rpd000007857 (210700 (11.03.02).Б1 Системы мобильной связи)

Семестр

Трудоем-кость,

час.

Лек-ций,

час.

Практич. занятий,

час.

Лаборат. работ,

час.

СРС,

час.

Экзаменов,

час.

Форма промежуточного контроля

4

108

20

10

24

27

27

Э

Итого

108

20

10

24

27

27

Шишкин Г.Г.

_________________________

Заведующий обеспечивающей кафедрой 408

_________________________

Заведующий выпускающей кафедрой 408

_________________________

Декан выпускающего факультета 4

_________________________

N

Шифр

Результат освоения

1

Знать законы построения и методы анализа радиотехнических цепей

N

Шифр

Компетенция

1

ОК-7

Осознавать социальную значимость своей будущей профессии, обладать высокой мотивацией к выполнению профессиональной деятельности

2

ОК-9

Использует основные законы естественнонаучных дисциплин в профессиональной деятельности, применять методы математического анализа и моделирования, теоретического и экспериментального исследования

3

ПК-2

Иметь навыки самостоятельной работы на компьютере и в компьютерных сетях; осуществлять компьютерное моделирование устройств, систем и процессов с использованием универсальных пакетов прикладных компьютерных программ

4

ПК-4

Знать метрологические принципы и владеет навыками инструментальных измерений, используемых в области инфокоммуникационных технологий и систем связи

5

ПК-14

Уметь проводить расчеты по проекту сетей, сооружений и средств связи в соответствии с техническим заданием с использованием как стандартных методов, приемов и средств автоматизации проектирования, так и самостоятельно создаваемых оригинальных программ; уметь проводить технико-экономическое обоснования проектных расчетов с использованием современных подходов и методов

6

ПК-16

Готовностью изучать научно-техническую информацию, отечественный и зарубежный опыт по тематике исследования

7

ПК-17

Способностью применять современные теоретические и экспериментальные методы исследования с целью создания новых перспективных средств электросвязи и информатики; организовывать и проводить их испытания с целью оценки соответствия требованиям технических регламентов, международных и национальных стандартов и иных нормативных документов

8

ПК-18

Способностью спланировать и провести необходимые экспериментальные исследования, по их результатам построить адекватную модель, использовать ее в дальнейшем при решении задач создания и эксплуатации инфокоммуникационного оборудования

Модуль

Раздел

Лекции

Практич. занятия

Лаборат. работы

СРС

Всего часов

Всего с экзаменами и курсовыми

электроника

Полупроводниковые диоды

2

2

0

4

8

108

Биполярные транзисторы

6

2

4

4

16

Полевые транзисторы

4

2

4

4

14

Оптоэлектронные приборы

2

2

8

9

21

Приборы вакуумной и газовой электроники. Квантовые приборы

6

2

8

6

22

Всего

20

10

24

27

81

108

№ п/п

Раздел дисциплины

Объем, часов

Тема лекции

Дидакт. единицы

1

1.1.Полупроводниковые диоды

2

диоды

1.2

2

1.2.Биполярные транзисторы

2

Физика действия биполярного транзистора

2.1

3

1.2.Биполярные транзисторы

2

Вольтамперные характеристики биполярного транзистора

2.2

4

1.2.Биполярные транзисторы

2

Динамические свойства транзисторов

2.3

5

1.3.Полевые транзисторы

2

Физические принципы действия полевого транзистора

3.1, 3.1

6

1.3.Полевые транзисторы

2

Параметры и характеристики полевых транзисторов

3.2

7

1.4.Оптоэлектронные приборы

2

Оптоэлектронные приборы

4.1, 4.2, 4.3

8

1.5.Приборы вакуумной и газовой электроники. Квантовые приборы

2

Вакуумные приборы

5.1

9

1.5.Приборы вакуумной и газовой электроники. Квантовые приборы

2

Интегральные схемы. Приборы микро и наноэлектроники

5.2

10

1.5.Приборы вакуумной и газовой электроники. Квантовые приборы

2

Квантовые приборы

5.2

Итого:

20

№ п/п

Раздел дисциплины

Объем, часов

Тема практического занятия

Дидакт. единицы

1

1.1.Полупроводниковые диоды

2

Электронная перестройка колебательного контура

1.1

2

1.2.Биполярные транзисторы

2

Расчет характеристик биполярного транзистора.

2.2

3

1.3.Полевые транзисторы

2

Параметры и характеристики МДП транзистора

3.2

4

1.4.Оптоэлектронные приборы

2

Вольтамперные и световые характеристики фотодиода

4.3

5

1.5.Приборы вакуумной и газовой электроники. Квантовые приборы

2

Движение электронов в магнитном поле

5.1

Итого:

10

№ п/п

Раздел дисциплины

Наименование лабораторной работы

Наименование лаборатории

Объем, часов

Дидакт. единицы

1

1.2.Биполярные транзисторы

Исследование статических ВАХ биполярного транзистора

Лаб. полупроводниковых приборов

4

2.2

2

1.3.Полевые транзисторы

Параметры и характеристики МДП транзистора

Лаб. полупроводниковых приборов

4

3.2

3

1.4.Оптоэлектронные приборы

Исследование фототранзистора

Лаб. полупроводниковых приборов

4

4.2

4

1.4.Оптоэлектронные приборы

Исследование оптронов

Лаборатория оптической и квантовой электроники

4

4.3

5

1.5.Приборы вакуумной и газовой электроники. Квантовые приборы

Исследование лампы бегущей волны

Лаб. полупроводниковых приборов

4

5.1

6

1.5.Приборы вакуумной и газовой электроники. Квантовые приборы

Иследование газового и полупроводникового лазеров

Лаборатория оптической и квантовой электроники

4

5.2

Итого:

24

№ п/п

Раздел дисциплины

Объем, часов

Наименование типового задания

Итого: