037.N-МОП - Википедия (Ответы на экзаменационные билеты (МСТ))
Описание файла
Файл "037.N-МОП - Википедия" внутри архива находится в следующих папках: Ответы на экзаменационные билеты (МСТ), Ответы на билеты_doc. Документ из архива "Ответы на экзаменационные билеты (МСТ)", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "физико-химические основы нанотехнологий (фхонт)" из 6 семестр, которые можно найти в файловом архиве РТУ МИРЭА. Не смотря на прямую связь этого архива с РТУ МИРЭА, его также можно найти и в других разделах. Архив можно найти в разделе "к экзамену/зачёту", в предмете "физико-химические основы процессов микро- и нанотехнологии" в общих файлах.
Онлайн просмотр документа "037.N-МОП - Википедия"
Текст из документа "037.N-МОП - Википедия"
N-МОП
МОП (металл-оксид-полупроводник) — один из видов полевого транзистора.
Полевые транзисторы создавались для преодоления недостатков обычных биполярных транзисторов и особенно преодоления частоты в 100 МГц. Но из-за слишком простой конструкции МОП-транзистор работает очень медленно. Особенно это касается p-МОП схем, где носителем заряда являются малоподвижные дырки.
МОП-транзистор часто называют электронным аналогом лампового триода. Своим(?) электрическим полем (на выводе затвора) он индуцирует переход как в обычном биполярном транзисторе. При этом появляется переход, по которому течёт ток. При изменении полярности на затворе переход исчезает, ток не проходит.
Логический МОП-элемент представляет собой два транзистора n-МОП или p-МОП с резисторами смещения. В зависимости от напряжения на входе включается либо первый, либо второй транзистор, при этом на выход поступает либо напряжение питания, либо корпус(?). Для повышения степени интеграции и экономичности в ходе усовершенствований удалось избавиться от «ненужных» резисторов.
МОП-транзисторы занимают на кристалле микросхемы в 6-9 раз меньшую площадь, чем транзисторы, используемые в ТТЛ за счёт отсутствия изолятора на подложке. Это позволило добиться высокой степени интеграции и создать микропроцессоры (процессоры собранные в одной микросхеме). Например: для создания статического или отдельного изодинамического триггера нужно 6 транзисторов, но на кристалле они занимают меньшую площадь, чем два биполярных транзистора обычного триггера. Мощность потребления у МОП-транзисторов очень мала (особенно p-МОП), что позволяет делать на их основе часы, калькуляторы и др. устройства, требующие экономичности. n-МОП схемы применяются чаще из-за большей простоты изготовления и чуть большего быстродействия.
Существуют и иные разновидности МОП-транзисторов. В частности с диодами Шоттки — обычно это МеП (Металл-полупроводник). ЛИЗМОП (МОП с Лавинной Инжекцией Заряда) с «плавающим» затвором без вывода. В нём затвор представляет собой диэлектрик, который состоит из молибдена или поликремния(?). При инжекции заряда информация запоминается. Для стирания используется облучение ультрафиолетом. Аналогично устроена и Flash-память, но там затворы тоньше для возможности «вытягивания» заряда в подложку. Для поблочной адресации и для исключения возможности повреждения транзисторов при стирании данная память часто имеет встроенные цепи программирования/стирания/управления. МНОП (металл-нитрид-оксид-полупроводник) — транзистор с двойным затвором и двойным изолятором из нитридного и оксидного слоёв. В процессе заряда ток проходит через оксид, но не проходит через нитрид, что позволяет сохранять информацию. Второй затвор сверху позволяет электрически стирать информацию в таком транзисторе. Применялись они до появления Flash-памяти. Другие виды транзисторов не рассматриваются из-за их малой распространённости.
Преимущества МОП: высокая экономичность, высокая плотность размещения на кристалле, низкая стоимость.
Недостатки: низкое быстродействие.
