Для студентов МГТУ им. Н.Э.Баумана по предмету ЭлектроникаИсследование характеристик и параметров полупроводниковых диодов, традиционный стендИсследование характеристик и параметров полупроводниковых диодов, традиционный стенд
5,0054
2021-03-122025-09-20СтудИзба
Лабораторная работа 3: Исследование характеристик и параметров полупроводниковых диодов, традиционный стенд вариант 1
-82%
Описание
Исследование характеристик и параметров
полупроводниковых диодов, традиционный стенд
Цель работы:
Получение и исследование ВАХ диодов и определение по ним
статических параметров модели полупроводниковых диодов, размещения
этой модели в базе данных программ схемотехнического анализа
Модель: .MODEL BATTAL D(IS=1.749E-8 RS=1.889N=1.047EG=1.11)
![]()
полупроводниковых диодов, традиционный стенд
Цель работы:
Получение и исследование ВАХ диодов и определение по ним
статических параметров модели полупроводниковых диодов, размещения
этой модели в базе данных программ схемотехнического анализа
Модель: .MODEL BATTAL D(IS=1.749E-8 RS=1.889N=1.047EG=1.11)

Характеристики лабораторной работы
Предмет
Учебное заведение
Номер задания
Вариант
Просмотров
209
Размер
540,39 Kb
Список файлов
ОТЧЕТ По лабораторной работе №3.pdf

Друзья, спасибо за доверие! Если вам понравилась работа – поставьте 5⭐ и напишите отзыв. Это поможет другим студентам, а мне даст силы делать ещё больше качественных материалов для вас 🔥