Диссертация (Зарядовые явления в диэлектрических пленках МДП-структур и элементов энергонезависимой памяти при сильнополевой инжекции электронов), страница 24

No. 3. P. 299–303. (0,5 п.л. / 0,1 п.л.).88. Bondarenko G. G., Andreev V. V., Drach V. E., Loskutov S. A.,Stolyarov M. A. Study of temperature dependence of positive chargegeneration in thin dielectric film of MOS structure under high-fields// Thin Solid Films, 2006. Vol. 515. P. 670–673.153 89. Kaschieva S., Todorova Zh., Dmitriev S. N.

Radiation defects induced by20 MeV electrons in MOS structures // Vacuum, 2004. Vol. 76. No. 2–3.P. 307–310.90. Вохмянина К. А., Жукова П. Н., Иррибарра Э. Ф., Кубанкин А. С., ТхиХоай Ле, Нажмудинов Р. М., Плесканев А. А., Олейник А. Н., НасоновН. Н., Похил Г. П. Исследование взаимодействия электронов сэнергией//10Поверхность.кэВсдиэлектрическойРентгеновские,синхротронныеповерхностьюинейтронныеисследования, 2014. № 4. С. 56‒59.91. Воронкова Г.М., Попов В.Д., Протопопов Г.А. Уменьшение плотностиловушечных центров в оксиде кремния при радиационно-термическойобработке // Физика и техника полупроводников, 2007. Т. 41.Выпуск 8.

С. 977‒980.92. Протопопов Г. А. Устойчивость атомарной структуры оксида кремнияпосле радиационно-термической обработки МОП приборов: дис. ...канд. тех. наук. Москва. 2011. 106 с.93. Зарядовые характеристики МДП-структур с термическими пленкамиSiO2, легированными фосфором, при сильнополевой инжекцииэлектронов / Д.В. Андреев [и др.] // Перспективные материалы. 2015.№ 11.

С. 19‒25. (0,48 п.л. / 0,16 п.л.).94. Андреев В. В., Бондаренко Г. Г., Столяров А. А., Ахмелкин Д. М.Модификация диэлектрических пленок МДП-структур инжекционнотермической обработкой // Перспективные материалы, 2014. № 12.С. 25–31.95. Гуртов В. А., Назаров А. М., Травков И.

В. Моделирование процессанакопления объемного заряда в диэлектриках МДП-структур приоблучении // ФТП, 1990. Т. 24. Выпуск 6. С. 969‒977.96. Oldhem T. R., McGarrity J. M. Ionization of SiO2 by Heavy ChargedParticles // IEEE Transaction on Nuclear Science, 1981.

Vol. NS-28. No. 6.P. 3975‒3980.154 97. Першенков В. С., Попов В. Д., Шальнов А. В. Поверхностныерадиационные эффекты в ИМС // М.: Энергоатомиздат, 1988. 256 с.98. Моделирование воздействия ионизирующих излучений на МДПструктурыснаноразмернымидиэлектрическимипленками/ Д.В. Андреев [и др.] // Физика и химия обработки материалов.

2011.№ 5. С. 18‒25. (0,55 п.л. / 0,14 п.л.).99. A touch sensor based on a tensoresistive polymer / D.V. Andreev [et al.]// High Temperature Material Processes. 2014. Vol. 18. Issue 1‒2.P. 63‒69. (0,48 п.л. / 0,12 п.л.).100. Васютин Д. С. Исследование зарядовых дефектов в структурах металлдиэлектрик-полупроводник в условиях сильнополевой туннельнойинжекции: дис. ... канд. тех. наук. Москва.

2012. 140 с.101. Андреев B. В., Бондаренко Г. Г., Лычагин А. А., Столяров А. А.,Ульяненко С. Е. Радиационная ионизация в структурах металлдиэлектрик-полупроводник в режиме сильнополевой инжекцииэлектронов // Физика и химия обработки материалов, 2006. № 5.С. 19‒23.102. Андреев B. В., Столяров А. А., Васютин М. С., Михальков А. М.Активный чувствительный элемент сенсора радиационных излученийна основе МДП-структур с наноразмерными диэлектрическимислоями//ВестникМГТУим.Н.Э.Баумана.Серия «Приборостроение», 2010.

