Ответы - final (Ответы на экзамен 1), страница 4
Описание файла
Файл "Ответы - final" внутри архива находится в папке "otvety_v1". Документ из архива "Ответы на экзамен 1", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "материалы и элементы электронной техники" из 5 семестр, которые можно найти в файловом архиве НИУ «МЭИ» . Не смотря на прямую связь этого архива с НИУ «МЭИ» , его также можно найти и в других разделах. Архив можно найти в разделе "к экзамену/зачёту", в предмете "материалы и элементы электронный техники" в общих файлах.
Онлайн просмотр документа "Ответы - final"
Текст 4 страницы из документа "Ответы - final"
Составляющая тока, которая не изменяется со временем приложения постоянного напряжения, представляет собой стационарный поток электрически заряженных частиц, разряжающихся на электродах, и называется током сквозной проводимости Iск (сквозным током I, или остаточным током). По величине сквозного тока определяют удельную объемную (или поверхностную) электропроводность диэлектрика.
Ток сквозной проводимости обусловлен направленным движением носителей заряда, поставляемых ионогенной примесью, самим диэлектриком и в сильных полях инжектируемых из электродов, и сопровождается обязательным их разряжением на электродах.
Только в результате разряжения носителей заряда на электродах (положительным ион принимает электрон(ы) из катода, а отрицательный ион отдает электрон(ы) аноду) во внешней цепи возникает электрический (электронный) ток, измерив величину которого, можно определить удельное объемное (или поверхностное) сопротивление диэлектрика. Если носители заряда не смогут преодолеть потенциальный барьер на границе диэлектрик—металл, то они не разрядятся на электродах и в приэлектродных областях образуют объемные заряды, которые создадут в диэлектрике электрическое поле, направленное противоположно приложенному полю.
Ток сквозной проводимости измеряют тогда, когда после приложения к образцу постоянного напряжения ток абсорбции спадет практически до нуля. Это время составляет от нескольких минут до нескольких десятков минут и определяется экспериментально.
Величина тока сквозной проводимости при длительном приложении постоянного напряжения может существенно изменяться в результате электрохимических процессов, а также образования объемных зарядов. Величина сквозного тока не изменяется только при чисто электронном типе проводимости. Если при длительном приложении постоянного напряжения к твердому или жидкому диэлектрику ток сквозной проводимости со временем продолжает уменьшаться (см. рис. 3.3, кривая 2), значит электропроводность данного материала обусловлена в основном ионами примеси и уменьшается в результате электроочистки образца. Ток сквозной проводимости также уменьшается, если носители заряда, подходя к электродам, не разряжаются (из-за высокого потенциального барьера на границе металл—диэлектрик). Накапливаясь в приэлектродных областях, носители заряда образуют объемные заряды (положительный — у катода и отрицательный — у анода), препятствующие прохождению тока. Объемные заряды в приэлектродных областях могут также образовываться (в сильных полях) в результате инжекции зарядов со стороны электродов, однако в этом случае знак объемных зарядов соответствует полярности электродов (см. гл. 7.15.5).
Таким образом, если до приложения электрического поля диэлектрик был электронейтральным, т.е. суммарный заряд всех его микрообъемов был равен нулю, то после приложения поля, в результате перемещения зарядов (в том числе инжектированных из электродов) на макроскопические расстояния и закрепления части из них на ловушках, электронейтральность нарушается, и в диэлектрике возникают объемные заряды. Образец поляризуется. Объемные заряды образуются при прохождении как тока смещения, в частности тока абсорбции, так и тока сквозной проводимости.
Если же ток сквозной проводимости увеличивается (см. рис. 3.3, кривая 7), то это указывает на участие в образовании электрического тока собственных зарядов материала, являющихся его структурными элементами, т.е. имеет место электролиз. В этом случае материал стареет — в нем протекают необратимые электрохимические процессы, постепенно приводящие к разрушению (пробою) образца (см. гл. 5). Например, приложив к нагретому неорганическому стеклу постоянное напряжение, можно наблюдать благодаря его прозрачности, как в стекле продукты электролиза, в частности выделяющийся на катоде металлический натрий, образуют ветвистые отложения — металлические дендриты (подробнее см. гл. 5.4.3). При достаточном времени прохождения тока дендриты могут прорасти сквозь всю толщину диэлектрика от катода к аноду и образовать проводящий канал.
