Для студентов МГТУ им. Н.Э.Баумана по предмету ЭлектроникаВариант 8 - Лабораторная работа № 7 - model KT3102AВариант 8 - Лабораторная работа № 7 - model KT3102A
2021-04-012021-04-01СтудИзба
Лабораторная работа 7: Вариант 8 - Лабораторная работа № 7 - model KT3102A вариант 8
-82%
Описание
ЦЕЛЬ РАБОТЫ
Получить навыки расчета и исследования электронных ключей, навыки в использовании базовых возможностей программы Microcap при исследовании и настройке электронных ключей.
СОКРАЩЕНИЯ ТЕРМИНОВ, АББРЕВИАТУРЫ ВАХ — вольтамперная характеристика; MCxx — программная среда Multisim версии 7, 9 или 10;
ЭКСПЕРИМЕНТ
1. Простой ключ. Задание. Для схем электронного ключа, показанной на рисунке 1: 1. Определить сопротивление Rb для задания режима работы ключа со степенью насыщения s=1. 2. Построить таблицу и график, связывающий величину сопротивления Rb со степенью насыщения s. 3. Провести исследования ключевого каскада в временной области. 4. Определить реальные токи коллектора и напряжения на коллекторе для режимов «включено» и «выключено» при заданных значений степени насыщения s (s=1; s=5, s=10, s=15, s=20, s=25). 5. Провести исследование влияния степени насыщенности транзисторного ключа на передний фронт импульса, на задний спад импульса и времени рассасывания от степени насыщения ключа. Степень насыщения изменять в пределах от 1 до
25.
Получить навыки расчета и исследования электронных ключей, навыки в использовании базовых возможностей программы Microcap при исследовании и настройке электронных ключей.
СОКРАЩЕНИЯ ТЕРМИНОВ, АББРЕВИАТУРЫ ВАХ — вольтамперная характеристика; MCxx — программная среда Multisim версии 7, 9 или 10;
ЭКСПЕРИМЕНТ
1. Простой ключ. Задание. Для схем электронного ключа, показанной на рисунке 1: 1. Определить сопротивление Rb для задания режима работы ключа со степенью насыщения s=1. 2. Построить таблицу и график, связывающий величину сопротивления Rb со степенью насыщения s. 3. Провести исследования ключевого каскада в временной области. 4. Определить реальные токи коллектора и напряжения на коллекторе для режимов «включено» и «выключено» при заданных значений степени насыщения s (s=1; s=5, s=10, s=15, s=20, s=25). 5. Провести исследование влияния степени насыщенности транзисторного ключа на передний фронт импульса, на задний спад импульса и времени рассасывания от степени насыщения ключа. Степень насыщения изменять в пределах от 1 до
25.
Характеристики лабораторной работы
Предмет
Учебное заведение
Номер задания
Вариант
Просмотров
118
Покупок
2
Размер
1,95 Mb
Список файлов
Ваше удовлетворение является нашим приоритетом, если вы удовлетворены нами, пожалуйста, оставьте нам 5 ЗВЕЗД и позитивных комментариев. Спасибо большое!