ЗКЗАМЕНАЦИОННЫЕ ВОПРОСЫ ПО КУРСУ ЭЛЕКТРОНИКА

1. Физические свойства полупроводников.
2. Собственные и примесные полупроводники.
3. Диффузионные и дрейфовые токи в полупроводниках.
4. Электронно-дырочный переход. Контактная разность потенциалов.
5. Прямое смещение p-n- перехода.
6. Обратное смещение p-n перехода.
7. Энергетическая диаграмма p-n- перехода.
8. Уравнение непрерывности для p и n областей.
9. Вольтамперная характеристика p-n- перехода.
10. Диффузионная ёмкость p-n- перехода.
11. Барьерная ёмкость p-n- перехода.
12. Зарядовая модель p-n-перехода.
13. Мало сигнальная эквивалентная схема p-n- перехода.
14. Лавинный, туннельный и тепловой пробои p-n- перехода.
15. Принцип работы детектора и выпрямителя на полупроводниковых диодах.
16. Туннельные диоды.
17. СВЧ детекторные и смесительные диоды.
18. Импульсные свойства p-n- перехода.
19. Неоднородные полупроводники. Диоды с накоплением заряда.
20. Принцип работы p-i-n- диода.
21. Принцип работы биполярного транзистора.
22. Физические процессы в эмиттерном переходе биполярного транзистора.
23. Физические процессы в базе биполярного транзистора.
24. Статические характеристики биполярного транзистора, включенного по схеме с общей базой.
25. Статические характеристики биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером.
26. Мало сигнальные эквивалентная схема биполярного транзистора.
27. Представление транзистора в виде четырёхполюсника.
28. Эффект модуляции ширины базы.
29. Модель Эберса-Молла.
30. Биполярный транзистор в режиме усиления.
31. Дрейфовый транзистор.
32. Частотные свойства биполярных транзисторов.
33. Полевой транзистор с управляющим p-n- переходом.
34. Математическая модель полевого транзистора с управляющим p-n- переходом.
35. Полевой транзистор с изолированным затвором.
36. Принцип действия тиристора. Быстродействие тиристора.
37. Однопереходной транзистор.
38. Полупроводниковые интегральные микросхемы.
39. Плёночные и гибридные микросхемы.
40. Электронно-вакуумные приборы.