146477 (Технология производства полупроводниковых материалов типа А2В6), страница 6
Описание файла
Документ из архива "Технология производства полупроводниковых материалов типа А2В6", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "технология" из , которые можно найти в файловом архиве . Не смотря на прямую связь этого архива с , его также можно найти и в других разделах. Архив можно найти в разделе "рефераты, доклады и презентации", в предмете "технология" в общих файлах.
Онлайн просмотр документа "146477"
Текст 6 страницы из документа "146477"
Из сказанного следует, что известные значения структурно-чувствительных свойств соответствуют образцам с самой различной степенью компенсации. Существенно отметить, что материалы с заметными отклонениями от стехиометрии во всех случаях являются частично компенсированными, а их свойства в значительной степени зависят от условий изготовления. Для определения оптимальных условий изготовления особенно важно знание природы превалирующих точечных дефектов.
Заключение.
При проведение подготовке курсовой работы были рассмотрены полупроводниковые соединения типа AIIBVI, их свойства и методы получения. Рассмотренные методы получения полупроводниковых соединений показали, что не каждый метод может подойти для производства монокристаллов соединения типа AIIBVI. Так как большинство элементов II и VI группы периодической таблицы химических элементов – легколетучие. В связи с эти возникает ряд затруднений при производстве монокристаллов полупроводниковых соединений.
Список используемой литературы.
-
«Полупроводниковые соединения AIIIBV », В.Н. Вигдоровича, «Металлургия», 1967.
-
«Введение в производство полупроводиковых материалов» В.И. Медведев, «Наука», 1979г.