Для студентов СПбПУ Петра Великого по предмету Основы конструирования и технологии радиоэлектронных средств (ОКиТ РЭС)Статические характеристики полупроводникового диодаСтатические характеристики полупроводникового диода
2024-04-202024-04-20СтудИзба
Лабораторная работа 3: Статические характеристики полупроводникового диода вариант 16
Описание
1) Провести моделирование ВАХ диода в соответствии с вариантом.
2) Исследовать влияние параметров диода, таких как обратное пробивное напряжение, ток насыщения и последовательное сопротивление, на ВАХ.
2) Исследовать влияние параметров диода, таких как обратное пробивное напряжение, ток насыщения и последовательное сопротивление, на ВАХ.
| Номер варианта | Модель диода |
| 16 | 1N4729 |
Характеристики лабораторной работы
Учебное заведение
СПбПУ Петра ВеликогоНомер задания
Вариант
Просмотров
2
Качество
Идеальное компьютерное
Размер
209,74 Kb
Список файлов
Лабораторная. Статические характеристики полупроводникового диода.docx
![Картинка-подпись](https://s.studizba.com/z.php?f=/uploads/fotos/podpt_90043_47907.jpg&w=1632&h=400&t=1")
Все деньги, вырученные с продажи, идут исключительно на шаурму
tddd
20 апреля 2024 в 19:04
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
