Флэш-память - вид компьютерной памяти
Флэш-память (Flash memory) - вид компьютерной памяти (полупроводниковая , энергонезависимая), являющийся разработкой конструкции и продолжением памяти EEPROM . Для доступа к данным, хранящимся во флэш-памяти, используется подкачка памяти : операции чтения, записи или стирания выполняются одновременно над структурно определенным количеством ячеек, сгруппированных в структуру, кратную машинному слову (байту). Отличительной особенностью флэш-памяти является использование технологии многоядерных ячеек. Кстати, карты памяти сейчас стоят совсем не дорого, что позволяет использовать их повсеместно для любых целей.
Классификация
В зависимости от организации ячеек памяти, напоминающей структуру логического элемента, можно выделить два типа флэш-памяти:
Флэш-память NOR
Флэш-память NOR обеспечивает прямой доступ к каждой ячейке памяти, но имеет относительно долгое время записи и стирания. По этой причине он подходит для хранения данных, не требующих частого обновления, например, микропрограммного обеспечения различных устройств. Выдерживает от 10 до 100 тысяч циклов программирования. Он использовался в первых версиях карт памяти CompactFlash , но позже был заменен более дешевыми флэш-памятью NAND.
Флэш-память NAND
Флэш-память NAND, по сравнению с памятью NOR, имеет более короткое время записи и стирания, более высокую плотность упаковки данных, лучшее соотношение стоимости и емкости и в десять раз более длительный срок службы. Однако главной особенностью этого типа памяти является последовательный доступ к данным. Это ограничивает диапазон приложений запоминающими устройствами большой емкости , например, картами памяти. Первой картой флэш-памяти NAND была карта SmartMedia . Позже он стал использоваться также в других типах карт памяти (MultiMedia Card , Secure Digital , Memory Stick и xD Picture Card) и в USB-накопителях (в просторечии называемыхфлешку).
Ограничения
Чтобы иметь возможность сохранить место во флэш-памяти, его необходимо предварительно удалить. Перезаписать данные в уже сохраненную ячейку невозможно. Хотя любая ячейка памяти может быть прочитана и записана, операция стирания стирает только целые блоки ячеек. Отдельную ячейку удалить нельзя. По этой причине хранение данных не является полностью бесплатным. Эти воспоминания позволяют читать и записывать любую ячейку, но не могут свободно удалять и перезаписывать содержимое.
Вышеупомянутые ограничения вызывают некоторые трудности при обработке доступа к данным в запоминающих устройствах. Запись должна быть согласована с операцией стирания блоков памяти. Обычно, если файл должен быть обновлен или перезаписан, система управления памятью создает новую копию файла в другом месте, помечая только предыдущую версию как непригодную для использования. Эта версия файла по-прежнему занимает свободное место, оно освобождается, если возможна операция удаления, т.е. в блоке памяти нет фрагмента другого файла. Для более эффективного удаления блоков памяти можно также переместить некоторые другие файлы (не требующие модификации) в другое место, чтобы можно было удалить блок. Дополнительная сложность заключается в том, что операция стирания намного дольше, чем операция чтения и записи.
Стандартная память EEPROM позволяет записывать или удалять только одну ячейку памяти за раз, что означает, что флэш-память намного быстрее, если система, использующая их, одновременно записывает и считывает ячейки с разными адресами. Все типы памяти EEPROM, включая флэш-память, имеют технологически ограниченное количество циклов стирания (записи) - превышение этого числа приводит к необратимым повреждениям.