6. Зависимость электропроводности диэлектриков от температуры, концентрации носителей зарядов и их подвижности. ТКρ диэлектриков.
В случае выполнения закона Ома, что наблюдается в слабых электрических полях (см. гл. 3.2—3.4), плотность тока сквозной проводимости, или плотность тока j (j = I/S, А/м2), прямо пропорциональна напряженности поля:
j = γE. (3.5)
Формулу (3.5) можно получить, если в уравнение I = U/R подставить значения U = Eh и R = (ph)/S = h/(γS).
В свою очередь, удельная объемная электропроводность γ, См/м, определяется концентрацией заряженных частиц и, м−3, величиной их заряда q, Кл, и подвижностью а [м2/(В*с)]:
γ = nqa. (3.6)
Подвижность носителя заряда а — отношение его дрейфовой скорости V к напряженности электрического поля Е, вызывающего эту скорость, т.е. а = V/E [(м/с)/(В/м)] = м2/(В*с). Для воздуха при нормальных условиях в слабых полях подвижность отрицательных ионов а_ = 1,87*10−46 м2/(В*с), положительных ионов — a+ =1,37*10−4 м2/(В*с); подвижность электронов вследствие их малой массы больше, чем подвижность ионов, и составляет порядка 3700*10−4 м2/(В*с), т.е. в ~ 1000 раз выше, чем у ионов. В жидких диэлектриках при 1,18 К а_ = 7*10−6 м2/(В*с), a+ = 9*10−6 м2/(В*с). В твердых диэлектриках подвижность ионов еще ниже. Например, в алюмосиликатной керамике она составляет лишь 10−13—10−16 м2/(В*с), а у электронов ~ 10−4м2 /(В*с). Формула (3.6) не связана с природой носителя заряда, поэтому является общей для всех возможных видов электропроводности.
Несмотря на то что подвижность электронов в диэлектриках более чем на три десятичных порядка выше, чем подвижность ионов, электропроводность в диэлектриках носит ионный характер, поскольку для образования свободных ионов (например, при диссоциации [см. ниже] ионогенной примеси) требуется существенно меньшая энергия, чем для образования свободных электронов. Например, в кристалле NaCl для перехода электрона из валентной зоны в зону проводимости требуется энергия ∆W= 6 эВ, а для отрыва иона Na+ из решетки NaCl необходима энергия, равная энергии диссоциации Wдис = 0,85 эВ. Поэтому в диэлектриках из-за существенно более высокой концентрации свободных ионов (а не электронов) ионная электропроводность является доминирующей, определяющей. С повышением температуры концентрация п свободных ионов возрастает экспоненциально:
где no — число ионов в 1 м3при Т → ∞; Wдис — энергия диссоциации, эВ; kT — тепловая энергия (k — постоянная Больцмана (k= 8,617*10-5 эВ/К; Т— температура, К).
Подвижность а ионов в диэлектрике с увеличением температуры экспоненциально возрастает. Объясняется это тем, что в соответствии с «прыжковым» механизмом электропроводности дрейфовая подвижность ионов осуществляется путем их перескока с ловушки на ловушку, разделенных потенциальным барьером Wпер. Ловушками называют области локализации свободных носителей заряда, которыми могут быть как электрически заряженные, так и нейтральные дефекты. «Прилипая» к ловушкам, носители заряда находятся на них тем дольше, чем выше потенциальный барьер Wnep. Поэтому транспорт носителей заряда осуществляется по мелким ловушкам, т.е. по ловушкам с низкими значениями Wпер. Вероятность тепловых перескоков носителей заряда (например, ионов) с ловушки на ловушку пропорциональна ехр(— Wnep/kT). Следовательно, с увеличением температуры подвижность а свободных ионов растет экспоненциально:
где ао — максимальная подвижность иона; Wnep — энергия перемещения иона с ловушки на ловушку (энергия перехода иона из одного равновесного положения в другое).
