Касьян! (990967), страница 2
Текст из файла (страница 2)
Рис. 4. Экспериментальная и средняя интенсивности рассеивания электронов.
Далее определяем значение нормирующего множителя j: jmin находится из графика функции , а jmax – из графика
. Искомое значение j определяется как среднее арифметическое. Получается, что:
jmin = 0,01
jmax= 0,043
j = 0,022
Нормированная интенсивность некогерентного рассеивания i(S) рассчитывается по формуле:
Функция радиального распределения атомов находится по формуле:
Ниже предоставлен ее график и график функции .
Рис. 5. ФРРА и U(r).
Анализ полученной функции радиального распределения атомов
Определим по рис. 5. значения радиусов первых трех координационных сфер: r1 = 2.2 Å, r2 = 4 Å, r3 = 5.3. Далее опишем каждый пик полученной ФРРА кривой Гаусса:
Применим пошаговую методику отыскания параметров ближнего порядка. Идея метода состоит в том, что “левый фронт” первого пика экспериментальной ФРРА соответствует нормальному распределению. Определим площадь первого пика, зная r1, как удвоенную площадь левого фронта первого максимума. N1 = 3,96. Следовательно, теперь можно определить среднеквадратичное отклонение параметров первой координационной сферы по формуле:
Откуда получаем:
Имея все параметры первого пика ФРРА на участке от r1 до r3, из экспериментальной кривой вычитаем первый пик. Полученная после этой операции функция “открывает” левый фронт второго пика экспериментальной ФРРА. Далее, все операции производятся аналогично для нахождения параметров второй и третьей координационной сферы.
Рис. 6. Исходная ФРРА за вычетом первого пика.
Рис. 7. Исходная ФРРА за вычетом первого и второго пика.
Рис. 8. Кривые Гаусса для трёх пиков.
Также определяем значение валентного угла связи по следующему соотношению:
Наконец, можно определить отклонение валентного угла связи по следующему соотношению:
где – полуширина второго пика.
Численные значения зависимости ФРРА от соответствующей координаты:
Литература
1. «Неупорядоченные полупроводники» учебное пособие/ А. А. Айвазов, Б. Г. Будагян, С. П. Вихров, А. И. Попов; Под ред. А. А. Айвазова. – М.: Издательство МЭИ, 1995. – 352 с.
-
«Определение параметров ближнего порядка в расположении атомов аморфных веществ по данным электронографических исследований» Воронцов В. А., Васильева Н. Д. Методическое пособие по курсу “Физика и технология некристаллических полупроводников”. – М.: Издательство МЭИ, 2002. – 16 с.
13