Отзыв 6 (Зарядовые явления в диэлектрических пленках МДП-структур и элементов энергонезависимой памяти при сильнополевой инжекции электронов)
Описание файла
Файл "Отзыв 6" внутри архива находится в следующих папках: Зарядовые явления в диэлектрических пленках МДП-структур и элементов энергонезависимой памяти при сильнополевой инжекции электронов, Отзывы. PDF-файл из архива "Зарядовые явления в диэлектрических пленках МДП-структур и элементов энергонезависимой памяти при сильнополевой инжекции электронов", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "технические науки" из Аспирантура и докторантура, которые можно найти в файловом архиве МГТУ им. Н.Э.Баумана. Не смотря на прямую связь этого архива с МГТУ им. Н.Э.Баумана, его также можно найти и в других разделах. Архив можно найти в разделе "остальное", в предмете "диссертации и авторефераты" в общих файлах, а ещё этот архив представляет собой кандидатскую диссертацию, поэтому ещё представлен в разделе всех диссертаций на соискание учёной степени кандидата технических наук.
Просмотр PDF-файла онлайн
Текст из PDF
В диссертационный совет Д 212.141.17 ФГБОУ ВПО «МГТУ им. Н.Э. Баумана» ОТЗЫВ на автореферат диссертации Андреева Дмитрия Владимировича «Зарядовые явления в диэлектрических пленках МДП-структур и элементов энергонезависимой памяти при сильнополевой инжекции электронов», представленную на соискание ученой степени кандидата технических наук по специальности 01.04.07 - физика конденсированного состояния Диссертационная работа Андреева Д.В, посвящена изучению основных закономерностей формирования зарядового состояния структур, содержащих модифицированную двуокись кремния на кремнии. Такая постановка задачи обусловлена как общим интересом в физике конденсированных сред и физике полупроводников к изучению электрически активных центров в аморфных пленках и их участию в электронных процессах в структурах кремний-диэлектрик, так и несомненной практической значимостью данных структур в современной микроэлектронике.
В работе выполнен большой комплекс исследований электрофизических свойств и электронных процессов в структурах кремний- двуокись кремния с пленкой ФСС, диэлектрический слой которых модифицирован путем сильнополевой туннельной инжекции электронов в подзатворный. диэлектрик и облучения электронами. К наиболее существенным результатам диссертационной работы Андреева Д.В. следует отнести: - разработку метода стрессовых и измерительных уровней токов для исследования и модификации тонких диэлектрических пленок МДП- структур; - доказательство возможности использования МДП-структур на основе диэлектрических пленок ЯО~-НГо 8А1» ~О„в качестве элементов флэш-памяти: - выявлении возможности использования сильнополевой инжекции электронов для индивидуальной коррекции характеристик каждого прибора на основе МДП-структур.
.
