Петров Б.Е. Радиопередающие устройства на полупроводниковых приборах (1989), страница 43

ПРИЛОЖЕНИЕ 4 (к $ !.1О) Змнттерная коррекция частотных характеристик биполярного транзистора В соответствии с рис. 1.20 через обе корректирующие ЯС-цепочки протекает одинаковый ток. Если же подключить корректирующие элементы к эмнттеру транзистора, как показано на рис. !.22, б, и воспользоваться эквивалентной схемой биполярного транзистора, изога браженной на рис. 1!9, то легко заметить, что токи, протекающие через параллельные <РС-цепочки, разные.

Поэтому при анализе эмиттер- Р ной коррекции удобно несколько изменить экви- 1 валентную схему транзистора (рнс, П. 4.1). В втой << схеме генератор тока !„включен между коллекэ тором и эмиттерным переходом со стороны базы, Через цепочку )РаСккф, моделирующую открыооп ооо тый эмиттерный р-л-переход, протекает ток (о = р+ (п+ 'со, Обоз им Э' — дяпф 'т (см. приложениеЗ), отсюда 1.

Рккф<та+ бд,„ф/61. Рис. П.4.1. Вариант эк внвалентной схемы бипо парного транзистора Легко заметить, что переходные процессы в )РаСннф цепочке протекают с постоянной времени т которая может быть .рассчитана по (П. 3.6).Поэтому условие коррекции при открытом р-л-переходе )~ноР СноР та (П.4.! ) при закрытом р-л-переходе )тоСо "та ( П. 4. 2) Так как Л )) <са, то влиянием <Ро в случае открытого перехода можно пренебречь.

216 Чтобы сопротнвленне потерь в базе гв не влияло на коррекцию прн открытом эмнттерном переходе необходимо, чтобы выполнялось неравенство 1Я„' р!» га, где 3' р — — /(„' р/Я„' )ыбн + 1) — эквивалентное сопротнвленне корректирующей цейочкн току га — — (П - (с, протекающему че. )Рез гб. ПРн выполненнн УсловиЯ (П. 4.1) чеРез РезистоР /гнпп пРотекает ток р„= — (р (1 + В), напряжение ип —— - ! /гнор = (р (1 1- В) /гноя. эквивалентное сопротивление току 16 Вк', — — ил/1р. Подставляя сюда и, получаем А>„' = явор (1+ В). Итак, для нсключення влияния сопротнвлення га необходимо, чтобы /(но (1+ В) » го ТГ)+ы /(з, С„.э(1+В)* С учетом (П.

4.1), (П.3.6) н (П.3.9) запишем /(нор (1 + В) / гэг 1 + ы~ тй» гп нлн Кнор =-(3 ° ° 5) , ~/г ! +~ / / (П 4.3) Таким образом, эмнттерная коррекция осуществляется прн выполнении условий (П.4.1) — (П, 4.3). ПРИЛОЖЕНИЕ 5 (к $1.!1) Параметры переходной БАХ маломощного транзнстора с коррекцией Управляющее напряжение нв входе транзистора с коррекцией связано с напряженнем на эмнттерном переходе коэффициентом передачи напряжения к„=. (/„,/(/„"„ (П. 5. 1) где (/эп! н (/" — амплитуды первых гармоннк соответствующих напряжений.

у! Рассчитаем коэффициент передачи напряження в открытом Коптя н закрытом К~В~" состояниях эмнттерного перехода для базовой н эмнттерной коррекция. Базовая коррекция. Если выполняются условия коррекции (1.44)— (1.46), то (П.5 2) Кц = — )(р/(/(р+ /(кор) '~' йр/Кнор поскольку )(р << /(коэ' (П.5. 3) К~ы" — — /(э/(Лз+ кнор) . Крутнзна переходной характернстнкн транзистора Вк может быть рас. считана в режнме малого сигнала прн открытом эмнттерном переходе Ба —-- =61„/би"„= /к,/(/к!. Подставив сюда (/", нз (П. 5.11, палучнм = Ку /кг/(/эпг =- Ку В/а! /(/~щ 217 ~где 181 — амплитуда первой гармоники тока рекомбинации.

В режиме малого сигнала 781((( 1 1(йр'откуда з )т й В,')сВ С учетом (П.5.2) запишем (П.5.4) в".— — в()7„ Рассчитаем напряжение отсечки ик„транзистора с коррекцией. Если напряжение иа его базе ив = и",, то йр -ь со, н для расчета и" целесообразно воспользоваться соотношением (П.5.3.), справедливым при закрытом эмиттерном переходе. В этом случае ио с= иотс1Кгг .лоте (1+)7кор7оа) Змнттерная коррекция. Прн выполнении условий эмиттерной коррекции (1. 48) — (1.

