151633 (Фізико-технологічні основи фотолітографії), страница 5
Описание файла
Документ из архива "Фізико-технологічні основи фотолітографії", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "физика" из , которые можно найти в файловом архиве . Не смотря на прямую связь этого архива с , его также можно найти и в других разделах. Архив можно найти в разделе "курсовые/домашние работы", в предмете "физика" в общих файлах.
Онлайн просмотр документа "151633"
Текст 5 страницы из документа "151633"
3.5.Негативно-позитивна фотолітографія
Метод заснований на застосуванні як негативного, так і позитивного фоторезистів у різних співставленнях. При цьому полегшується операція суміщення і знижується густина дефектів.
Роздільне використання негативного і позитивного фоторезистів в одному процесі засновано на наступних розуміннях: проколи на шаблоні небезпечніші за непрозорі «острівці» через нагромадження їх в процесі експлуатації; на тих операціях фотолітографії, де не допускаються проколи (в окислі), критичні області фотошаблона варто робити прозорими і застосовувати негативний фоторезист; на тих операціях фотолітографії, де не допускаються «острівці» окислу або металу критичні області шаблона варто також виконувати прозорими і застосовувати позитивний фоторезист.
При виготовленні, наприклад, біполярного транзистора фотолітографію бази і емітера можна проводити на позитивному резисті, контактних вікон - на негативному. Так само можна застосовувати негативний резист для фотолітографії під ізолюючу дифузію в інтегральних схемах.
Одночасне використання негативного і позитивного фоторезистів для однієї операції фотолітографії дозволяє створити практично бездефектну захисну маску, тому що резисти виявляються в різних складах проявників, кожний з яких впливає тільки на «свій» шар. Механічні дефекти шарів і дефекти, внесені фотошаблонами, практично не перекриваються, тобто наскрізні проколи повинні бути відсутніми. Спочатку наносять шар позитивного фоторезисту, сушать його, експонують і проявляють. Потім наносять негативний фоторезист, сушать, суміщають зображення, експонують і проявляють. Така двошарова позитивно-негативна фотолітографія з успіхом застосовується при гальванічному осадженні металів [3,4].
ВИСНОВОК
В даній курсовій роботі проведено:
1) детальний огляд наукової літератури по темі “Фізико-технологічні основи фотолітографії”;
2) опис основних фотолітографічних процесів;
Було встановлено, що:
а) фотолітографія застосовується для утворення рельєфу в діелектричних плівках, а також плівках металів, нанесених на поверхню напівпровідника.
б) фотолітографічний метод заснований на тому, що деякі види високомолекулярних сполук мають здатність змінювати свої властивості під дією світла. При умові стійкості плівок цих сполук (фоторезистів) до травників, що застосовуються у процесі фотолітографії, вони можуть бути використані для захисту при формуванні рельєфу.
Можливість створення елементів будь-якої конфігурації, висока відтворюваність розмірів і їхніх розташувань, групова обробка великого числа переходів - такі основні достоїнства фотолітографії.
СПИСОК ВИКОРИСТАНИХ ДЖЕРЕЛ
1.Боков Ю.С. Фото- , електроно- и рентгенорезисты. – М.: Радио и связь, 1982. – 136 с.
2.Прищепа М.М., Погребняк В.П. Мікроелектроніка. В 3ч.Ч1. Елементи мікроелектроніки. – К.: Вища школа, 2004. – 431с.
3.Пресс Ф.П. Фотолитографические методы в технологии полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. – М.: Сов. Радио,1978. – 96с.
4.Пресс Ф.П. Фотолитография в производстве полупроводниковых приборов. –М.: Энергия,1968. – 200 с.
5.Готра З.Ю., Лопатинський І.Є., Лукіянець Б.А. Фізичні основи електронної техніки. – Львів: Бескид Біт, 2004. – 880 с.
6.Березин Г.Н., Микитин А.В., Сурис Р.А. Оптические основы контактной фотолитографии. – М.: Радио и связь, 1982. – 104с.
7.Проблемы литографии в микроэлектронике. – М.: Наука,1987. –150с.
8.Готра З.Ю. Фізичні основи електронної техніки. – Львів: Видавництво “Львівська політехніка”,2002. – 636с.
9. Лаврищев В.П. Введение в фотолитографию. – М.: Энергия, 1977. – 352с.
10.www.library.distudy.ru/books/technology_of_ms/content.htm.
11.www.compositions.ru./index phtml?id=15012.
12.www.den.wkau.kz/news11.html.