Для студентов АмГУ по предмету Электротехника (ЭлТех)Найти контактную разность потенциалов для идеализированного p-n-перехода при температуреНайти контактную разность потенциалов для идеализированного p-n-перехода при температуре
2025-04-102025-04-10СтудИзба
Задача: Найти контактную разность потенциалов для идеализированного p-n-перехода при температуре
Описание
.Найти контактную разность потенциалов для идеализированного p-n-перехода при температуре 20° С, о котором известно, что концентрация донорной примеси (𝑁д) составляет 2,5 ∙ 1015 атомов/см3 , акцепторной примеси (𝑁а) 2 ∙ 1018 атомов/см3 , а соответственная концентрация носителей в кристалле, из которого изготовлен переход, (𝑛1 ) равна 3,5 ∙ 1014атомов/см3
![]()
Характеристики решённой задачи
Предмет
Учебное заведение
АмГУПросмотров
2
Качество
Идеальное компьютерное
Размер
402,79 Kb
Список файлов
Практическое занятие (2).pdf
![Картинка-подпись](https://s.studizba.com/z.php?f=/uploads/fotos/podpt_90043_47907.jpg&w=1632&h=400&t=1")
Все деньги, вырученные с продажи, идут исключительно на шаурму
tddd
10 апреля в 13:26
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
