Лекции: конспект лекций за второй семестр преподаватель Ляхова

Небольшая вырезка из лекций в качестве примера:

Интегрирование подразумевает объединение элементов радиоустройств геометрически: в горизонтальной плоскости (на поверхности) или перпендикулярно поверхности диэлектрической или полупроводниковой подложки. Это интегрирование реализуется адекватными технологическими процессами.

Рис. Пример преимущественно планарной интеграции. Интегральная схема с диодной изоляцией. 1 - металлическое межсоединение, 2 - слой SiO2,
3 - полупроводниковая пластина с областями р-, n- и n+ - типа проводимости.
А, Б, В - соответствующие друг другу точки на рисунках а и б.



Рис. Перпендикулярная интеграция слоев при реализации инжекционного лазера (а), излучение голубого лазерного диода в импульсном режиме.

Интегрируются также элементы различных физических принципов: акустоэлектроника, акустооптика, магнитоэлектроника (спинтроника), биоэлектроника, хемотроника. Кроме того используются механические элементы, формируя механо - электрические микросистемы (МЭМС). Все это функциональная электроника.



Рис. МЭМС резонатор (механика + электроника). (Courtesy Advanced Diamond Technologies, Inc).

Рис. Система идентификации с помощью ультразвуковых радиочастотных идентификаторов данных (акустика + электроника).

Сложность технологических процессов заставляет строго ограничить области использования приборов наноэлектроники. Критерии выбора рациональных областей использования:
- адекватные геометрические размеры среды использования, объекту обработки,
- высокая чувствительность,
- малое энергопотребление.
Адекватность среде использования:
1 - Диагностические и лечащие (терапевтические) приборы, непосредственно действующие в кровеносных сосудах, трохеях, пищеводе животных и человека.
2 - Элементы устройств с высокой разрешающей способностью (малым размером большого числа дискретов).
3 - Многофункциональные миниатюрные устройства.
4 - Элементы гибких устройств, в том числе и большемерных (экранов гибких дисплеев).