Отчет_АВ (Лабораторная работа №3 АВ)
Описание файла
Файл "Отчет_АВ" внутри архива находится в папке "Лабораторная работа №3 АВ". Документ из архива "Лабораторная работа №3 АВ", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "электроника и микроэлектроника" из 4 семестр, которые можно найти в файловом архиве МГТУ им. Н.Э.Баумана. Не смотря на прямую связь этого архива с МГТУ им. Н.Э.Баумана, его также можно найти и в других разделах. Архив можно найти в разделе "лабораторные работы", в предмете "электроника и микроэлектроника" в общих файлах.
Онлайн просмотр документа "Отчет_АВ"
Текст из документа "Отчет_АВ"
ПРАКТИЧЕСКАЯ ЧАСТЬ
1. Измерить статический коэффициент усиления по току транзистора, установленного в ключе.
Рисунок 1 – Изменение параметров транзистора в соответствии с условием
Рисунок 2 – Измерение статического коэффициента усиления по току
2. Исследовать статические состояния ТК при различных Rк. Определить величину сопротивления Rк, соответствующую границе насыщения.
Таблица 1 – Статические состояния транзистора при изменении Rк
| Rк, Ом | Iб, мА | Iк, мА | Uкэ, В | В |
| 130 | 0,033 | 0,696 | 9,909 | 21,09091 |
| 910 | 0,033 | 0,689 | 9,372 | 20,87879 |
| 5100 | 0,033 | 0,656 | 6,656 | 19,87879 |
| 10000 | 0,033 | 0,62 | 3,808 | 18,78788 |
| 35000 | 0,034 | 0,284 | 0,061 | 8,352941 |
| 75000 | 0,035 | 0,233 | 0,029 | 6,657143 |
Выводы по полученным результатам:
3. Исследовать характеристики ТК в динамическом режиме. Выявить зависимости основных параметров переходных процессов tф, tрас, tc от амплитуды входного напряжения. Построить соответствующие графики. Для одного из значений входного напряжения рассчитать tф, tрас, tc по приведенным формулам. Оценить расхождение расчетных величин и измеренных.
Rk=1,2 кОм
Рисунок 3 – Схема для снятия характеристик ТК, работающего в динамическом режиме (10В, 300кГц)
Рисунок 4 – Осциллограммы динамического режима работы ТК (10В, 300кГц)
Рисунок 5 – Схема для снятия характеристик ТК, работающего в динамическом режиме (8В, 300кГц)
Рисунок 6.1 – Осциллограмма динамического режима работы ТК (8В, 300кГц)
Рисунок 6.2 – Осциллограммы динамического режима работы ТК (8В, 300кГц)
Рисунок 7 – Схема для снятия характеристик ТК, работающего в динамическом режиме (6В, 300кГц)
Рисунок 8 – Осциллограммы динамического режима работы ТК (6В, 300кГц)
Рисунок 9 – Схема для снятия характеристик ТК, работающего в динамическом режиме (4В, 200кГц)
Рисунок 10 – Осциллограммы динамического режима работы ТК (4В, 200кГц)
Таблица 2 – Динамический режим работы ТК
| Uвх, В | tф, нс | tc, нс | tрас, нс |
| -10 | 359,5 | 514,1 | 420 |
| -8 | 516,1 | 516 | 303 |
| -6 | 997,9 | 512 | 161,9 |
| -4 | 1379 | 271,6 | 47 |
Рисунок 11 – Зависимость продолжительности фронта от амплитуды входного напряжения
Рисунок 12 – Зависимость продолжительности рассасывания от амплитуды входного напряжения
Рисунок 13 – Зависимость продолжительности спада от амплитуды входного напряжения
Выводы по полученным результатам:
4. Исследовать влияние форсирующего конденсатора на основные параметры переходных процессов.
Рисунок 14 – Схема для снятия характеристик ТК с форсирующим конденсатором (10В, 300кГц)
Рисунок 15 – Осциллограмма режима работы ТК с форсирующим конденсатором (10В, 300кГц)
Рисунок 16 – Схема для снятия характеристик ТК с форсирующим конденсатором (8В, 300кГц)
Рисунок 17 – Осциллограмма режима работы ТК с форсирующим конденсатором (8В, 200кГц)
Рисунок 18 – Схема для снятия характеристик ТК с форсирующим конденсатором (6В, 300кГц)
Рисунок 19 – Осциллограмма режима работы ТК с форсирующим конденсатором (6В, 300кГц)
Рисунок 20 – Схема для снятия характеристик ТК с форсирующим конденсатором (4В, 300кГц)
Рисунок 21 – Осциллограмма режима работы ТК с форсирующим конденсатором (4В, 300кГц)
Таблица 3 – Параметры при наличии форсирующего конденсатора
| Uвх, В | tф, нс | tc, нс | tрас, нс |
| -10 | 20,8 | 11,08 | 35,8 |
| -8 | 25,4 | 12,7 | 32,6 |
| -6 | 37,75 | 10,9 | 25,4 |
| -4 | 70,8 | 18,15 | 7,62 |
Рисунок 22 – Зависимость продолжительности фронта от амплитуды входного напряжения
Рисунок 23 – Зависимость продолжительности рассасывания от амплитуды входного напряжения
Рисунок 24 – Зависимость продолжительности спада от амплитуды входного напряжения
Выводы по полученным результатам:
5. Определить, на какие параметры ТК оказывает влияние конденсатор нагрузочной цепи.
Рисунок 25 – Схема для снятия характеристик ТК с нагрузочным конденсатором (10В, 300кГц)
Рисунок 26 – Осциллограмма режима работы ТК с нагрузочным конденсатором (10В, 300кГц)
Рисунок 27 – Схема для снятия характеристик ТК с нагрузочным конденсатором (8В, 300кГц)
Рисунок 28 – Осциллограмма режима работы ТК с нагрузочным конденсатором (8В, 300кГц)
Рисунок 29 – Схема для снятия характеристик ТК с нагрузочным конденсатором (6В, 300кГц)
Рисунок 30 – Осциллограмма режима работы ТК с нагрузочным конденсатором (6В, 300кГц)
Рисунок 31 – Схема для снятия характеристик ТК с нагрузочным конденсатором (4В, 300кГц)
Рисунок 32 – Осциллограмма режима работы ТК с нагрузочным конденсатором (4В, 300кГц)
Таблица 3 – Параметры при наличии конденсатора в нагрузочной цепи
| Uвх, В | tф, нс | tc, нс | tрас, нс |
| -10 | 341,2 | 508,6 | 410,6 |
| -8 | 537,2 | 508,1 | 308,5 |
| -6 | 1013 | 544 | 148,8 |
| -4 | 1263 | 170,6 | 68,9 |
Рисунок 33 – Зависимость продолжительности фронта от амплитуды входного напряжения
Рисунок 34 – Зависимость продолжительности рассасывания от амплитуды входного напряжения
Рисунок 35 – Зависимость продолжительности спада от амплитуды входного напряжения
Выводы по полученным результатам:
Рисунок 36 – Схема для снятия временной диаграммы
Рисунок 37 – Временная диаграмма работы ТК
6. Определить, при каких параметрах коммутируемых элементов схемы ТК макета возникает инверсное запирание.
