rpd000007857 (210700 (11.03.02).Б1 Системы мобильной связи), страница 2

Прикрепленные файлы: Вопросы экзамена.doc

1. УЧЕБНО-МЕТОДИЧЕСКОЕ И ИНФОРМАЦИОННОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ ДИСЦИПЛИНЫ

а)основная литература:

1. Шишкин Г.Г., Агеев И.М. Наноэлектроника: элементы, приборы, устройства. Уч. пособие. – М.:БИНОМ. Лаборатория знаний.2012.

2. Шишкин Г.Г., Шишкин А.Г. Электроника. Учебник для вузов. – М.: Дрофа, 2009, − 703 с.

3 Степаненко И.П. Основы микроэлектроники. Учебное пособие для вузов. – 2-изд., перераб. и доп. ― М.: – Санкт-Петербург: Лаб. Баз. Знаний Невский Диалект физматлит, 2001.

5. Аваев Н.А., Наумов Ю.Е., Фролкин В.Т. Основы микроэлектроники. Учебное пособие для вузов.- М.: Радио и связь,1991, 288с.

6. Ю.Ф.Опадчий, О.П.Глудкин, А.И.Гуров. Аналоговая и цифровая электроника / Под ред. О.П.Глудкина. – М.: Горячая линия – Телеком, 2002.

7. К.П. Кирдяшев. Моделирование физических процессов в электронных приборах. -М.: Издательство МАИ,2007, 80с..

8. Методические указания к лабораторным работам. МАИ (НИУ), каф. 408 (www.kaf408.ru), 2011 -2012 г.г.

б)дополнительная литература:

1. Электронные, квантовые приборы и микроэлектроника: учебное пособие для вузов / Ю.Л. Бобровский, С.А.Корнилов, И.А.Кратиров и др.; Под ред. Проф.Н.Д.Федорова. – М.: Радио и связь, 1998.- 560 с

2. Драгунов В.П., Неизвестный И.Г., Гризчин В.А. Основы наноэлектроники. Учебн. пособие. – М.: Университетская книга. Логос. 2006.

3. Маллер Р., Кейлинс Т. Элементы интегральных схем - М.: Мир, 1989, 628 с.

4. У.Тилл, Дж.Лаксон. Интегральные схемы: материалы, приборы, изготовление.- М.Мир, 1985, 504 с.

5. Л.Росадо. Физическая электроника и микроэлектроника. М.: Высшая школа, 1991. – 352 с.

в) программное обеспечение: Mathcad, МicroCap, Advance Design System – демоверсия, LabView

г) базы данных, информационно-справочные и поисковые системы

1. Петухов В.М. Транзисторы и их зарубежные аналоги: справочник; в 5 т./ В.М.Петухов – М.: «ИП РадиоСофт», 1997-2002.

в)программное обеспечение, Интернет-ресурсы, электронные библиотечные системы:

1. МАТЕРИАЛЬНО-ТЕХНИЧЕСКОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ ДИСЦИПЛИНЫ

Комплект лабораторных стендов для исследования статических характеристик р – п перехода.

Комплект лабораторных стендов для исследования динамических характеристик р – п перехода.

Комплект лабораторных стендов для исследования электрофизических параметров полупроводников.

Комплект лабораторных стендов для исследования характеристик светодиода и полупроводникового лазера.

Наглядные пособия для изучения конструкций ИМС. Измерительные средства для обеспечения программ измерения на названных стендах.

Предпочтительно использование стендов, сопряженных с ПЭВМ, используемых для управления экспериментами и измерениями, а также выхода в Интернет для получения справочных данных, проведения расчетов и выполнения виртуальных лабораторных работ.

Приложение 1
к рабочей программе дисциплины
«Электроника »

Аннотация рабочей программы

Дисциплина Электроника является частью Профессионального цикла дисциплин подготовки студентов по направлению подготовки Инфокоммуникационные технологии и системы связи. Дисциплина реализуется на 4 факультете «Московского авиационного института (национального исследовательского университета)» кафедрой (кафедрами) 408.

Дисциплина нацелена на формирование следующих компетенций: ОК-7 ,ОК-9 ,ПК-2 ,ПК-4 ,ПК-14 ,ПК-16 ,ПК-17 ,ПК-18.

Содержание дисциплины охватывает круг вопросов, связанных с: физическими основами работы электронных приборов, включая приборы микро и наноэлектроники.

Преподавание дисциплины предусматривает следующие формы организации учебного процесса: Лекция, мастер-класс, Практическое занятие, Лабораторная работа.