50) Ачй 7(а((Ва ) )(коР) — Йа()7иоР поскольку )ч ц )7кор Ай =пз/()'а+~кар). Так как Диэп 1 бизя Р )( Ма= б( 1+В гВ 1+В' го крутизна переходной хараитеристики транзистора с коррекцией А'й" В в. В» =- )78 1+в )7„„ или (П.5.5) — )ЛкоР Напряжение отсечки коллекторного тока (П.5.6) 'готе =.котс((ги ="ото (1+ЙкоР/)зз)" Упрощенный вариант амнттерной коррекции. По аналогии с (П.

5.5) для цепочки упрощенной эмнттерной коррекции (см. рис. 1.22, з) запишем (П.5. 7) вк ~ 1Я„' Так как в данной схеме при закрытом эмиттерном переходе нет делителя постоянного напряжения, то напряжение отсечки транзистора с коррекцией равно напряжению отсечки транзистора без коррекции к котс =- Иотс. (П.5.8) Соотношения (П, 5.4) — (П, 5.8) определяют параметры переходной ВАХ транзистора для различных вариантов коррекции. Несмотря на то что при выводе этих выражений было использовано допущение о малом сигнале, онн оказываются справедлнвымн н для режима большого сигнала.

218 а'ы пан' 7 ннн' 7 ндн '~7 пдд ,! сп "у 7 поп он и, 1пап ан 71 поп н„ ,, !поп ан поп й Фп ФЭ Ф"'Э „.ао а!7 '~'Ы оооо .поп 219 пе и а Х ай й. Р ) ) ) еоасчасч ) ) ) ~аомсосооссосососо-а ) ) ) оооо ) ) ) а ч'асооиа оооо иач асчсчсч-осям а й съиа ) ) ) осчсчсчсчсчсч оооо иасчиаоо оооо )мммм ))) са ~)аа.в)ои.сч оооо асчиасчсчсч- ессчо ) ) ) ) ) ) ооосчиа-ч соао -с-аа-- о а ) ) ) соч асаса ) ) ) -сч сч-с соасососо ) ) ) -:~~ ) ) )ооооа ооо -оооо с а с'аа с' оп' а О д а миа )пч Мпа Я ф $ о р О аа о аа о о иа о а м си си со а ос на ~ о оо а-сч ооо д~, саеаао — аамесч.ч'еа оооооооосоасо ооо со а я иъ с о'иъ $ ф я я ф я я я я са д со о ' аосоад~ ) д~~)а~)о~роаа о Я)с)ос~ - ) ) ! ) ) ) ) ) ) асов сосоааиа ) ) ) ) ) ) )о)а) -) ч о о счооо -счо ФЯес- ) ) ) оао ч'о м мосчо оччч--о †-о — моооо ооаа ааааа )) )) о еас— а ос еа иъ са о оа сч еч со са о о о — — со иа со оа еа иа ао иа осч ° - - - - " - - - - - - ° -о ооо-е.а--оооооооооо --о- ~<<< ~«~ф<< ~а сй$сй«~сй<сФ< 3$е111$ее1$ее(13е1111$! ХХХХХХХХХХХХХХХХХХХХХХХ ПРИЛОЖЕНИЕ 7 Параметры иолееык траизнсторон с барьером Шатки средней н бакырей мои!ности кю, дв Аь !Тц ьь в Тин Рь Вт ПРИЛОЖЕНИЕ 8 Параметры умиожитеиьимх диодов 0,5...0,7 0 5.',0,7 0,5...0,7 0,5...0,7 0,5...0,7 0,2...0,4 2А602А 2А602Б 2А602В 2А602Г 2А602Д 2А604А 2А604Б КА605А 60 60 45 45 ЗО 0..45 15 25 100...1 504 2,5 1,5 1,0 0,7 0,5 1,0 5 5 0,02...0,05 1,9 1,9 1,9 1,9 1,9 0,7 100 100 100 100 100 !О...