Подвижность ионов зависит от их размера и величины заряда: чем меньше размер и величина заряда иона, тем выше его подвижность.
Подставив значения n и а в формулу (3.6) и объединив постоянные no и ao одним коэффициентом А, получим
где W — энергия, необходимая для образования и дрейфа иона
(W= Wдис + Wпер )
Рис. 3.4. Зависимость удельной электропроводности γ жидких полярных (I) и неполярных (2) диэлектриков от температуры T
С увеличением температуры удельная электропроводность возрастает (рис. 3.4) в результате увеличения как концентрации n, так и подвижности а свободных ионов. При этом в случае жидких диэлектриков доминирующим является увеличение подвижности а свободных ионов, а в случае твердых диэлектриков — увеличение концентрации n свободных ионов. Из рис. 3.4 также видно, что электропроводность полярных диэлектриков больше, чем неполярных, и при нагревании возрастает более интенсивно.
3.1.4. ТКр диэлектриков
Важной характеристикой электрических свойств диэлектриков является температурный коэффициент удельного сопротивления ТКр (или αр, К-1):
Средний температурный коэффициент удельного сопротивления
ТКр, К-1, для заданного интервала температур можно определить из выражения:
Комплексная удельная электропроводность
Удельная электропроводность диэлектрика при переменном токе может быть выражена в комплексной форме
γπ = γ/+jγ//, (3.12)
где γ' — действительная часть, соответствующая активной удельной проводимости и совпадающая по фазе с напряжением γ' = γr = U/R = ωεεotgδ (см. гл. 4.2), где U — амплитудное значение напряжения; γ" — мнимая часть — отражает реактивный компонент удельной проводимости, опережающей напряжение по фазе на π/2, γ" = γr = U/Xc= UωC= ωεoε, где Xс — реактивная составляющая сопротивления (см. гл. 4.2) ;j — мнимая единица, (j = √−1)
Особенности электропроводности газообразных, жидких и твердых диэлектриков в зависимости от их природы, напряженности электрического поля рассматриваются ниже.
7. Потери в диэлектриках. Угол диэлектрических потерь δ. Эквивалентные схемы диэлектрика с потерями. Требования, предъявляемые к изоляционным материалам.
Диэлектрическими потерями Р (Вт) называют ту часть энергии приложенного электрического поля, которая рассеивается в диэлектрике за единицу времени. Эта энергия переходит в тепло, и диэлектрик нагревается.
При недопустимо высоких диэлектрических потерях электроизоляционная конструкция может нагреться до температуры теплового разрушения, т.е. наступит электротепловой пробой (см. гл. 5.3.1 и 5.4.2).
Диэлектрические потери электроизоляционных материалов и конструкций часто характеризуют тангенсом угла диэлектрических потерь tgδ, где δ— угол, дополняющий до 90° угол сдвига фаз между током и напряжением (угол φ) в емкостной цепи (рис. 4.1):
δ= 90°-φ. (4.1)
Величина tgδ является важной характеристикой диэлектриков. Она определяет диэлектрические потери в материале: чем больше tgδ, тем более высокие (при прочих равных условиях) диэлектрические потери. Для наиболее широко применяемых диэлектриков tgδ имеет значение в пределах от 0,0001 до 0,03. О величине диэлектрических потерь участка изоляции и некоторых радиодеталей (конденсаторов, катушек индуктивности и т.п.) можно судить также по значению их добротности Q:
Q=-1/tgδ = ctgδ = tg φ. (4.2)
Диэлектрические потери могут быть как при постоянном, так и при переменном напряжении. При постоянном напряжении потери обусловлены только током сквозной проводимости, и величина диэлектрических потерь в данном случае зависит (обратно пропорционально) от значений удельных объемного и поверхностного сопротивлений. При переменном напряжении диэлектрические потери возникают под действием как тока сквозной проводимости, так и релаксационных видов поля ризации.
Рис 4.1. Векторная диаграмма диэлектрика с потерями.
В сильных электрических полях (в постоянном и переменном) дополнительно