KURSACH1 (Физические основы действия современных компьютеров), страница 2

Рассмотрим физические процессы, проходящие в монокристалле с разными типами проводимости.

В n-области концентрация электронов больше, чем в p-области и наоборот – для дырок.

Под действием градиента концентрации возникает диффузия основных носителей заряда. Электроны диффундируют в p-область, а дырки – в n-область. Возникают области с избыточными концентрациями неподвижных зарядов неосновного носителя для данного типа полупроводника. Таким образом возникает внутренне диффузионное поле Е_зап p-n перехода, и устанавливается контактная разность потенциалов между двумя типам полупроводника, которая зависит от материала, примеси и степени ее концентрации.

Под действием внутреннего диффузионного поля основные носители оттесняются от границы полупроводников, таким образом, на границе образуется тонкий слой, практически лишенный основных носителей заряда, обладающий высоким сопротивлением. Этот слой называется запирающим.

Неосновные носители свободно проходят через внутренне поле p-n перехода, т.к. оно для них является разгоняющим, и производят ток проводимости (дрейфа). Основные носителя, преодолевая диффузионное поле, создают диффузионный ток. При отсутствии внешнего поля диффузионный ток и ток дрейфа равны. Такое состояние называется равновесным.

Если к p-n переходу приложить внешнее прямое напряжение (положительный полюс подсоединен к p-области, отрицательный – к n. Внешнее электрическое поле этого источника противоположно внутреннему диффузному полю. Напряженность поля перехода падает, ширина запирающего слоя уменьшается, а вместе с ней – и высота потенциального барьера. Из-за уменьшение высоты потенциального барьера возрастает диффузионный ток, а токи дрейфа уменьшаются. В результате образуется результирующий т.н. прямой ток I_пр, текущий в направлении от p к n-области.

Если же приложит напряжение обратной направленности (т.н. обратное включение), то напряженность внутреннего поля p-n перехода возрастает, диффузионные токи уменьшаются практически до нуля (растет потенциальный барьер). Ток же дрейфа практически не меняет своего значения. Возникает обратный ток – I_обр, который пропорционален количеству неосновых носителей в полупроводнике и много меньше (примерно на 6 порядков) прямого тока. Таким образом, можно считать, что полупроводник с p-n переходом имеет одностороннюю проводимость.

При работе в p-n переходе может наблюдаться его пробой при обратном напряжении, т.к. при росте обратного напряжения растет напряженность внутреннего поля перехода, ведущий к росту подвижности носителей, формирующих обратный ток. При их достаточной скорости из-за разрыва ковалентных связей образуются добавочные электроны и дырки, которые, в свою очередь могут при соударениях могут создавать новые и новые носители. Этот процесс называется лавинным размножением и ведет к быстрому нарастанию обратного тока. Данный процесс обратим, пока он не перешел в тепловой. Наличие объемных зарядов и электрического поля в обедненном слое придает p-n переходу свойства электрической емкости ( т.н. барьерная емкость p-n перехода). Она зависит от площади перехода и подаваемого к нему напряжения.

(
удельная электрическая проницаемость на площадь p-n перехода, деленная на четыре пи на ширину запорного слоя.

Физические характеристики, такие как ток пробоя, допустимые температуры работы, допустимая мощность рассеяния, мощность прибора и т.п. зависят от материала и и способа исполнения прибора.

Биполярные транзисторы.

Биполярный транзистор – монокристалл полупроводника, в котором созданы три области с чередующимися типами проводимости (p-n-p или n-p-n). Среднюю область называют базой, а крайние – коллектором и эмиттером. Переход между эмиттером и базой – эмиттерный переход, между базой и коллектором – коллекторный.

Назначение эмиттерного перехода – впрыскивание (инжекция) основных носителей эмиттера в базовую область.

Инжекция эмиттерного перезода оценивается через коэффициент инжекции:

(отношение эмиттерного тока, обусловленного носителями эмиттера к общему току эмиттера, созданному как основными носителями эмиттера, так и основными носителями базы). Для повышения эффективности эмиттера и уменьшения составляющей тока основных носителей базы область эмиттера делают с большей концентрацией основных носителей, нежели область базы.

Для базы инжектированные эмиттером носителями являются неосновными. При прямо смещении эмиттерного перехода вблизи него в базе возникает значительный рост неосновных носителей. Создается диффузионный поток от эмиттерного перехода к коллекторному (где их наоборот – недостаток). Под действием ускоряющего поля неосновные носители базы втягиваются в область коллектора, что создает управляемый коллекторный ток I_ку в его цепи.

Коэффициент переноса показывает какая часть инжектированных эмиттером носителей достигает коллекторного перехода (т.к. естественно, достигают не все). Этот коэффициент определяется как отношение управляемого коллектором тока к току эмиттера, созданного основными носителями.

Также важным параметром является коэффициент передачи тока эмиттера (приращение тока коллектора к приращению тока эмиттера при неизменно напряжении на коллекторном переходе).

Э
тот коэффициент мало отличается от единицы (от 0.95 до 0.99). Но кроме коллекторного тока, созданного инжекцией, в коллекторной цепи течет еще и небольшой по величине обратный ток коллекторного перехода I_кбо, обусловленный неосновными носителями коллектора и базы. При изменении окружающей температуры обратный ток нарушает стабильность работы транзистора., т.к. I_к = I_ку + I_кбо.

Можно также упомянуть, что каждый транзистор обладает рядом параметров. Часть из них можно назвать параметрами транзисторов при малых токах, а остальные – физическими параметрами транзистора.

Рассмотрим для начала параметры при малых токах. При малых токах транзистор можно рассматривать как линейный активный четырехполюсник, описываемый следующими уравнениями:

U₁=h₁₁I₁+h₁₂U₂

I₂=h₂₁I₁+h₂₂U₂

Где h₁₁ – входное сопротивление при коротком замыкании на выходе

h₁₂ – коэффициент обратной передачи при холостом ходе на входе

h₂₁ – коэффициент усиления по току при коротком замыкании на выходе

h₂₂ – выходная проводимость при холостом ходе на входе.

К физическим параметрам транзисторов относятся: r_э – сопротивление эмиттерного перехода с учетом объемного сопротивления эмиттерной области (обычно – несколько десятков Ом); r_к – сопротивление коллекторного перехода (от нескольких сотен килоом до мегаома); r_б – объемно сопротивление базы (несколько сот Ом).

Также любой транзистор обладает т.н. предельным характеристиками: предельной температурой переходов (для кремниевых транзисторов до 200 градусов по Цельсию, для германиевых – до 100) и максимальная мощность, рассеиваемая транзистором:

где T_окр – температура окружающей среды, R_Tокр – тепловое сопротивление, T_nmax – предельная температура переходов.

От температуры зависят и другие характеристики транзисторов, как то, например, при повышении температуры на 10 градусов ток I_кбо возрастает в 2 раза, что нарушает режим работы транзистора в сторону больших токов. Поэтому в промышленности применяются транзисторы из более термостойких материалов (кремниевые) и различные методы охлаждения схемы.

Однако, биполярные транзисторы обладают весьма небольшим входным сопротивлением и высокой инерционностью. Поэтому в компьютерах используются в основном полевые транзисторы, которые (к тому же) гораздо легче поддаются миниатюризации. Биполярные транзисторы дают большее быстродействие.

Полевые транзисторы

Полевые транзисторы бывают двух типов – канальные и с изолированным затвором. Последние и применяются в компьютерах, их мы и рассмотрим.

(здесь и далее серым цветом обозначается окисел кремния SiO₂).

Металлический электрод затвора изолирован от канала тонким слоем диэлектрика (двуокисью кремния SiO₂). Концентрация примеси в областях стока и истока значительно больше, чем в канале. Основанием для транзистора служит полупроводник p-типа. Исток, сток и затвор имеют металлические выводы, с помощью которых транзистор и подключается к схеме. Такой транзистор также называется МОП-транзистором (металл-окисел-полупроводник).

МОП-транзисторы характеризуются следующими статическими параметрами режима насыщения:

при U_c=const,

где S – крутизна характеристик, I_c – изменение тока стока, U_зи – изменение напряжения на затворе при постоянном напряжении на стоке.

при U_зи=const,

где R_i – внутренне сопротивление, U_c – изменение напряжения на стоке, I_c – изменение тока стока при постоянном напряжении на затворе.

при I_с=const,

где  – коэффициент усиления, показывающий, во сколько раз сильнее влияет на ток стока изменение напряжения на затворе, чем изменение напряжения на стоке.

U_{зи отс} – обратное напряжение на затворе (напряжение отсечки), при котором токопроводящий канал оказывается перекрытым.

Входное напряжение между затвором и истоком определяется при максимально допустимом напряжении между этими электродами.

На высоких частотах также очень важными являются междуэлектродные емкости: входная, проходная и выходная.

К важнейшим достоинствам полевых транзисторов относятся:

1. Высокое входное сопротивление (до 10¹⁵ Ом).

2. Малый уровень собственных шумов

3. Высокая устойчивость против температурных и радиоактивных воздействий

4. Высокая плотность элементов при использовании в интегральных схемах

5. Низкая инерционность.

Реализация других полупроводниковых приборов в интегральных схемах.

Конденсатор (используется барьерная емкость обратно включенного p-n перехода)

Резистор (базовые – высокоомные, эмиттерные – низкоомные. В качестве переменного резистора можно использовать униполярый транзистор).