Для студентов ТУСУР по предмету НаноэлектроникаИзучение принципа работы hemt-транзисторовИзучение принципа работы hemt-транзисторов
2025-03-262025-03-26СтудИзба
Лабораторная работа: Изучение принципа работы hemt-транзисторов
Описание
Цель работы
Целью данной работы является исследование характеристик транзистора с высокой подвижностью электронов HEMТ.
Задание на работу
1. Определить предельно допустимые параметры транзистора ATF36163.
2. Исследовать выходную характеристику (IC = f(UСИ)/UЗИ = const) HEMT-транзистора при различных напряжениях на затворе (2–3 зависимости).
3. Исследовать передаточную характеристику (IC = f(UЗИ)/UСИ = const) HEMT-транзистора при различных напряжениях сток – исток (2–3 зависимости).
Предельно допустимые параметры транзистора ATF36163:
Максимально допустимое напряжение сток-исток – Uси=3В;
Максимально допустимое напряжение затвор-исток – Uзи= –3В;
Максимальный ток стока – Iс max=40мА;
Минимальный ток стока – Iс min=15мА;
Диапазон рабочих температур – –65…150°С;
Предельная мощность рассеяния – P=180Вт.
Целью данной работы является исследование характеристик транзистора с высокой подвижностью электронов HEMТ.
Задание на работу
1. Определить предельно допустимые параметры транзистора ATF36163.
2. Исследовать выходную характеристику (IC = f(UСИ)/UЗИ = const) HEMT-транзистора при различных напряжениях на затворе (2–3 зависимости).
3. Исследовать передаточную характеристику (IC = f(UЗИ)/UСИ = const) HEMT-транзистора при различных напряжениях сток – исток (2–3 зависимости).

Максимально допустимое напряжение сток-исток – Uси=3В;
Максимально допустимое напряжение затвор-исток – Uзи= –3В;
Максимальный ток стока – Iс max=40мА;
Минимальный ток стока – Iс min=15мА;
Диапазон рабочих температур – –65…150°С;
Предельная мощность рассеяния – P=180Вт.
Характеристики лабораторной работы
Предмет
Учебное заведение
Просмотров
1
Качество
Идеальное компьютерное
Размер
49,87 Kb
Список файлов
Наноэлектроника ЛР 1.docx

Все деньги, вырученные с продажи, идут исключительно на шаурму