Программой дисциплины предусмотрены следующие виды контроля: промежуточная аттестация в форме Экзамен (4 семестр).

Общая трудоемкость освоения дисциплины составляет 3 зачетных единиц, 108 часов. Программой дисциплины предусмотрены лекционные (20 часов), практические (10 часов), лабораторные (24 часов) занятия и (27 часов) самостоятельной работы студента.

Приложение 2
к рабочей программе дисциплины
«Электроника »

Cодержание учебных занятий

1. Лекции

1.1.1. диоды(АЗ: 2, СРС: 4)

Тип лекции: Информационная лекция

Форма организации: Лекция, мастер-класс

1.2.1. Физика действия биполярного транзистора(АЗ: 2, СРС: 4)

Тип лекции: Информационная лекция

Форма организации: Лекция, мастер-класс

1.2.2. Вольтамперные характеристики биполярного транзистора(АЗ: 2, СРС: 0)

Тип лекции: Информационная лекция

Форма организации: Лекция, мастер-класс

1.2.3. Динамические свойства транзисторов(АЗ: 2, СРС: 0)

Тип лекции: Информационная лекция

Форма организации: Лекция, мастер-класс

1.3.1. Физические принципы действия полевого транзистора(АЗ: 2, СРС: 4)

Тип лекции: Информационная лекция

Форма организации: Лекция, мастер-класс

1.3.2. Параметры и характеристики полевых транзисторов(АЗ: 2, СРС: 0)

Тип лекции: Информационная лекция

Форма организации: Лекция, мастер-класс

1.4.1. Оптоэлектронные приборы(АЗ: 2, СРС: 9)

Тип лекции: Информационная лекция

Форма организации: Лекция, мастер-класс

1.5.1. Вакуумные приборы(АЗ: 2, СРС: 6)

Тип лекции: Информационная лекция

Форма организации: Лекция, мастер-класс

1.5.2. Интегральные схемы. Приборы микро и наноэлектроники(АЗ: 2, СРС: 0)

Тип лекции: Информационная лекция

Форма организации: Лекция, мастер-класс

1.5.3. Квантовые приборы(АЗ: 2, СРС: 0)

Тип лекции: Информационная лекция

Форма организации: Лекция, мастер-класс

1. Практические занятия

1.1.1. Электронная перестройка колебательного контура (АЗ: 2, СРС: 0)

Форма организации: Практическое занятие

1.2.1. Расчет характеристик биполярного транзистора. (АЗ: 2, СРС: 0)

Форма организации: Практическое занятие

1.3.1. Параметры и характеристики МДП транзистора(АЗ: 2, СРС: 0)

Форма организации: Практическое занятие

1.4.1. Вольтамперные и световые характеристики фотодиода(АЗ: 2, СРС: 0)

Форма организации: Практическое занятие

1.5.1. Движение электронов в магнитном поле (АЗ: 2, СРС: 0)

Форма организации: Практическое занятие

1. Лабораторные работы

1.2.1. Исследование статических ВАХ биполярного транзистора(АЗ: 4, СРС: 0)

Форма организации: Лабораторная работа

1.3.1. Параметры и характеристики МДП транзистора(АЗ: 4, СРС: 0)

Форма организации: Лабораторная работа

1.4.1. Исследование фототранзистора(АЗ: 4, СРС: 0)

Форма организации: Лабораторная работа

1.4.2. Исследование оптронов(АЗ: 4, СРС: 0)

Форма организации: Лабораторная работа

1.5.1. Исследование лампы бегущей волны(АЗ: 4, СРС: 0)

Форма организации: Лабораторная работа

1.5.2. Иследование газового и полупроводникового лазеров(АЗ: 4, СРС: 0)

Форма организации: Лабораторная работа

1. Типовые задания

Приложение 3
к рабочей программе дисциплины
«Электроника »

Прикрепленные файлы

Вопросы экзамена.doc

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ

ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ

МОСКОВСКИЙ АВИАЦИОННЫЙ ИНСТИТУТ
(НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ)

«МАИ»

Факультет № 4 : «Радиоэлектроника летательных аппаратов »

Кафедра № 408 «Средства связи с подвижными объектами »

Утверждено на заседании

Учебно-методического Совета факультета №

Протокол №

от «___»___________20 г.

Варианты экзаменационных вопросов промежуточного контроля

по дисциплине:

«Электроника »

для основной образовательной программы

«Инфокоммуникационные технологии и системы связи »

по направлению (специальности) подготовки

«связь с подвижными объектами »

Разработано:

(ФИО преподавателя)

Утверждено

на заседании кафедры

«___»____________ 20 г.

