Для студентов по предмету ЭлектроникаОпределите положение уровня Ферми относительно потолка валентной зоны в полупроводниковом образце GaAs n-типа и концентрацию неосновных носителей, еслОпределите положение уровня Ферми относительно потолка валентной зоны в полупроводниковом образце GaAs n-типа и концентрацию неосновных носителей, есл
2022-05-092022-05-09СтудИзба
Определите положение уровня Ферми относительно потолка валентной зоны в полупроводниковом образце GaAs n-типа и концентрацию неосновных носителей, если известно, что концентрация донорной примеси в нем равна Nd=1015 см–3.
Описание
Определите положение уровня Ферми относительно потолка валентной зоны в полупроводниковом образце GaAs n-типа и концентрацию неосновных носителей, если известно, что концентрация донорной примеси в нем равна Nd=1015 см–3.
Характеристики решённой задачи
Предмет
Программы
Просмотров
1
Покупок
0
Качество
Идеальное компьютерное
Размер
54,59 Kb
Список файлов
- Задача.docx 54,59 Kb