ОТЧЕТ (990011), страница 2
Текст из файла (страница 2)
Теперь построим разностный спектр поглощения в координатах μ(ν)=E(ν), определяющий дополнительные полосы поглощения.
| E, эВ | μ2-μ1, 1/см |
| 0,226263 | 0 |
| 0,242424 | 0 |
| 0,258586 | 0 |
| 0,274747 | 1,17783036 |
| 0,290909 | 1,91055237 |
| 0,307071 | 1,94156014 |
| 0,323232 | 2,94239473 |
| 0,339394 | 2,70027137 |
| 0,355556 | 4,62241624 |
| 0,371717 | 7,58066727 |
| 0,387879 | 7,59105148 |
| 0,40404 | 3,28504067 |
| 0,420202 | 1,38327565 |
| 0,436364 | 0,97163748 |
| 0,452525 | 1,14410351 |
| 0,468687 | 1,11225635 |
| 0,484848 | 0,70826053 |
| 0,50101 | 0,34191365 |
| 0,517172 | 0,20965128 |
| 0,533333 | 0,16529302 |
| 0,549495 | 0 |
| 0,565657 | 0 |
Теперь исправим математические погрешности и перестроим этот график.
| μ2-μ1, 1/см | E, эВ |
| 0 | 0,258586 |
| 1,1778304 | 0,289 |
| 1,83 | 0,307 |
| 2,34 | 0,322 |
| 2,8 | 0,335 |
| 3,49 | 0,345 |
| 4,6224162 | 0,354 |
| 7,5806673 | 0,371717 |
| 7,5910515 | 0,387879 |
| 3,2850407 | 0,40404 |
| 1,3832757 | 0,420202 |
| 0,9716375 | 0,436364 |
| 1,1441035 | 0,452525 |
| 1,1122564 | 0,468687 |
| 0,7082605 | 0,484848 |
| 0,3419137 | 0,50101 |
| 0,2096513 | 0,517172 |
| 0,165293 | 0,533333 |
| 0 | 0,549495 |
Из разностного графика найдем площади первого и второго пиков. Для этого необходимо определить следующие значения:
1й пик:
-
(µ2- µ1)max = 7,6 см-1
-
Е = 0,051 эВ
2й пик:
-
(µ2- µ1)max = 1,16 см-1
-
Е = 0,068 эВ
С учетом того, что 1 эВ = 8066 см-1 , производим расчет площадей этих пиков, чтобы по формуле Смакулы определить концентрации соответствующих центров окраски.
Для 1го пика:
S = 3126,3816 см-2
Соответственно n0 = 2,88183·1019 см-3
Для 2го пика:
S = 636,24608 см-2
Соответственно n0 = 5,86478·1018 см-3
ВЫВОД: электронными центрами окраски, которым соответствует большая спектральная линия, являются центры типа F-центров. F-центр есть квантовая система, состоящая из электрона, захваченного эффективным полем анионной вакансии кислорода. Более маленькая спектральная характеристика соответствует собственным дефектам структуры. В этом случае образование дополнительных дефектов практически не происходит, а происходит лишь захват эффективным полем того, или иного дефекта электронов или дырок, образованных ионизирующим излучением.













