rpd000007858 (211000 (11.03.03).Б6 Информационные технологии проектирования радиоэлектронных устройств)

Семестр

Трудоем-кость,

час.

Лек-ций,

час.

Практич. занятий,

час.

Лаборат. работ,

час.

СРС,

час.

Экзаменов,

час.

Форма промежуточного контроля

3

108

26

12

12

58

0

0

4

72

18

0

16

11

27

Э

Итого

180

44

12

28

69

27

Шишкин Г.Г.

_________________________

Заведующий обеспечивающей кафедрой 408

_________________________

Заведующий выпускающей кафедрой 404

_________________________

Декан выпускающего факультета 4

_________________________

N

Шифр

Результат освоения

1

Иметь представление об основных характеристиках и принципах работы гидрогазовой системы и основных функциональных систем ЛА, использующих гидропривод.

N

Шифр

Компетенция

1

ПК-1

Способен представить адекватную современному уровню знаний научную картину мира на основе знания основных положений, законов и методов естественных наук и математики

2

ПК-2

Способностью выявить естественно научную сущность проблем, возникающих в ходе профессиональной деятельности, привлечь для их решения соответствующий физико-математический аппарат

3

ПК-3

Готов учитывать современные тенденции развития электроники, измерительной и вычислительной техники, информационных технологий в своей профессиональной деятельности

4

Владеет методами оценки основных технических характеристик проектируемого изделия.

Модуль

Раздел

Лекции

Практич. занятия

Лаборат. работы

СРС

Всего часов

Всего с экзаменами и курсовыми

Физические основы микро и наноэлектроники. Часть 1

Физические явления и процессы в полупроводниковых микроэлектронных структурах

4

2

0

2

8

108

Контактные явления в микроэлектронных структурах

8

4

8

8

28

Полупроводниковые диоды.

0

0

4

2

6

Биполярные интегральные схемы

8

2

0

2

12

Интегральные микросхемы на базе полевых транзисторов

6

4

0

44

54

Физические основы микро и наноэлектроники. Часть 2

Фотоэлектрические эффекты в полупроводниках и электрических переходах.

8

0

16

11

35

72

Перспективные направления в микроэлектронике

10

0

0

0

10

Всего

44

12

28

69

153

180

№ п/п

Раздел дисциплины

Объем, часов

Тема лекции

Дидакт. единицы

1

1.1.Физические явления и процессы в полупроводниковых микроэлектронных структурах

2

Основные понятия физики полупроводников

1.1

2

1.1.Физические явления и процессы в полупроводниковых микроэлектронных структурах

2

Электрофизические свойства полупроводников

1.1, 1.2

3

1.2.Контактные явления в микроэлектронных структурах

2

Электрические переходы. . р-п переход в равновесном состоянии

2.1

4

1.2.Контактные явления в микроэлектронных структурах

2

р-п переход в неравновесном состоянии

2.2

5

1.2.Контактные явления в микроэлектронных структурах

2

Свойства р-п перехода

2.3

6

1.2.Контактные явления в микроэлектронных структурах

2

Диоды

2.3

7

1.4.Биполярные интегральные схемы

4

Физика биполярных транзисторов

4.1

8

1.4.Биполярные интегральные схемы

2

Параметры и характеристики биполярных транзисторов

4.2

9

1.4.Биполярные интегральные схемы

2

Применение БП транзисторов в электронных схемах

4.3

10

1.5.Интегральные микросхемы на базе полевых транзисторов

2

Физика полевых транзисторов

5.1

11

1.5.Интегральные микросхемы на базе полевых транзисторов

2

Параметры и характеристики полевых транзисторов

5.2

12

1.5.Интегральные микросхемы на базе полевых транзисторов

2

Полевые транзисторы интегральных схем

5.2

13

2.1.Фотоэлектрические эффекты в полупроводниках и электрических переходах.

2

Действие света на полупроводники и электр. переходы

6.1

14

2.1.Фотоэлектрические эффекты в полупроводниках и электрических переходах.

2

Фотоизлучающие приборы

6.2

15

2.1.Фотоэлектрические эффекты в полупроводниках и электрических переходах.

2

Фотоприемные приборы

6.2

16

2.1.Фотоэлектрические эффекты в полупроводниках и электрических переходах.

2

Элементы интегральной оптоэлектроники

6.2

17

2.2.Перспективные направления в микроэлектронике

2

Интегральные схемы. Основные понятия

7.1

18

2.2.Перспективные направления в микроэлектронике

2

Биполярные интегральные схемы. Логики

7.1

19

2.2.Перспективные направления в микроэлектронике

2

Логические схемы на полевых транзисторах

7.2

20

2.2.Перспективные направления в микроэлектронике

2

Фундаментальные ограничения микроминиатюризации

7.3

21

2.2.Перспективные направления в микроэлектронике

2

Новые направления в микро и наноэлектронике

7.4

Итого:

44

№ п/п

Раздел дисциплины

Объем, часов

Тема практического занятия

Дидакт. единицы

1

1.1.Физические явления и процессы в полупроводниковых микроэлектронных структурах

2

Расчет концентрации электронов в типичных полупроводниках

1.1

2

1.2.Контактные явления в микроэлектронных структурах

2

Расчет идеальной ВАХ р-п перехода

2.3

3

1.2.Контактные явления в микроэлектронных структурах

2

Расчет реальной ВАХ перехода

2.4

4

1.4.Биполярные интегральные схемы

2

Расчет характеристик биполярного транзистора

4.3

5

1.5.Интегральные микросхемы на базе полевых транзисторов

2

Расчет параметров полевого транзистора

5.2

6

1.5.Интегральные микросхемы на базе полевых транзисторов

2

Защита рефератов

7.5

Итого:

12

№ п/п

Раздел дисциплины

Наименование лабораторной работы

Наименование лаборатории

Объем, часов

Дидакт. единицы

1

1.2.Контактные явления в микроэлектронных структурах

Статические характеристики р-п перехода

Лаб. полупроводниковых приборов

4

2.3

2

1.2.Контактные явления в микроэлектронных структурах

Динамические характеристики р-п перехода

Лаб. полупроводниковых приборов

4

3.1

3

1.3.Полупроводниковые диоды.

Исследование полупроводниковых диодов

Лаб. полупроводниковых приборов

4

3.1

4

2.1.Фотоэлектрические эффекты в полупроводниках и электрических переходах.

Исследование БП транзистора

Лаб. полупроводниковых приборов

4

4.1

5

2.1.Фотоэлектрические эффекты в полупроводниках и электрических переходах.

Исследование полевого транзистора

Лаб. полупроводниковых приборов

4

5.2

6

2.1.Фотоэлектрические эффекты в полупроводниках и электрических переходах.

Исследование действия света на р-п переход

Лаб. полупроводниковых приборов

8

6.1

Итого:

28

№ п/п

Раздел дисциплины

Объем, часов

Наименование типового задания

Итого: