Для студентов по предмету ЭлектроникаОпределите положение уровня Ферми относительно потолка валентной зоны в полупроводниковом образце GaAs n-типа и концентрацию неосновных носителей, еслОпределите положение уровня Ферми относительно потолка валентной зоны в полупроводниковом образце GaAs n-типа и концентрацию неосновных носителей, есл
5,0051
2022-05-092022-05-09СтудИзба
Определите положение уровня Ферми относительно потолка валентной зоны в полупроводниковом образце GaAs n-типа и концентрацию неосновных носителей, если известно, что концентрация донорной примеси в нем равна Nd=1015 см–3.
Описание
Определите положение уровня Ферми относительно потолка валентной зоны в полупроводниковом образце GaAs n-типа и концентрацию неосновных носителей, если известно, что концентрация донорной примеси в нем равна Nd=1015 см–3.
Характеристики решённой задачи
Предмет
Программы
Просмотров
6
Качество
Идеальное компьютерное
Размер
54,59 Kb
Список файлов
Задача.docx
