Михайлов В.П. - Учебное пособие по курсу ФОЭТ, страница 7
Описание файла
Документ из архива "Михайлов В.П. - Учебное пособие по курсу ФОЭТ", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "физико-химические основы нанотехнологий (фхонт)" из 5 семестр, которые можно найти в файловом архиве МГТУ им. Н.Э.Баумана. Не смотря на прямую связь этого архива с МГТУ им. Н.Э.Баумана, его также можно найти и в других разделах. Архив можно найти в разделе "книги и методические указания", в предмете "физико-химические основы нанотехнологий (фхонт)" в общих файлах.
Онлайн просмотр документа "Михайлов В.П. - Учебное пособие по курсу ФОЭТ"
Текст 7 страницы из документа "Михайлов В.П. - Учебное пособие по курсу ФОЭТ"
2) 0 <UA <UC. При этом часть электронов попадает на анод, образуя IA, а часть электронов возвращается к сетке, образуя IC. Таким образом, IK = IC +IA.
Режим прямого перехвата электронов сеткой
| При условии UA > UC режим возврата электронов к сетке прекращается. Наступает режим токораспределения, называемый режимом прямого перехвата электронов сеткой. Ток сетки IC образуется только за счет электронов, которые непосредственно попадают на витки сетки. |
Коэффициент токораспределения kTP определяется в основном, соотношением площадей анода А и сетки С. I – режим возврата электронов к сетке, II – режим перехвата электронов сеткой.
Режим возврата электронов к сетке используется в электрометрических лампах, например, в ионизационном преобразователе давления, для увеличения длины траектории движения электронов.
Статические характеристики триода
В общем случае катодный ток IK разветвляется на два: анодный IA и сеточный IС. Поэтому рассматривают зависимости IA и IC от напряжения UC и UA:
IA = f (UC; UA) ; IC = (UC;UA).
Обычно рассматривают 4 зависимости, которые называются статическими характеристиками триода:
анодно-сеточная характеристика
IA = f1 (UC) при UA = const;
анодная характеристика
IA = f2 (UA) при UC = const;
сеточная характеристика
IC = (UC) при UA = const;
сеточно-анодная характеристика
IC = 2 (UA) при UC = const.
Анодно-сеточная характеристика IA = f1 (UC)
| UC01, UC02, UC03 – напряжения запирания триода (зависит от UA ). IA1, IA2, IA3 – начальные анодные токи (при UC = 0). В области отрицательных значений UC кривые описываются законом “степени 3/2”. В этом случае IC = 0. При UC >0 триод работает в режиме прямого перехвата электронов: IK = IA + IC |
Сеточные характеристики IC = 1 (UC)
| В области отрицательных значений UC сеточный ток IC = 0. Если при снятии сеточных характеристик в цепь сетки включить более чувствительный прибор, то можно заметить, что кривые IC = 1 (UC) не всегда начинаются в начале координат. |
Начальная область сеточной характеристики
а) Кривая сдвинута влево. Ucco - напряжение запирания в сеточной цепи лампы; Ico - начальный сеточный ток при Uc =0. Этот эффект можно объяснить тем, что наиболее быстрые эмитирующие электроны преодолевают небольшой потенциальный барьер при Uc < 0.
б) Кривая сдвинута вправо: UС1 - максимальное положительное напряжение сетки, при котором Ic=0. Эффект можно объяснить тем, что в плоскости витков сетки даже при Uc > 0 существует небольшой потенциальный барьер.
в) Появление обратного сеточного тока при Uc < 0. Наблюдается в триодах с плохим вакуумом. Энергия электронов достаточна для того, чтобы ионизировать молекулы газа в колбе триода. Ионы молекул (+) попадают на отрицательную сетку и создают обратный сеточный ток - Ic ( ионный ток).
По величине обратного тока - Ic можно судить об остаточном давлении в баллоне ЭВП (по аналогии с ионизационном преобразователем давления).
Обратный ток сетки - Ic может возникнуть также за счет вторичной электронной эмиссии с поверхности витков сетки. Величина Ic зависит от степени "загрязнения" сетки испарившимся материалом катода и нагрева сетки от катода. Для устранения этих причин улучшают теплоотвод от сетки, применяя массивные элементы крепления. Проволоку витков сетки покрывают золотом, что способствует диффузии "загрязняющих" атомов в глубину слоя покрытия и уменьшению вторичной электронной эмиссии.