С. 118‒127.103. МодификацияМДП-структурэлектроннымоблучениемисильнополевой инжекцией электронов / Д.В. Андреев [и др.]//Поверхность.Рентгеновские,синхротронныеинейтронныеисследования. 2016. № 4. С. 94‒99. (0,6 п.л. / 0,2 п.л.).104. Modification of thin oxide films of MOS structure by high-field injectionand irradiation / D.V. Andreev [et al.] // IOP Conference Series: MaterialsScienceandEngineering.(0,6 п.л. / 0,15 п.л.).2016.Vol.110.P.012041(1‒6).155 105. Андреев В. В., Бондаренко Г.

Г., Столяров А. А.,Васютин М. С.,Коротков С. И. Влияние температуры на инжекционную модификациюдиэлектрических пленок МДП-структур // Перспективные материалы,2008. № 5. С. 26‒30.106. Andreev V. V., Bondarenko G. G., Stolyarov A. A., Vasyutin D. S.,Mikhal’kov A. M. Influence of High Field Electron Injection Regimes onModification of Dielectric Films of MOS Devices // Inorganic Materials:Applied Research, 2010.

Vol. 1. No. 2. Р. 105–109.107. Левин M. Н., Гитлин В. Р., Татаринцев А. В., Остроухов С. С.,КадменскийС.напряженийвГ.РентгеновскаяпроизводствекорректировкаМДПпороговыхинтегральныхсхем// Микроэлектроника, 2002. Т. 31. № 6. С. 408‒413.108. Исследование процессов генерации и эволюции центров захватаносителей в диэлектрических пленках МДП-структур/ Д.В. Андреев[и др.] // Наука и образование: Электронное научно-техническоеиздание.

2011. № 11. С. 1‒8. http://technomag.edu.ru/doc/251437.html.(0,55 п.л. / 0,18 п.л.).109. СильнополеваяинжекционнаямодификацияМДП-структурстермической пленкой SiO2, легированной фосфором / Д.В. Андреев[и др.] // Физика диэлектриков (Диэлектрики – 2014): Материалы XIIIмеждународнойконференции,Санкт-Петербург,2014.Т.2.С. 210‒213. (0,27 п.л. / 0,14 п.л.).110.

Control current stress technique for the investigation of ultrathin gatedielectrics of MIS devices / D.V. Andreev [et al.] // Abstract E-MRS 2014Spring meeting, Lille (France), Symposium H, 2014. HP6 8.(0,06 п.л. / 0,01 п.л.).111. Модификация МДП-структур сильнополевой инжекцией электронов иэлектронным облучением / Д.В.

Андреев [и др.] // Труды 25Международной конференции «Радиационная физика твёрдого тела»,Москва, 2015. С. 242‒252. (0,75 п.л. / 0,25 п.л.).156 112. МодификацияМДП-структурэлектроннымоблучениемисильнополевой инжекцией электронов / Д.В. Андреев [и др.]// Тезисы докладов 45 Международной Тулиновской конференции пофизикевзаимодействиязаряженныхчастицскристаллами,Москва, 2015. С. 121. (0,06 п.л. / 0,02 п.л.).113.

Monagan M. B., Geddes K. O., Heal K. M., Labahn G., Vorkoetter S. M.,McCarron J., DeMarco P. Maple Introductory Programming Guide// Maplesoft, a division of Waterloo Maple Inc. 2011.114. Моделирование транспорта электронов в тонких диэлектрическихпленках МДП-структур / Д.В. Андреев // Наукоемкие технологии вприборо- и машиностроении и развитие инновационной деятельностив вузе. Материалы конференции, МГТУ им. Н.Э.

Баумана, 2014 г. Т. 1.C. 139‒142. (0,27 п.л.).115. МодификациянаноразмерныхдиэлектриковМДП-структурсильнополевой инжекцией электронов и электронным облучением/ Д.В. Андреев // Труды VIII Всероссийской школы-семинарастудентов,аспирантовимолодыхучёныхпонаправлению«Диагностика наноматериалов и наноструктур»: сборник, Рязань:РГРТУ, 2015. Т. III. С. 35‒39. (0,34 п.л.).116. Моделирование стекания заряда в элементах энергонезависимойпамяти на основе МДП-структур / Д.В.

Андреев // Наукоемкиетехнологии в приборо- и машиностроении и развитие инновационнойдеятельности в вузе. Материалы конференции, МГТУ им. Н.Э.Баумана, 2015 г. Т. 1. C. 152‒155. (0,27 п.л.).117. Clark R. D. Emerging Applications for High-K Materials in VLSITechnology // Materials, 2014.

Vol. 7. P. 2913‒2944.118. Robertson J., Wallace R. M. High-K materials and metal gates for CMOSapplications // Materials Science and Engineering R, 2015. Vol. 88.P. 1‒41.157 119. Molas G., Bocquet M., Vianello E., Perniola L., Grampeix H., Colonna J. P.,Masarotto L., Martin F., Brianceau F., Gély M., Bongiorno C., Lombardo S.,Pananakakis G., Ghibaudo G., De Salvo B. Reliability of charge trappingmemories with high-k control dielectrics // Microelectronic Engineering,2009. Vol. 86.

P. 1796‒1803.120. Breuil L., Lisoni J. G., Blomme P., Van den Bosch G., Van Houdt J. HfO2Based high-k Inter-Gate Dielectrics for Planar NAND Flash Memory// IEEE Electron Device Letters, 2014. Vol. 35. Issue 1. P. 45‒47.121. Park M. H., Lee Y. H., Kim H. J., Kim Y. J., Moon T., Kim K. D., Müller J.,Kersch A., Schroeder U., Mikolajick T., Hwang C.S. Ferroelectricity andAntiferroelectricity of Doped Thin HfO2‐Based Films // AdvancedMaterials, 2015.

Vol. 27. No. 11. P. 1811‒1831.122. Böscke T. S., Müller J., Bräuhaus J., Schröder U., Böttger U. Ferroelectricityin hafnium oxide thin films // Appl. Phys. Lett., 2011. Vol. 99. P. 102903.123. Polakowski P., Müller J. Ferroelectricity in undoped hafnium oxide // Appl.Phys. Lett., 2015. Vol. 106. P. 232905232905(1‒5).124. Müller J., Polakowski P., Mueller S., Mikolajick T. Ferroelectric HafniumOxide Based Materials and Devices: Assessment of Current Status andFuture Prospects // ECS J. Solid State Sci.

Technol., 2015. Vol. 4. Issue 5. P.30‒35.125. Karda K., Jain A., Mouli C., Alam M. A. An anti-ferroelectric gated Landautransistor to achieve sub-60 mV/dec switching at low voltage and high speed// Appl. Phys. Lett., 2015. Vol. 106. No. 7. P. 163501.126. Kerber A., Cartier E.A. Reliability challenges for CMOS technologyqualifications with hafnium oxide/titanium nitride gate stacks // IEEE Trans.Device Mater. Reliab., 2009.

Vol. 9. P. 147.127. Electron energy distribution in Si/TiN and Si/Ru hybrid floating gates withhafnium oxide based insulators for charge trapping memory devicesD.V. Andreev [et al.] // Abstract E-MRS 2015 Spring meeting, Lille(France), Symposium AA, 2015. AA.AA.II.2.

(0,06 п.л. / 0,01 п.л.).158128. LAMMPS Users Manual // http://lammps.sandia.gov ‒ Sandia NationalLaboratories, 2016. 1613 p.129. Vanderbilt D., Zhao X., Ceresoli D. Structural and dielectric properties ofcrystalline and amorphous ZrO2 // Thin Solid Films, 2005. Vol. 486.Issue 1‒2. P. 125‒128.130. Hadacek N., Nosov A., Ranno L., Strobel P., Galéra R-M. Magneticproperties of HfO2 films // Journal of Physics: Condensed Matter, 2007. Vol.19. No.

48. P. 486206.159ПриложенияА К Тнаучно-технической комиссии об использовании результатовдиссертационной работы Андреева Д.В. «Зарядовые явления вдиэлектрическихпленкахМДП-структуриэлементовэнергонезависимой памяти при сильнополевой инжекцииэлектронов» на АО «ОКБ Микроэлектроники»Научно-техническая комиссия в составе директора по производствук.т.н. Васютина Д.С. и технического директора Романова А.В. составиланастоящий акт в том, что результаты диссертационной работы:- инжекционный метод стрессовых и измерительных уровней тока;- автоматизированная установка, реализующая инжекционный методстрессовых и измерительных уровней тока для контроля параметровдиэлектрических пленок;- рекомендации по корректировке технологических режимовформирования подзатворного диэлектрика КМДП ИС 564, 5559 и др.изделий, выпускаемых по данной технологиииспользуются на нашем предприятии.Автоматизированнаяустановкаинжекционногоконтролядиэлектрических пленок, реализующая разработанный в диссертационнойработе инжекционный метод стрессовых и измерительных уровней тока,используется для контроля параметров подзатворного диэлектрика КМДПИС 564 и др.

изделий, выпускаемых по данной технологии.По результатам исследований Андреевым Д.В. даны рекомендации иосуществлена корректировка технологических режимов процесса полученияподзатворного диэлектрика серийно выпускаемых КМДП ИС 564, 5559 и др.изделий..