светодиоднойподсветкой50х30 мм отображает положениеизмерительной иглы датчика иуровень заряда аккумуляторнойбатареиВнутри вакуумнойкамеры или нафланцеДиапазон измерений попараметрамRa,Rq:0.01-40 мкм;Rz,Ry,Rp,Rt,R3z:0.02-160 мкм;RSm,RS: 1 мм; Rm: 1-100%2-5 л/минЗначения отсечек шага0,25 мм/0,8 мм/2,5 мм< 30 °CДлина оценки значенийпараметров шероховатостиотсечки1-5 (по выбору пользователя)Длина трассы ощупывания(отсечка 1-5)+отсечка 23 атмAr, O2, H2,, N2, и др.7мА на 1 см длиныТип датчикастандартная модель Ts100,индукционный, радиус алмазнойиглы 5 мкмДиапазон рабочих температурот 0 до 40 градусов по Цельсию230-2930<±5% на 90 % лдлинылинейной частиРабочее напряжение500-3500 ВОтносительная влажностьвоздухаСредняя энергия ионов250-1700 эВСтепень точностиРабочее давление0,05-0,25 ПаГабаритные размерыМасса электронного блока<80 %класс 3140х56х48мм480 г.