rpd000007903 (090900 (10.03.01).Б5 Безопасность телекоммуникационных систем), страница 3

Описание: Основы использования активных приборов в электронике и инфокоммуникационных технологиях. Работа ПТ и БТ в простейших резистивных усилительных каскадах. Выбор рабочей точки и определение параметров малосигнальных эквивалентных схем БТ в этой точке. Коэффициент усиления на средних частотах и его зависимость от параметров каскада и температуры. Основы технологии и активные элементы интегральных схем

Особенности схемотехники аналоговых электронных устройств, изготавливаемых по интегральной технологии.

Базовые ячейки (вентили) цифровых БИС на биполярных и полевых транзисторах. Структуры, принципы действия, особенности топологии. Характеристики и параметры. Зависимость параметров от температуры.

Ячейки памяти цифровых ИС для оперативных запоминающих устройств и перепрограммируемых постоянных запоминающих устройств. Электрические схемы. Принцип действия. Особенности интегрального исполнения. Параметры, их зависимости от режима и температуры.

Базовые логические элементы квантовых компьютеров

1.6.10. Электронные лампы. Электронно-лучевые трубки. Газоразрядные приборы. – Устройство, принципы работы, параметры и характеристик(АЗ: 2, СРС: 1)

Тип лекции: Информационная лекция

Форма организации: Лекция, мастер-класс

Описание: Электронные лампы. Принципы электростатического управления. Классификация и конструкция электронных ламп. Основные характеристики и параметры.

Электронно-лучевые трубки. Принцип функционирования и основные характеристики и параметры. Области использования. Газоразрядные приборы, плазменные панели. Жидкокристаллические приборы

1.6.11. Электронные приборы СВЧ с динамическим управлением типа «О"(АЗ: 2, СРС: 2)

Тип лекции: Информационная лекция

Форма организации: Лекция, мастер-класс

Описание: Электронные приборы СВЧ с динамическим управлением типа "О". Классификация. Особенности их устройства, функционирования и применения, параметры и характеристик и конструкций

1.6.12. Электронные приборы СВЧ с динамическим управлением типа «М» (АЗ: 2, СРС: 2)

Тип лекции: Информационная лекция

Форма организации: Лекция, мастер-класс

Описание: Электронные приборы СВЧ с динамическим управлением типа "М". Классификация. Особенности их устройства, функционирования и применения, параметры и характеристик и конструкций

1.7.13. Физические основы квантового усиления, Особенности физических ппроцессов различных типов лазеров.(АЗ: 2, СРС: 1)

Тип лекции: Информационная лекция

Форма организации: Лекция, мастер-класс

Описание: Оптические квантовые генераторы (лазеры): принцип действия, условия генерации,

Особенности физических процессов, устройства, параметров, характеристик и применения основные типов лазеров.

1.7.14. Полупроводниковые наногетеролазеры. Каскадные лазеры. Понятие о квантовых стандартах частоты.(АЗ: 2, СРС: 2)

Тип лекции: Информационная лекция

Форма организации: Лекция, мастер-класс

Описание: Полупроводниковые наногетеролазеры. Каскадные лазеры. Понятие о квантовых стандартах частоты.Особенности физических процессов, параметров, характеристик и моделей.

1. Практические занятия

1.2.1. Статические характеристики и модели биполярных транзисторов(АЗ: 2, СРС: 2)

Форма организации: Практическое занятие

Описание: Физические процессы, определяющие вольт-амперные характеристики и модели биполярных транзисторов.

1.3.2. Статические характеристики и модели полевых транзисторов(АЗ: 2, СРС: 1)

Форма организации: Практическое занятие

Описание: Физические процессы, определющие вид вольт-амперных характеристик и модели полевых транзисторов

1.4.3. Исследование оптронов(АЗ: 2, СРС: 2)

Форма организации: Практическое занятие

Описание: Исследуются динамические и статические характеристики оптронов

1.6.4. СВЧ приборы с динамическим управлением(АЗ: 2, СРС: 2)

Форма организации: Практическое занятие

Описание: Физические принципы работы приборов с динамическим управлением

1. Лабораторные работы

1.1.1. Изучение характеристик и параметров полупроводниковых диодов(АЗ: 4, СРС: 2)

Форма организации: Лабораторная работа

Описание: Исследование характеристик различного типа диодов

1.2.2. Исследование характеристик биполярных транзисторов(АЗ: 4, СРС: 1)

Форма организации: Лабораторная работа

Описание: Исследуются вольт-амперные характеристики и рассчитываются параметры для различных схем включения

1.6.3. Исследование лампы бегущей волны или Исследование отражательного клистрон(АЗ: 4, СРС: 2)

Форма организации: Лабораторная работа

Описание: Исследование характеристик СВЧ приборов типа "О"

1. Типовые задания

Приложение 3
к рабочей программе дисциплины
«Электроника и схемотехника »

Прикрепленные файлы

Вопросы по электронике.doc

Вопросы по электронике:

1. Физические процессы в равновесном p-n переходе.

