Сведения об официальном оппоненте 2 (Моделирование процессов возбуждения рентгеновского излучения при взаимодействии киловольтных электронов с конденсированным веществом)
Описание файла
Файл "Сведения об официальном оппоненте 2" внутри архива находится в следующих папках: Моделирование процессов возбуждения рентгеновского излучения при взаимодействии киловольтных электронов с конденсированным веществом, Документы. PDF-файл из архива "Моделирование процессов возбуждения рентгеновского излучения при взаимодействии киловольтных электронов с конденсированным веществом", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "физико-математические науки" из Аспирантура и докторантура, которые можно найти в файловом архиве МГТУ им. Н.Э.Баумана. Не смотря на прямую связь этого архива с МГТУ им. Н.Э.Баумана, его также можно найти и в других разделах. Архив можно найти в разделе "остальное", в предмете "диссертации и авторефераты" в общих файлах, а ещё этот архив представляет собой кандидатскую диссертацию, поэтому ещё представлен в разделе всех диссертаций на соискание учёной степени кандидата физико-математических наук.
Просмотр PDF-файла онлайн
Текст из PDF
Сведения об официальном оппонентеФИО оппонентаТатаринцев Андрей АндреевичУченая степень и наименованияотрасли науки, научныхспециальностей, по которым имзащищена диссертациякандидат физико-математических наук поспециальности 05.27.01 – Твердотельнаяэлектроника, радиоэлектронные компоненты,микро- и наноэлектроника, приборы наквантовых эффектахПолное наименование организации,являющейся основным местом работыоппонента на момент представления имотзываФизический факультет федеральногогосударственного бюджетногообразовательного учреждения высшегообразования «Московский государственныйуниверситет имени М.В. Ломоносова»Должность, занимаемая им в этойорганизациистарший научный сотрудник кафедрыфизической электроникиСписок основных публикаций оппонента по теме диссертациив рецензируемых научных изданиях за последние 5 лет1.
Rau E.I., Tatarintsev A.A., Khvostov V.V., Yurasova V.E. Secondary electron emissionand charging characteristics of ion-irradiated sapphire // Vacuum. 2016. Vol. 129,July 2016. Р. 42–147.2. Купреенко С.Ю., Орликовский Н.А., Рау Э.И., Тагаченков А.М., Татаринцев А.А.Определение толщин ультратонких поверхностных пленок в наноструктурах поэнергетическим спектрам отраженных электронов // Журнал технической физики.2015. Т. 85, вып. 10. С.
101-104.3. Дюков В.Г., Евстафьева Е.Н., Стебельков В.А., Татаринцев А.А., Хорошилов В.В.Рентгеновский микроанализ частиц диоксида урана при низкой энергии электроновзонда // Известия РАН. Серия физическая. 2014. Т. 78, №9. С. 1090-1092.4. Евстафьева Е.Н., Зайцев С.В., Рау Э.И., Татаринцев А.А. Зависимость потенциалазарядки диэлектриков и изолированных проводников от угла падения пучкаэлектронов // Вестник Московского университета. Серия 3: Физика. Астрономия.2014. № 1. С.
56-60.5. Гостев А.В., Евстафьева Е.Н., Рау Э.И., Тагаченков А.М., Татаринцев А.А.Характеристики зарядки диэлектрических пленок в зависимости от толщины приэлектронном облучении // Известия РАН. Серия физическая. 2014. Т. 78, № 9.С. 1071-1076.6. Евстафьева Е.Н., Рау Э.И., Татаринцев А.А. Объяснение некоторых противоречий втрактовке динамики зарядки диэлектрических мишеней под воздействием электронного облучения // Вестник Московского университета. Серия 3: Физика. Астрономия. 2013. №2.
С. 34-37.7. Рау Э.И., Евстафьева Е.Н., Зайцев С.И., Князев М.А., Свинцов А.А., Татаринцев А.А. Комплексные исследования эффектов зарядки полимерного резиста(ПММА) при электронной литографии // Микроэлектроника. 2013. T. 42, №2.C. 116-126.8. Рау Э.И., Татаринцев А.А. Контраст изображений локально заряженныхдиэлектриков в растровой электронной микроскопии // Поверхность. Рентгеновские,синхротронные и нейтронные исследования. 2012. № 11.
С. 47-54..
