032.Насыщенные биполярн лог эл_ТЛНС (Ответы на экзаменационные билеты (МСТ))
Описание файла
Файл "032.Насыщенные биполярн лог эл_ТЛНС" внутри архива находится в следующих папках: Ответы на экзаменационные билеты (МСТ), Ответы на билеты_doc. Документ из архива "Ответы на экзаменационные билеты (МСТ)", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "физико-химические основы нанотехнологий (фхонт)" из 6 семестр, которые можно найти в файловом архиве РТУ МИРЭА. Не смотря на прямую связь этого архива с РТУ МИРЭА, его также можно найти и в других разделах. Архив можно найти в разделе "к экзамену/зачёту", в предмете "физико-химические основы процессов микро- и нанотехнологии" в общих файлах.
Онлайн просмотр документа "032.Насыщенные биполярн лог эл_ТЛНС"
Текст из документа "032.Насыщенные биполярн лог эл_ТЛНС"
Транзисторная логика с непосредственными связями (ТЛНС)
В схеме элемента ТЛНС сопротивление нагрузки включено в цепь соединенных коллекторов двух транзисторов (Рисунок 15,а). Входные сигналы X1 и X2 подаются на базы этих транзисторов. Если X1 и X2 одновременно равны «лог 0», то оба транзистора закрыты и на выходе схемы будет высокий потенциал Y=1. Если хотя бы на один, или на оба входа, подать высокий потенциал «лог 1», то один или оба транзистора открыты и на выходе схемы будет низкий потенциал Y=0. Таким образом, схема выполняет операцию ИЛИ-НЕ.
Рисунок 15 ЛЭ НСТЛ а) и входные характеристики транзисторов нагрузки б).
Как видно, схема элемента НСТЛ предельно проста, однако у неё есть существенный недостаток. Когда на выходе элемента установлен потенциал лог. «1», на базы транзисторов нагрузок, как показано на рисунке 15,а пунктиром, подаётся постоянный потенциал U¹. Из-за разброса параметров транзисторов (см. рисунок 15,б), токи баз транзисторов могут существенно различаться. В результате один из транзисторов может войти в глубокое насыщение, а другой — находиться в линейном режиме. При этом уровни «лог.1» будут существенно различаться, что неизменно приведёт к сбоям в работе устройства в целом. Поэтому схема ЛЭ НСТЛ применяется только на транзисторах, управляемых напряжением.