Tsvetkov_6 (Лекции по фотолитографии), страница 2
Описание файла
Файл "Tsvetkov_6" внутри архива находится в папке "Лекции по фотолитографии". Документ из архива "Лекции по фотолитографии", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "технология и оборудование микро и наноэлектроники" из 6 семестр, которые можно найти в файловом архиве МГТУ им. Н.Э.Баумана. Не смотря на прямую связь этого архива с МГТУ им. Н.Э.Баумана, его также можно найти и в других разделах. Архив можно найти в разделе "лекции и семинары", в предмете "технология и оборудование микро и наноэлектроники" в общих файлах.
Онлайн просмотр документа "Tsvetkov_6"
Текст 2 страницы из документа "Tsvetkov_6"
Площадь S обследования обычно составляет 50-100 структур, что значительно превышает критическую, т.е. наиболее уязвимую для локальных дефектов, площадь структуры Sкр.
Выход P годных структур при случайном распределении дефектов после операции, вносящей дефектов на единицу площади, можно определить по формуле
При увеличении параметров и Sкр выход годных структур резко уменьшается, что затрудняет изготовление интегральных микросхем больших размеров. Так, при площади критической области Sкр=0,05мм2 и средней плотности дефектов =1мм-2 выход годных структур после одной фотолитографии P=0,95, а после шести фотолитографий с теми же параметрами P=0,73. При увеличении площади критической области до 0,2мм2 выход годных структур после шести фотолитографий падает до Р=0,3, а при Sкр=0,5мм2 становится равным 0,05.
6.4.3. Контроль координатной точности
Погрешности совмещения рисунков фотошаблонов не должны превышать 15-20% от минимального размера элемента.
П
ри изготовлении фотошаблонов могут появиться такие погрешности как масштаб, разворот неортогональность отдельных модулей, а также координатные погрешности их размещения в массиве на рабочем поле шаблона: