Программа схемотехнич моделир Micro-Cap 8 М.А.Амелина 2007-600RM (967609), страница 25
Текст из файла (страница 25)
Все запятые, указанные в определении командной строки, могут быть заменены пробелами. Текст «)п» вызывает переход на новую строку при выводе сообщения. См. файлы примеров игагп.с(г и игагп2.с(г из каталога $ТА ТЕМЕ(ЧТЯ для анализа работы этой команды. 5. МОДЕЛИ АНАЛОГОВЫХ КОМПОНЕНТОВ Общие сведения о моделях компонентов Все компоненты (аналоговые и цифровые), из которых составляется электрическая принципиальная схема, имеют математические модели двух типов: ° Встроенные математические модели стандартных компонентов, таких, Как резисторы, конденсаторы, диоды, транзисторы, независимые и зависимые источники сигналов, логические вентили и др., которые не могут быть изменены пользователями; можно только изменять значения их параметров.
В свою очередь, встроенные модели подразделяются на две категории: ° простые модели, характеризуемые малым количеством параметров, которые можно указать непосредственно на схеме в виде атрибутов (например, модель резистора описывается одним — тремя параметрами, причем часть из них можно сделать на схеме невидимыми, чтобы не загромождать чертеж); ° сложные модели, характеризуемые большим количеством параметров, которые заносятся в библиотеки моделей (например, модель биполярного транзистора характеризуется 82 параметрами). ° Макромодели произвольных компонентов, составляемые пользователями по своему усмотрению из стандартных компонентов. В программе МС8 моделируемое устройство может быть описано двумя способами: ° в виде чертежа его принципиальной электрической или функциональной схемы; ° в виде текстового описания в формате ЗР1СЕ.
Кроме того, при составлении принципиальной схемы часть параметров моделей компонентов задается в виде их атрибутов и указывается непосредственно на схеме. Такие модели будем называть моделями в формате схем. Остальные модели задаются в текстовом окне с помощью директив .МОВЕ(. и .80ВСКТ по правилам ЗР)СЕ. Их так и будем называть — моделями в формате ЗР1СЕ. В программе МС8 модели всех полупроводниковых приборов, операционных усилителей, магнитных сердечников, линий передачи и компонентов цифровых устройств имеют формат ЗР1СЕ.
В последующих главах будет приведено их краткое описание (при необходимости см. [7]), а модели компонентов в формате схем МС8 будут описаны более подробно. При описании форматов задания параметров моделей компонентов приняты следующие обозначения: ° * — повторяющийся элемент в строке описания формата. Например, <имя индуктивности>* означает, что может быть указаны позиционные обозначения нескольких катушек индуктивностей:(.1(.2 (.3; ° <х> — обязательный параметр. Без заполнения поля этого параметра расчет проводиться не будет и появится сообщение об ошибке.
Например, 5 Модело пнплововых кол~поиептов модель резистора имеет два обязательных параметра — позиционное обозначение (или имя) и величину сопротивления; ° (х] — дополнительный параметр. Может использоваться совместно с указателем обязательного параметра < >. Например, запись УАШЕ: <значение> (ТС=<ТС1>(,<ТС2>]], означает, что параметру УАШЕ обязательно должны быть поставлены в соответствие некая величина или выражение, записываемое в поле <значение>. Параметр ТС вЂ” необязательный, но если его обозначение вписали в поле задания УАШЕ, то ему нужно обязательно присвоить одно значение <ТС1>.
Задание другого значения— <ТС2> не обязательно, но возможно. Таким образом, параметр УАШЕ можно записать так; 1000 1000 ТС=1гп 1000 ТС=1гп,1и Г]ассивные компоненты В меню Равелине сотролел$в входят резисторы, конденсаторы, индуктивности, линии передачи, трансформаторы, взаимные индуктивности, диоды и стабилитроны (рис. 5.1). ян::хнтлтвнвв ты ' ~!внгвокн': ввв "'.ввв '!ВВ ':.
:О 'Фя,' к";Г 'в":, Рис. 5.1. Пассивные компоненты Следует обратить внимание, что значения сопротивлений, емкостей и индуктивностей могут быть числом или выражением, зависящими от времени, узловых потенциалов, разности узловых потенциалов или токов ветвей, температуры и других параметров. Непосредственная зависимость параметров от времени в программе РВр!се не предусмотрена, здесь М!сгоСар имеет явные преимущества. 112 прогбамма олемотелнл легкого мооелироаанил м(егоСарт8 Резистор (йев)вЕог) В1 ТТТ. — Е::Л— 50 1К Рис.
5.2. УГО резистора (оригинальное и доработанное) ' рао(".:,:;:,'. Т ГгтамхаГГ'! ~~йатеЕЗ); ~ Йй(41()лф': Сь(ии'.')у Ййм',е Р "6юзаМ'-:,:~Ь. ~. ЯК„„'~ ~~!;~~~.Я,,;~ ~:;..$иае" '~ 5Ф, ', .Мне ~ зякек,.'~ *'.~~,''ееолла'л) неЬтгм~''Оеллтм!,,~~,,""5 *„. м,огавьаааегат) агелькас о:."ьлезтазагчлмзмав', " ° „' т(~3 ил=се ' .: ',: "тя)зйВ:, ',"' тс1~0 ° ТСЕ~О '.,'1.:' .,'."'ЙТе~~ "ОТ МЕМ0ЯЕО)а~ил~~ Т 4зз Гаооезам~ Н Т'ЯЕТ>6ЕОЬМ ГальГюед л ";;.Т яЕ~З.ОЫ)ааоаьа~ Рис.
5.3. Окно задания параметров резистора Формат схем Л8гсгоСарг ° Атрибут РАЯТ: <имя> — позиционное обозначение или произвольно заданное имя компонента. Примеры: йб САВВОМ5 ° Атрибут ЧА1Л/Е: <значение> (ТСм<ТС1>(,<ТС2>)) — величина сопротивления. Значение может быть числом или выражением, включающим переменные, зависящие от времени Т. Если определяется в виде выражения, содержащего переменные состояния схемы, то используется только при анализе во временной области. Например, выражение, записанное в позиции ЧАШЕ 100+Ч(10)*2, содержащее значение потенциала узла 10, будет использовано при анализе переходных процессов, при расчете режима по постоянному току перед выполнением малосигнального частотного анализа (АС) и при расчете передаточных характеристик по постоянному току (ОС).
В режиме АС-анализа зависимость рассматриваемого сопротивления от потенциала Ч(10) не принимается во внимание. Если в рабочей точке по посгоянному току значение потенциала узла 10 оказалось равным 2 В, то сопротивление рассматриваемого резистора во время проведения частотного анализа будет равным 100+2*2=104.
5 Модели аналоговых компонентов аблица 5.1. Параметры модели резистора Размер- ность Значение по молчанию Обозначение Содержание Масштабный множитель сопротивления Линейный температурный коэффици- ент соп отупления чСп ТС1 Квадратичный температурный коэффи- циент соп отупления ТС2 ТСЕ Экспоненциапьный температурный коз ициент соп отивления %/" С Масштабный коэффициент спектраль- ной плотности ш ма Т МЕА815йЕО Температура измерения Т АВЗ Абсолютная температура Т йЕ1 610ВА1. Относительная температура Разность между температурой устрой- ства и мо ели-и ототипа АКО Влияние температуры Существует два основных температурных фактора — квадратичный и экспоненциальный.
Квадратичный фактор характеризуется модельными пара- ° Атрибут РЯЕО: [выражение). Если в этой позиции набрано частотно-зависимое выражение, например Ч(4,5)'(1+Г/1е7), то оно при проведении АС-анализа заменяет значение атрибута МАШЕ. Например, в вышеприведенном выражении для атрибута РЯЕО Е обозначает независимую переменную АС-анализа — частоту, а Ч(4,5) — малосигнальное напряжение между узлами 4 и 5. При расчете переходных процессов и передаточных характеристик по постоянному току сопротивление резистора равно значению атрибута МАШЕ независимо от наличия и значения атрибута РЯЕО.
° Атрибут МООЕа.: [имя модели). ° Атрибут РАСКАОЕ: [тип корпуса) — например, Сб. Используется при составлении списка соединений между компонентами в формате РСВ. ° Атрибут СОЗТ [стоимость). Используется при составлении перечня компонентов (В111 о( МаГепа1в). ° Атрибут РОУУЕЯ [рассеиваемая мощность). Используется при составлении перечня компонентов (В)11 о( Магег(а1э). Формат текстовой директивы модели резистора .МОСЕ(. <имя модели> ВЕЗ ([параметры модели)).
Пример: .МООЕ1. ЯМ ВЕЗ (Я=2.0 СОТ=10 % ТС1=.015) Параметры, описывающие модель резистора в М1сгоСар-б, приведены в табл. 5.1. 114 Программа охемотехяичеояого модеяяоовояяя яГГогоСор-о метрами ТС1 и ТС2 или значениями <1с1>, <1с2> в строке задания атрибута 1гАЕУЕ. Экспоненциальный фактор задается модельным параметром ТСЕ.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