40 0,17 ЗО 1,0 30' 0,7 КА605Б 130 КА606А КА606Б 2А608А 2А609А 2А609Б 2А609А-5 2А609Б.5 0,8 0,6 4,0 2,0 1,0 1,5 1,0 О,З 0,25 З,О 0,7 80 0,1 0,1...0,25 45 40 0,17 !00...1 50 30 ЗО, 70 0,1...0,25 0,5 ЗП602А-2 ЗП602Б-2 ЗП602В-2 ЗП602Г-2 ЗП602Д-2 3П603А-2 ЗП603Б.2 ЗПООЗВ.2 3П604А-2 ЗП604Б-2 ЗП604В-2 ЗП604Г-2 ЗП910А-2 ЗП910Б-2 ЗП915А-2 ЗП915Б-2 !2 12 12 1О 8 12 12 12 18 18 !8 18 8 8 8 8 4,7...8,7 2,7...4,7 1,7...2, 1,2...1,7 1,0...1,3 0,8...1,! 1,0...1,3 0,85... 1,45 0,55... 0,95 0,5...1,2 0,3...0,7 1,2...3,5 1,1...1,8 0,8...1,3 0,8...1,5 О 5...0,8 0,18 О,! 0,05 0„45 0,5 0,5 1 2,5 0,2 0,225 0.075 0.050 1 5 3 2,6 3 3 2,6 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 25 20 20 30 40 20 35 20 15 25 20 25 25 35 22 7 7 7 7,5 7,5 8 8 8 7 7 7 7 7 7 7 7 7(родолпеепие призом.

8 ГГ Сов паз и ан о в о ов 3 о сиопа пв Тип 2А612А 2А612Б КА 6!ЗА КА61ЗБ АА615А 45 60 80 70 15 1,0 2,0 10,0 8,0 0,16 1,0...2,0 2,0...4,0 4,0...8,0 3,0...5,0 0,25... 0,35 0,3...0,4 0,6...1,2 0,3...0,8 0,35... 0,6 0,35... 0,6 0,35... 0,6 0,35... 0,6 0,35... 0,6 0,6...1,4 0,6...1,4 2,0...2,88 2,0...2, 45 60 1О 25 500 0,6 0,6 1,0 1.0 !8 30 30 0,25 0,75 0,5 АА615Б 2А6! ОА-2 2А616Б-2 ЗА6!7А 400 100 100 650 30 О,! 15 0,2 10 0,2 !О 0,2 30 0,6 0,7 0,2 ЗА617Б АА61 9А АА619Б КА63ЗА-5 450 750 20 30 50 65 ЗА634А-6 ЗА634Б-6 2А635А 2А635Б 0,6 0,8 1,0 1,0 0,5 40 ЗО ПРИЛОЖЕНИЕ 9 (к $4.3) Примеры годографов 1'„(в) где 1 Ои— гв (1+аз) В показательной форне )'и = рве ", где К„= (ги )/! + аз) ', 1йви = и.

/е Найдем годограф проводимости колебательного контура при параллельном резонансе. В соответствии с рис. П.9.1, и 1'и ==)Ми+1 (вси — 1/(в(и) ). Легко видеть, что годограф )'и (в) совпадает с линией 0„= 1/(!и и направлен вверх, поскольку 6ВиЯбв ~ О. Каждая точка годогрзфа Ри соответствует определенной частоте: вг, в, в,, ... Найдем теперь годограф проводимости колебательного контура прк последовательном резонансе.

Йз рис. П.9.1, б следует, что 1 )и= =Он+!В„, си+1(в(' — 1! (вСи)) Рнс. П.9.1. Колебнтельиый контур и годограф его проводимости при параллельном (а) н последовательном (б) резонансе а) (а Ск 0 Так как то 1'к = (соз бк)~гк Полученная связь У„с фк соответствует движению конца вектора У„по окружности с центром в точке 6 = 1У(2гк), В = 0 и радиусом 1!(2гк) (рис. П. 9.1, б) ПРИЛОЖЕНИЕ 10 (к 5 4.4) Обобщенный годограф Ук (р) Ъ" \ Чтобы найти связь Ук (р) с Ук (в), рассмотрим влияние на Ук (р) измене. (и> ннй в и у.

Пусть в' = в + ов, тогда Ук = Ук + ЬУк, где при малых Ьв др„ к дв причем дук 4$ к др дв бр бв др дУк 1в1 бу к — =- 1, то —" =. — и ЬУ„:= — Ьв. дв дв бр б~з Так как 222 Допустим, что у' =- у Р Лу, тогда >'« — -- )>к (- Лг'(т>, д>'к д) к 31 в др др где Л)'(т> = — Лу. Учитывая, что — = — —, а — = — 1, ду ду др ду ду ч» к получим Лг'(т> =; — 1 — Лу. бр Сравнивая векторы Л'г'Гн> и ЛУ~т>, замечаем, что иа комплексной плоскости они взаимно пер. пендикуляриы, ибо отличаются сомножителем — 1. Так как при изменении ю конец некто. ра )>к перемещается по годографу Ен (р) (по определению), то вектор Л)> >н> есть касательная к годографу 1'„ (р) (рис.