Анодные характеристики IA = f2 (UA)
| При Uc < 0 кривые выходят из точек UA1, UA2, т.е. для преодоления потенциального барьера сетки необходимо на аноде создать начальный потенциал UA1, UA2. |
I - триод работает в режиме возврата электрона к сетке.
II - область работы триода в режиме прямого перехвата электрода сеткой.
Сеточно - анодные характеристики Ic = 2 (UA)
| I - режим возврата электрода к сетке (при малых значениях UA ). II - режим примого перехвата электрода сеткой (при больших UA). |
Статические параметры электронных ламп
Статические параметры электронных ламп - величины, характеризующие основные свойства ламп в статическом режиме.
1.Статические параметры диода
Крутизна характеристики S - показывает, на какую величину изменится анодный ток IA при изменении анодного напряжения UA на один вольт .
Для диода S const и определяется как tg, где - угол наклона касательной к анодной характеристики IA=(UA) в данной точке.
(S = 1…10 мА/В).
Дифференциальное сопротивление Ri - величина, обратная крутизне S: и может рассматриваться как сопротивление протекаемому через диод переменному току (Ri=10 Oм…10 кOм).
2. Статические параметры триода
Крутизна анодно - сеточной характенистики .
Крутизна показывает, на какую величину изменится анодный ток триода, если напряжение на сетке изменить на один вольт, сохраняя при этом UA=const.
В паспорте лампы приводится значение S для номинального режима (UH, UC, UA). Обычно S=1…50 [мА/В].
Дифференциальное (внутреннее) сопротивление лампы является сопротивлением лампы при переменном токе. Обычно Ri = 1…100 кOм.
Сопротивление триода при постоянном токе по аналогии с диодом
Статический коэффициент усиления оценивает сравнительное воздействие напряжений на аноде и на сетке на анодный ток. .
Статический коэффициент усиления показывает, на какую величину dUA надо изменить напряжение на аноде, чтобы сохранить анодный ток IA= const при условии изменения напряжения на сетке на величину dUC. Знак (-) показывает, что величины приращений dUA и dUC противоположны по знаку. Обычно для триодов =10…100.
Пример 1:
Дано: изменение анодного тока в триоде ∆IA = 4мА может быть полученно:
а) за счет изменения сеточного напряжения ∆UC=1,25B
б) за счет изменения анодного напряжения ∆UA=50B.
Найти: крутизну характеристику S, внутренее сопротивление Ri, статический коэффициент усиления .
Решение:
1.Крутизна анодно-сеточной характеристики:
2.Внутренее сопротивление триода: .
3.Статический коэффициент усиления: .
Физические процессы в многоэлектродных лампах
Многоэлектродными называют электронные лампы с общим потоком электронов, имеющие катод, анод и более одной сетки.
Схема включения экранирующей сетки | Четырёхэлектродная лампа, имеющая катод, анод, управляющую и экранирующую сетки, называется тетродом. Экранирующая сетка (обычно проволочная спираль) располагается между управляющей сеткой и анодом и заземляется по переменному току через ёмкость С. На экранирующую сетку обычно подаётся положительное напряжение, равное 60–100% от анодного напряжения. |
Распределение потенциала в тетроде
При UA 20В энергии электронов достаточно для вторичной эмиссии с анода. Эти вторичные электроны движутся к экранирующей сетке С2, вызывая увеличение IC2 и уменьшение IA.
Распределение потенциала при работе тетрода в номинальном режиме |
Для устранения динатронного эффекта необходимо обеспечить работу тетрода в номинальном режиме (UC2<UA). При этом IA>IC2, т.к. вторичные электроны движутся от экранирующей сетки С2 к аноду А. |
Характеристики тетрода
Характеристики тетрода:(---) – расчётные; (––) – реальные | При UA=0 все электроны, преодолевшие потенциальный барьер управляющей сетки (UC1<0) попадают на экранирующую сетку и IK=IC2; IA=0. При небольших UA<UC2 лишь небольшая часть электронов попадает на анод, другая часть возвращается на С2, т.е. тетрод работает в режиме возврата электронов на сетку (участок 1). |
При дальнейшем UA (UA 20В) начинается вторичная электронная эмиссия на аноде. Поскольку UA<UC2, вторичные электроны перемещаются от анода к сетке и происходит падение анодного тока IA и увеличение тока сетки С2, т.е. наблюдается динатронный эффект (участок 2).