Москва - 2013г.

Целью выполнения контроля освоения дисциплины является достижение следующих результатов образования (РО):

знания:

на уровне представлений: представления о тенденциях развития электроники, элементной и технологической базы радиотехники и влиянии этого развития на выбор перспективных технических решений, обеспечивающих конкурентоспособность разрабатываемой аппаратуры

на уровне воспроизведения: модели электронных приборов, позволяющие оценивать характеристики и параметры приборов.

на уровне понимания: понимать принципы работы электронных приборов, которые используются в современных электронных устройствах, в том числе в нелинейных компонентах и активных приборах, используемых в радиоэлектронных средствах (РЭС).

умения:

теоретические: производить элементарные расчеты параметров и характеристик электронных приборов, применять модели приборов для объяснения принципов работы электронных устройств.

практические: владение современными аппаратурными средствами для измерения параметров и характеристик электронных приборов

навыки: практической работы с лабораторными макетами электронных приборов, техникой

компьютерной графики, экспериментальное исследование в рамках физического и

математического моделирования

Перечисленные РО являются основой для формирования следующих компетенций: (ООП))

общекультурных

ОК-9

профессиональных

ПК-4

ПК-17

Вопросы экзамена по курсу «Электроника»

1. Вольт-амперная характеристика диода Ганна. Применение диодов Ганна.

2. Вольт-амперная характеристика ЛПД. Механизм возникновения отрицательного дифференциального сопротивления.

3. Устройство биполярного транзистора. Распределение примесей, схемы включения.

4. Физические процессы в биполярных транзисторах. Эффект Эрли.

5. Коэффициенты передачи тока в биполярных транзисторах.

6. Вольт-амперные характеристики транзистора для схемы с общей базой. Укажите на них участки, соответствующие различным режимам работы. Как по ВАХ определить h-параметры.

7. Вольт-амперные характеристики транзистора для схемы с общим эмиттером. Укажите на них участки, соответствующие различным режимам работы. Как по ВАХ определить h-параметры.

8. Высокочастотные свойства транзисторов и эквивалентные схемы.

9. Модель транзистора Эберса – Молла.

10. Работа биполярного транзистора в режиме ключа. (большой импульсный сигнал).

11. Особенности транзисторов интегральных схем. Паразитный транзистор. Скрытая n⁺ область.

12. Диодное включение транзисторов ИС и их параметры.

13. Физические процессы в МДП-структуре. Режимы обеднения, инверсии и обогащения, пороговое напряжение для МДП-структуры.

14. Структура дискретного МДП-транзистора с индуцированным р каналом. Принцип управления током, идущим через транзистор. ВАХ.

15. Механизм образования канала и протекания тока в МДП-транзисторе. Нарисуйте его ВАХ.

16. Параметры ПТ-транзистора (крутизна стоково-затворной характеристики, внутреннее сопротивление коэффициент усиления по напряжению, напряжение пробоя).

17. Высокочастотные свойства полевых транзисторов и их эквивалентные схемы.

18. Особенности полевых транзисторов интегральных схем.

19. Структура полевого транзистора с управляющим p-n переходом и объясните принцип управления током. Нарисуйте ВАХ этого транзистора.

20. Структура и принцип действия тиристора. ВАХ тиристора.

21. Триоды, тетроды и пентоды. Устройство, назначение, характеристики.

22. Особенности диапазона и приборов СВЧ.

23. Клистроны. Классификация. Устройство двух резонаторного пролетного клистрона, назначение элементов. Резонаторы.

24. Отражательные клистроны. Устройство, назначение элементов.

25. Устройство ЛБВ и назначение элементов. Замедляющие системы и их свойства. Параметры и характеристики ЛБВО.

26. Принцип действия приборов типа М. Движение электронов в скрещенных полях. (Статический магнетрон).

27. Колебательная система магнетона. Процесс образования спиц.

28. Характеристики и параметры магнетронов. Нарисуйте и поясните зависимость порогового напряжения и напряжения критического режима от магнитного поля.

29. Фоторезисторы. Устройство, принцип работы, параметры и характеристики.

30. Лавинный фотодиод. Устройство, принцип работы, параметры и характеристики. p-i-n фотодиоды.

31. ФПЗС.

32. Оптроны.

33. Светодиоды.

34. He-Ne атомарный лазер. Общая характеристика молекулярных и ионных лазеров. Кпд лазеров.

35. ТТ-лазеры. Общая характеристика. Лазер на рубине.

36. Полупроводниковые инжекционные гетеролазеры.

Версия: AAAAAARxPD8 Код: 000007857