2. p-n переход при прямом и обратном смещении.

3. Реальные ВАХ p-n перехода и причины их отличия от идеализированного ВАХ.

4. Ёмкости p-n переходов, зависимость и вольт-фарадная характеристика.

5. Диоды Ганна.

6. Лавинно-пролетные диоды.

7. Устройство биполярных транзисторов. Распределение примеси, схемы включения, режимы работы.

8. Физические процессы в биполярном транзисторе. Эффект Эрли.

9. Коэффициенты передачи тока в транзисторе.

10. ВАХ транзистора для схемы с общей базой. Режимы работы, h-параметры.

11. ВАХ транзистора с общим эмиттером. Режимы работы, h-параметры.

12. Высокочастотные свойства транзистора и эквивалентные схемы.

13. Работа биполярного транзистора в ключевом режиме, импульсные параметры.

14. Особенности транзисторов интегральных схем. Паразитный транзистор, скрытая n⁺-область.

15. Диодное включение транзистора интегральных схем и их параметры.

16. Физические процессы в МДП транзисторе. Режим обеднения, инверсии, обогащения, пороговое напряжение.

17. Структура дискретного МДП транзистора с индуцированным p-каналом. Принцип управления током, ВАХ.

18. Механизм образования канала и протекания тока в МДП транзисторе, ВАХ.

19. Параметры полевых транзисторов.

20. Высокочастотные свойства полевого транзистора, эквивалентная схема.

21. Особенности полевых транзисторов интегральных схем.

22. Структура полевого транзистора с управляемым p-n переходом, принцип управления током, ВАХ.

23. Тиристор. Структура, принцип действия, ВАХ.

24. Биполярные фототранзисторы. Устройство, назначение, характеристики.

25. Полевые фототранзисторы и фототиристоры. Устройство, назначение, характеристики.

26. Фотоумножители. Устройство, назначение, характеристики.

27. Особенности диапазона приборов СВЧ. Физические процессы в двух резонаторном клистроне.

28. Клистроны. Классификация, устройство двух резонаторного клистрона, назначение элементов, резонатор, параметры и характеристики.

29. Отражательный клистрон. Устройство, назначение элементов, зоны генерации.

30. Отражательный клистрон. Физические процессы, электронная настройка частоты, характеристики.

31. Устройство лампы бегущей волны типа “О”. Назначение элементов, замедляющая система, свойства.

32. Физические процессы, параметры, характеристики ЛБВ-О.

33. Устройство ЛОВ-О, принцип действия, характеристики.

34. Физические процессы и механизм возникновения колебаний в магнетроне.

35. Движение электронов в скрещенных полях.

36. Колебательная система магнетронов. Процесс образования спиц.

37. Рабочие характеристики магнетрона.

38. Митроны. Устройство, назначение, характеристики.

39. ЛБВ-М. Устройство, назначение, характеристики.

40. Устройство и принцип работы ЭЛТ. Электромагнитная и электростатическая фокусировка.

41. Отклоняющие системы и экраны ЭЛТ. Устройство, параметры, характеристики.

42. Цветной кинескоп.

43. Фоторезистивный и фотогальванический эффекты и их применение.

44. Фоторезисторы - принцип действия, параметры, характеристики.

45. Лавинные фотодиоды. Устройство, принцип действия, параметры, характеристики.

46. p-i-n фотодиоды -принцип действия, параметры, характеристики.

47. Фото ПЗС. Устройство, принцип действия, параметры, характеристики.

48. Оптроны. Устройство, принцип действия, параметры, характеристики.

49. Светодиоды. Устройство, принцип действия, параметры, характеристики.

50. Плазменные панели. Устройство, принцип действия, параметры, характеристики.

51. ЖКИ. Устройство, принцип действия, параметры, характеристики.

52. Физические основы квантового усиления. Спонтанные и индуцированные переходы, характеристики и взаимосвязь.

53. Инверсия населенности и методы ее получения. Взаимодействие с инверсной средой. Ширина контура спектральной линии.

54. Оптические резонаторы. Спектр излучения лазеров и условия генерации.

55. Гелий-неоновый атомарный лазер.

56. Разновидности газовых лазеров.

57. Твердотельные лазеры. Лазер на рубине.

58. Полупроводниковые инжекционные лазеры.

59. Полупроводниковые лазеры на гетеропереходах.

60. КПД лазеров и P_изл=f(P_н) для He-Ne лазера

61. КПД лазеров и P_изл=f(P_н) рубинового лазера.

62. Взаимодействие оптического излучения с полупроводниками. Фотовольтаичесий эффект

Версия: AAAAAARxPX8 Код: 000007903