Отзыв 7 (Зарядовые явления в диэлектрических пленках МДП-структур и элементов энергонезависимой памяти при сильнополевой инжекции электронов)
Описание файла
Файл "Отзыв 7" внутри архива находится в следующих папках: Зарядовые явления в диэлектрических пленках МДП-структур и элементов энергонезависимой памяти при сильнополевой инжекции электронов, Отзывы. PDF-файл из архива "Зарядовые явления в диэлектрических пленках МДП-структур и элементов энергонезависимой памяти при сильнополевой инжекции электронов", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "технические науки" из Аспирантура и докторантура, которые можно найти в файловом архиве МГТУ им. Н.Э.Баумана. Не смотря на прямую связь этого архива с МГТУ им. Н.Э.Баумана, его также можно найти и в других разделах. Архив можно найти в разделе "остальное", в предмете "диссертации и авторефераты" в общих файлах, а ещё этот архив представляет собой кандидатскую диссертацию, поэтому ещё представлен в разделе всех диссертаций на соискание учёной степени кандидата технических наук.
Просмотр PDF-файла онлайн
Текст из PDF
Отзыв на автореферат диссертации Андреева Дмитрия Владимировича на тему «Зарядовые явлении в диэлектрических пленках МДП-структур и элементов энергонезависимой памяти при сильнополевой иижекции электронов», представленную на соискание ученой степени кандидата технических наук по специальности 01.04.07 — Физика конденсированного состояния Диссертационная работа Андреева Д.В. посвящена исследованию зарядовых явлений в сильных электрических полях в диэлектрических пленках МДП-структур и элементах энергонезависимой памяти с плавающим затвором.
Автором разработаны теоретические основы метода исследования и модификации тонких диэлектрических пленок в МДП-структурах в сильных электрических полях прн стрессовых и измерительных уровнях тока, Важным результатом является установленный факт, что использование подзатворного диэлектрика на основе пленки %02, легированной фосфором с образованием двухслойной композиции %02 — фосфорно-силикатное стекло, позволяет залечивать дефекты в подзатворном диэлектрике, что приводит к уменьшению локальных токов.
Практические результаты работы были рекомендованы для совершенствования технологического процесса формирования подзатворного диэлектрика КМДП интегральных схем на АО «Восход», г. Калуга. В качестве замечаний необходимо отметить следующее; 1. К сожалению, в автореферате не приведена информация о механизмах потери заряда на плавающем затворе в предлагаемых автором структурах или сравнительных данных для существующих образцов флэшпамяти и предлагаемых автором, которые позволили бы оценить реальное время хранения информации в них. 2.
Приведенные на рис.3 данные были бы более информативны, если бы были представлены в виде интегральных кривых распределения 1'стр. 13 авто реферата). 3. С нашей точки зрения, термин «процесс заряда/ разряда» более корректен, чем термин «процесс заряжения/разряжения» (стр. 2 автореферага), используемый автором. Сделанные замечания не снижают научную и практическую значимость представленной диссертации. Считаем, что выполненная автором диссертационная работа является законченным научным исследованием и полностью соответствует требованиям и. 9 «Положения об утверждении ученых степеней», утвержденного Постановлением Правительства РФ от 24.09.2013 г. № 842, а Андреев Дмитрий Владимирович заслуживает присуждения искомой ученой степени кандидата технических наук по специальности 01.04.07 — Физика конденсированного состояния. Зам.
эав. кафедрой микро- и наноэлекитроники Санкт-Петербургского государственного электротехнического университета д.ф,-м.н., проф. Мошников В.А, 8(812) 234-31-64 чалов)ниЬжфта11.га К.ф-м.н., доцент каф, микро- и наноэлектроники Санкт-Петербургского государственного электротехнического университета Александрова О,А. 81812) 234-31-64 оаа~ейаапбготаф8гпа11.сощ Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им.
В.И. Ульянова Ленина" 1СП6ГЭТУ ЛЭТИ), 197376, Санкт-Петербург, ул. Проф. Попова, д.5. Подписи В.А.Мошникова и О,А.Александровой заверяю 'а«. /~ г: /' ~ЯР» $ . 6'г;-' .